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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3850AdV-T1-GE3 | - |  | 3328 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3850 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.08W | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 20V | 1.4a, 960MA | 300mohm @ 500 mA, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 1.4nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SUP85N03-3M6P-GE3 | - | | 8312 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP85 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 30 V | 85A (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 22a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 3535 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 78.1W (TC) | ||||||||
 | Sir880bdp-T1-RE3 | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 18.6a (TA), 70.6a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 66 NC @ 10 V | ± 20V | 2930 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 71.4W (TC) | |||||||||
 | SQJ460AEP-T1_GE3 | 1.5100 | | 2334 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj460 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 32A (TC) | 4.5V, 10V | 9.6mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 106 NC @ 10 V | ± 20V | 4795 pf @ 25 V | - | 83W (TC) | ||||||||
 | Sir512DP-T1-RE3 | 2.1200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIR512DP-T1-RE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 25.1a (TA), 100A (TC) | 7.5V, 10V | 4.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 3400 pf @ 50 V | - | 6W (TA), 96.2W (TC) | ||||||||
 | IRFR110TRLPBF-BE3 | 1.3900 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||||||
 | SiHG026N60EF-GE3 | 14.3000 | | 4124 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHG026N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 95A (TC) | 10V | 26mohm @ 38a, 10v | 5V @ 250 µA | 227 NC @ 10 V | ± 30V | 7926 pf @ 100 V | - | 521W (TC) | |||||||||
| SUP70060E-GE3 | 2.0800 | | 4366 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP70060 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 131a (TC) | 7.5V, 10V | 5.8mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 81 NC @ 10 V | ± 20V | 3330 pf @ 50 V | - | 200W (TC) | ||||||||
 | Sqd40020el_ge3 | 1.6500 | | 1060 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SQD40020 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2.2mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 165 NC @ 20 V | ± 20V | 8800 pf @ 25 V | - | 107W (TC) | ||||||||
| Sir640Adp-T1-GE3 | 1.9200 | | 6344 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir640 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 41.6a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 2mohm @ 20a, 10v | 2V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 4240 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | ||||||||
 | IRFP250PBF | 3.9500 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP250 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp250pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 30A (TC) | 10V | 85mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 2800 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | |||||||
| IRFPC50LC | - | | 9050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFPC50LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 600mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | ± 30V | 2300 pf @ 25 V | - | 190W (TC) | ||||||
| SiHG47N65E-GE3 | 8.0800 | | 5833 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg47 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 72mohm @ 24a, 10v | 4V @ 250 µA | 273 NC @ 10 V | ± 30V | 5682 pf @ 100 V | - | 417W (TC) | ||||||||
| Sir4602Ldp-T1-RE3 | 0.9500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 15.2a (TA), 52.1a (TC) | 4.5V, 10V | 8.8mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 1185 pf @ 30 V | - | 3.6W (TA), 43W (TC) | |||||||||
 | SIA436DJ-T4-GE3 | 0.2467 | | 2153 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sia436dj-t4-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 8 V | 12a (TC) | 1.2V, 4.5V | 9.4mohm @ 15.7a, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 25.2 NC @ 5 V | ± 5V | 1508 pf @ 4 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||||
| SIRA22DP-T1-RE3 | 0.5977 | | 9201 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira22 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 0.76mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | +16V, -12V | 7570 pf @ 10 V | - | 83.3W (TC) | ||||||||
| SiHG085N60EF-GE3 | 6.5600 | | 2537 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg085 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHG085N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 34a (TC) | 10V | 84mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2733 pf @ 100 V | - | 184W (TC) | |||||||
 | IRF710SPBF | 1.6000 | | 1793 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF710SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||||||
| SI3433BDV-T1-E3 | - | | 5654 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3433 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 4.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 5.6a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 18 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
 | SI7911DN-T1-GE3 | - | | 5080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SI7911 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.2a | 51mohm @ 5.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | Siz702dt-t1-ge3 | - | | 1905 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-PowerPair ™ | Siz702 | Mosfet (Óxido de metal) | 27W, 30W | 6-PowerPair ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canales N (Medio Puente) | 30V | 16A | 12mohm @ 13.8a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 21NC @ 10V | 790pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
| IRFP264PBF | 5.6500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP264 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfp264pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 250 V | 38a (TC) | 10V | 75mohm @ 23a, 10v | 4V @ 250 µA | 210 NC @ 10 V | ± 20V | 5400 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||||||
 | SST5484-T1-E3 | - | | 3172 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SST5484 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 5PF @ 15V | 25 V | 1 ma @ 15 V | 300 MV @ 10 na | |||||||||||||
| Sud50n03-06p-e3 | - | | 5992 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 84a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 8.3W (TA), 88W (TC) | |||||||
 | SIHK185N60EF-T1GE3 | 4.6000 | | 9129 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIHK185N60EF-T1GE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | ||||||||
 | SI1443EDH-T1-GE3 | 0.5400 | | 1694 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1443 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4A (TC) | 10V | 54mohm @ 4.3a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1.6W (TA), 2.8W (TC) | ||||||||
 | SI7945DP-T1-E3 | - | | 6605 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7945 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 7A | 20mohm @ 10.9a, 10v | 3V @ 250 µA | 74nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| Irfz10 | - | | 3641 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfz10 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfz10 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 10a (TC) | 10V | 200mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | ||||||
 | SIA923EDJ-T4-GE3 | 0.6400 | | 3771 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA923 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.9W (TA), 7.8W (TC) | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.5a (TA), 4.5A (TC) | 54mohm @ 3.8a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 25nc @ 8V | - | - | ||||||||||
 | Irfr1n60atrl | - | | 5821 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) |
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