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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRFR1N60ATRPBF | 1.5500 |  | 985 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR1 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 1.4a (TC) | 10V | 7ohm @ 840 mm, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 30V | 229 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||||||
 | SQ4410EY-T1_GE3 | 1.5200 | | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2385 pf @ 25 V | - | 5W (TC) | ||||||||
| SQ4284EY-T1_GE3 | 1.6200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4284 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.9w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | - | 13.5mohm @ 7a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45nc @ 10V | 2200pf @ 25V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | SiHK045N60EF-T1GE3 | 10.4700 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerBSFN | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak®10 x 12 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 600 V | 47a (TC) | 10V | 52mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 105 NC @ 10 V | ± 30V | 4685 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||||||
| SI4178DY-T1-GE3 | 0.6400 | | 1733 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4178 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 8.4a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 25V | 405 pf @ 15 V | - | 2.4W (TA), 5W (TC) | ||||||||
 | IRFS11N50ATRL | - | | 4632 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||
 | SI1405DL-T1-GE3 | - | | 9382 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1405 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 125mohm @ 1.8a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 7 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 568MW (TA) | ||||||||
| IRF740SPBF | 2.8000 | | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740SPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 125W (TC) | |||||||
| IRFBC40LCS | - | | 7369 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFBC40 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRFBC40LCS | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 6.2a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 3.7a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||||
 | SIB4316EDK-T1-GE3 | 0.4300 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.5a (TA), 6a (TC) | 2.5V, 10V | 57mohm @ 4a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 12V | - | 1.9W (TA), 10W (TC) | ||||||||||
 | SIS606BDN-T1-GE3 | 1.4900 | | 7649 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS606 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 9.4a (TA), 35.3a (TC) | 7.5V, 10V | 17.4mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 30 NC @ 10 V | ± 20V | 1470 pf @ 50 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
| IRFR320TRPBF | 0.8122 | | 3149 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||||||
| SI4435FDY-T1-GE3 | 0.4900 | | 5590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 12.6a (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 9a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 15 V | - | 4.8W (TC) | ||||||||
| SIS126DN-T1-GE3 | 0.9500 | | 9191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS126 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 12a (TA), 45.1a (TC) | 7.5V, 10V | 10.2mohm @ 10a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1402 pf @ 40 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SIDR220DP-T1-GE3 | 2.8000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR220 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 87.7a (TA), 100A (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 20a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 200 NC @ 10 V | +16V, -12V | 1085 pf @ 10 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | ||||||||
| Si4346dy-t1-e3 | - | | 7317 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4346 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 5.9a (TA) | 2.5V, 10V | 23mohm @ 8a, 10v | 2V @ 250 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.31W (TA) | |||||||||
| SQD45P03-12-T4_GE3 | 0.6597 | | 7337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD45P03-12-T4_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 10mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 3495 pf @ 15 V | - | 71W (TC) | |||||||
| IRFR214TRR | - | | 5918 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR214 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 250 V | 2.2a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
 | SIA477EDJ-T1-GE3 | 0.5100 | | 5996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA477 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 12a (TC) | 14mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 87 NC @ 8 V | 2970 pf @ 6 V | - | - | ||||||||||
| SIS436DN-T1-GE3 | - | | 1531 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS436 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 22 NC @ 10 V | ± 20V | 855 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 27.7W (TC) | ||||||||
 | SI3447BDV-T1-E3 | - | | 9859 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3447 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 4.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 40mohm @ 6a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
| SI3460DDV-T1-GE3 | 0.4100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3460 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 7.9a (TC) | 1.8V, 4.5V | 28mohm @ 5.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | 666 pf @ 10 V | - | 1.7W (TA), 2.7W (TC) | ||||||||
 | Ircz44pbf | - | | 4166 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRCZ44 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Ircz44pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 50A (TC) | 10V | 28mohm @ 31a, 10v | 4V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 2500 pf @ 25 V | Detección real | 150W (TC) | ||||||
 | SI8806DB-T2-E1 | 0.4600 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-xfbga | Si8806 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 2.8a (TA) | 1.8V, 4.5V | 43mohm @ 1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 17 NC @ 8 V | ± 8V | - | 500MW (TA) | ||||||||
| IRF9630S | - | | 4438 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9630S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | ||||||
 | Si6968bedq-t1-e3 | 1.3900 | | 292 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6968 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 canales (dual) Drenaje Común | 20V | 5.2a | 22mohm @ 6.5a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| U430-E3 | - | | 1784 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-78-6 METAL CAN | U430 | 500 MW | Un 78-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 100 | 2 Canal N (Dual) | 5PF @ 10V | 25 V | 12 Ma @ 10 V | 1 v @ 1 na | |||||||||||||
 | Irfd9123pbf | - | | 3308 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IRFD9123 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 100 V | 1a (TA) | 600mohm @ 600 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | 390 pf @ 25 V | - | - | |||||||||
| SI7414DN-T1-GE3 | 1.5500 | | 7568 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7414 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 5.6a (TA) | 4.5V, 10V | 25mohm @ 8.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||||||
 | SQJ401EP-T1_GE3 | 2.0200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj401 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 32A (TC) | 2.5V, 4.5V | 6mohm @ 15a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 164 NC @ 4.5 V | ± 8V | 10015 pf @ 6 V | - | 83W (TC) |
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