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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF830BPBF | 1.1200 |  | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 30V | 325 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||
 | IRLZ24LPBF | 1.6400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRLZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLZ24LPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||
 | SIA483ADJ-T1-GE3 | 0.5300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA483 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 10.6a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 20mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | +16V, -20V | 950 pf @ 15 V | - | 3.4W (TA), 17.9W (TC) | |||||
 | SI1315DL-T1-GE3 | - | | 6078 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SC-70, SOT-323 | Si1315 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 900 mA (TC) | 1.8V, 4.5V | 336mohm @ 800 mA, 4.5V | 800mv @ 250 µA | 3.4 NC @ 4.5 V | ± 8V | 112 pf @ 4 V | - | 300MW (TA), 400MW (TC) | ||||
 | Si4688dy-T1-E3 | - | | 3004 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4688 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 8.9a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1580 pf @ 15 V | - | 1.4W (TA) | ||||
 | SI7454DP-T1-GE3 | 1.0773 | | 4952 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7454 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 5A (TA) | 6V, 10V | 34mohm @ 7.8a, 10V | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SQJQ148er-T1_GE3 | 2.7200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 372a (TC) | 10V | 1.5mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5750 pf @ 25 V | - | 394W (TC) | ||||||
| Irfbg20 | - | | 3796 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Irfbg20 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfbg20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 1000 V | 1.4a (TC) | 10V | 11ohm @ 840mA, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 500 pf @ 25 V | - | 54W (TC) | |||
 | SQW44N65EF-GE3 | 7.6600 | | 509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101, E | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 247ad | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQW44N65EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 480 | N-canal | 650 V | 47a (TC) | 10V | 73mohm @ 22a, 10v | 4V @ 250 µA | 266 NC @ 10 V | ± 30V | 5858 pf @ 100 V | - | 500W (TC) | |||||
| Sir472Adp-T1-GE3 | 0.6400 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir472 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 20V | 1040 pf @ 15 V | - | 3.3W (TA), 14.7W (TC) | |||||
 | SI1405DL-T1-GE3 | - | | 9382 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1405 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 125mohm @ 1.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 568MW (TA) | |||||
| SQ4410EY-T1_GE3 | 1.5200 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2385 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | |||||
| Irf744l | - | | 9534 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF744 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *Irf744l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 450 V | 8.8a (TC) | 10V | 630mohm @ 5.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | - | ||||
 | SI3440DV-T1-GE3 | 1.5200 | | 54 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3440 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 1.2a (TA) | 6V, 10V | 375mohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | ||||||
| SI3483DV-T1-E3 | - | | 2604 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3483 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 6.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.14W (TA) | |||||
 | IRFR320TRPBF | 0.8122 | | 3149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SI4178DY-T1-GE3 | 0.6400 | | 1733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4178 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 405 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | |||||
 | IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | ||||
 | IRFIB6N60APBF | 4.2100 | | 1620 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib6 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIB6N60APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 5.5a (TC) | 10V | 750mohm @ 3.3a, 10V | 4V @ 250 µA | 49 NC @ 10 V | ± 30V | 1400 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
| SIA477EDJ-T1-GE3 | 0.5100 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA477 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 14mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 87 NC @ 8 V | 2970 pf @ 6 V | - | - | |||||||
| SI4435FDY-T1-GE3 | 0.4900 | | 5590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.6a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 4.8W (TC) | |||||
| IRFR214TRR | - | | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||
 | SI7540AdP-T1-GE3 | 1.7500 | | 574 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7540 | - | 3.5w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 12a, 9a | 28mohm @ 12a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 48nc @ 10V | 1310pf @ 10V | - | |||||||
 | SI8806DB-T2-E1 | 0.4600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga | Si8806 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 2.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 43mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 8 V | ± 8V | - | 500MW (TA) | |||||
| IRFS11N50ATRL | - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | ||||
 | SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR220 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 87.7a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | +16V, -12V | 1085 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
| SQD45P03-12-T4_GE3 | 0.6597 | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 3495 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | ||||
 | Ircz44pbf | - | | 4166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRCZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Ircz44pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | Detección real | 150W (TC) | |||
| Si4346dy-t1-e3 | - | | 7317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4346 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 2.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | ||||||
| SI3447BDV-T1-E3 | - | | 9859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3447 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) |
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