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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SI3460DDV-T1-GE3 | 0.4100 |  | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 7.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | 666 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | ||||||||
 | Ircz44pbf | - | | 4166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRCZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Ircz44pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | Detección real | 150W (TC) | ||||||
 | SI8806DB-T2-E1 | 0.4600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga | Si8806 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 2.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 43mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 8 V | ± 8V | - | 500MW (TA) | ||||||||
 | IRF9630S | - | | 4438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9630S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||||
 | Irfu9310pbf | 1.5800 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU9310 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfu9310pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | Canal P | 400 V | 1.8a (TC) | 10V | 7ohm @ 1.1a, 10v | 4V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 50W (TC) | |||||||
 | Irfd9123pbf | - | | 3308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IRFD9123 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1a (TA) | 600mohm @ 600 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | 390 pf @ 25 V | - | - | |||||||||
 | Si6968bedq-t1-e3 | 1.3900 | | 292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6968 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 5.2a | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | U430-E3 | - | | 1784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-78-6 METAL CAN | U430 | 500 MW | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 Canal N (Dual) | 5PF @ 10V | 25 V | 12 Ma @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
| SQ3427AEEV-T1_GE3 | 0.7800 | | 1196 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||||||
 | SISS5112DN-T1-GE3 | 1.5600 | | 5441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS5112 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 11a (TA), 40.7a (TC) | 7.5V, 10V | 14.9mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 790 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| Irfbc20strr | - | | 2867 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC20 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 600 V | 2.2a (TC) | 10V | 4.4ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | ||||||||
 | IRFR420TR | - | | 2389 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR420 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 500 V | 2.4a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 19 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||
 | SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | | 7649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS606 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 9.4a (TA), 35.3a (TC) | 7.5V, 10V | 17.4mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 7568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 5.6a (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 8.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
 | SQJ401EP-T1_GE3 | 2.0200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 32A (TC) | 2.5V, 4.5V | 6mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 164 NC @ 4.5 V | ± 8V | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) | |||||||||
 | SI7913DN-T1-E3 | 1.6400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7913 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 5A | 37mohm @ 7.4a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | IRF530 | - | | 5575 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | |||||||
 | IRFP460LC | - | | 3133 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP460 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRFP460LC | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 500 V | 20A (TC) | 10V | 270mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 30V | 3600 pf @ 25 V | - | 280W (TC) | |||||||
 | SiHK105N60EF-T1GE3 | 5.8000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 24a (TC) | 10V | 105mohm @ 10a, 10v | 5V @ 250 µA | 51 NC @ 10 V | ± 30V | 2301 pf @ 100 V | - | 142W (TC) | |||||||||
 | SI7686DP-T1-E3 | 1.2300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7686 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 35A (TC) | 4.5V, 10V | 9.5mohm @ 13.8a, 10v | 3V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 1220 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 37.9W (TC) | ||||||||
| IRF9610Strl | - | | 5762 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | ||||||||
 | SI2302DDS-T1-GE3 | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.9a (TJ) | 2.5V, 4.5V | 57mohm @ 3.6a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 5.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 710MW (TA) | ||||||||
 | IRLI520GPBF | 0.9881 | | 8720 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRLI520GPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 7.2a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.3a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 37W (TC) | |||||||
 | SQ4840EY-T1_BE3 | 3.3100 | | 5093 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4840 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 20.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 62 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 20 V | - | 7.1W (TC) | |||||||||
| Si2324ds-t1-be3 | 0.6500 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2324 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2324ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 1.6a (TA), 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.8V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
| SQ3427AEEV-T1_BE3 | 0.7800 | | 812 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3427 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 5.3a (TC) | 4.5V, 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 1000 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | |||||||||
 | SUD23N06-31-BE3 | 0.9700 | | 5071 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud23 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SUD23N06-31-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 9.1a (TA), 21.4a (TC) | 4.5V, 10V | 31mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 670 pf @ 25 V | - | 5.7W (TA), 31.25W (TC) | ||||||||
| SQ2361ES-T1_BE3 | 0.6300 | | 44 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2361 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 2.8a (TC) | 4.5V, 10V | 177mohm @ 2.4a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | |||||||||
| SQJ418EP-T1_GE3 | 1.1800 | | 25 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj418 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 48a (TC) | 10V | 14mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1700 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | ||||||||
 | SI233338DS-T1-BE3 | 0.5300 | | 9847 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si233338ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 5.5a (TA), 6a (TC) | 4.5V, 10V | 28mohm @ 5.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 13 NC @ 10 V | ± 20V | 424 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) |
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