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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de funciones | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQS142ENW-T1_GE3 | 0.9500 |  | 9447 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | SQS142 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 10V | 4.5mohm @ 10a, 10v | 3.3V @ 250 µA | 35 NC @ 10 V | ± 20V | 1952 pf @ 25 V | - | 113W (TC) | |||||
 | Si4622dy-T1-E3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4622 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 9.6a, 10V | 2.5V @ 1MA | 60nc @ 10V | 2458pf @ 15V | - | ||||||
 | IRF830APBF-BE3 | 1.5700 | | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF830APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||
 | SI3879DV-T1-E3 | - | | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3879 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 3.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 12V | 480 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | ||||
| Si4493dy-t1-e3 | - | | 2766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4493 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 10a (TA) | 2.5V, 4.5V | 7.75mohm @ 14a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 110 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | IRLR120TRPBF | 0.7012 | | 8577 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRLR120 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 7.7a (TC) | 4V, 5V | 270mohm @ 4.6a, 5V | 2V @ 250 µA | 12 NC @ 5 V | ± 10V | 490 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
 | SQJQ904E-T1_GE3 | 3.0300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq904 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 100A (TC) | 3.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 75nc @ 10V | 5900pf @ 20V | - | |||||||
 | Siha20n50e-e3 | 2.9400 | | 6914 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha20 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 19a (TC) | 10V | 184mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | |||||
 | IRF9610SPBF | 1.9500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9610 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 200 V | 1.8a (TC) | 10V | 3ohm @ 900 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 20W (TC) | |||||
| IRF740LCPBF | 3.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740LCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI8487DB-T1-E1 | 0.6900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8487 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.9a (TA) | 2.5V, 10V | 31mohm @ 2a, 10v | 1.2V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 12V | 2240 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
 | SQD45N05-20L-GE3 | - | | 7082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 50 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 75W (TC) | |||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.8a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | ||||||
 | SIA431DJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 25mohm @ 6.5a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 60 NC @ 8 V | ± 8V | 1700 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIHP068N60EF-GE3 | 5.4900 | | 3291 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP068 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SiHP068N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 41a (TC) | 10V | 68mohm @ 16a, 10v | 5V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 30V | 2628 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | |||||
 | SI1539DDL-T1-GE3 | - | | 5973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1539 | Mosfet (Óxido de metal) | 340MW | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 30V | 700MA (TC), 460MA (TC) | 388mohm @ 600mA, 10V, 1.07ohm @ 400mA, 10V | 2.5V @ 250 µA, 3V @ 250 µA | 1.1NC @ 4.5V, 1.2NC @ 4.5V | 28pf @ 15V, 21pf @ 15V | - | |||||||
| SIA418DJ-T1-GE3 | - | | 9866 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA418 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 9a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 570 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | SIB410DK-T1-GE3 | - | | 9766 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB410 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9A (TC) | 1.8V, 4.5V | 42mohm @ 3.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 15 NC @ 8 V | ± 8V | 560 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 13W (TC) | |||||
 | SI4459BDY-T1-GE3 | 1.1800 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4459 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 20.5a (TA), 27.8a (TC) | 4.5V, 10V | 4.9mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 84 NC @ 10 V | +20V, -16V | 3490 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.6W (TC) | |||||
| IRF610 | - | | 3831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF610 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | |||
 | 2N6660JTVP02 | - | | 7427 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-205AD, TO-39-3 METAL CAN | 2N6660 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-205Ad (TO-39) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 60 V | 990MA (TC) | 5V, 10V | 3ohm @ 1a, 10v | 2v @ 1 mapa | ± 20V | 50 pf @ 25 V | - | 725MW (TA), 6.25W (TC) | |||||
 | Irld110pbf | 1.7200 | | 7415 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irld110 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irld110pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 100 V | 1a (TA) | 4V, 5V | 540mohm @ 600 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
 | SQJ486EP-T1_GE3 | 1.2100 | | 8810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj486 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 51a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1386 pf @ 15 V | - | 56W (TC) | |||||
| Si4829dy-t1-ge3 | - | | 7813 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4829 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 2a (TC) | 2.5V, 4.5V | 215mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 8 NC @ 10 V | ± 12V | 210 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
 | Siha22n60ef-ge3 | 3.4600 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha22 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 2266-SiHA22N60EF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 182mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 100 V | - | 33W (TC) | ||||
 | IRFU4105ZTRR | - | | 7684 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU4105 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 55 V | 30A (TC) | 10V | 24.5mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 740 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||||
| SUP90140E-GE3 | 3.3400 | | 3159 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90140 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 90A (TC) | 7.5V, 10V | 17mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 20V | 4132 pf @ 100 V | - | 375W (TC) | |||||
| Si4636dy-t1-ge3 | - | | 9041 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4636 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 2635 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.4W (TC) | ||||
 | 2N4861JTX02 | - | | 1010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N4861 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 40 | - | - | ||||||||||||||
 | SI7485DP-T1-E3 | - | | 9839 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7485 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12.5a (TA) | 7.3mohm @ 20a, 4.5V | 900mv @ 1 MMA | 150 NC @ 5 V | - |
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