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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sir166DP-T1-GE3 | 1.5000 |  | 6182 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir166 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3.2mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3340 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 48W (TC) | |||||
 | SQJ500AEP-T1_GE3 | 1.6100 | | 5831 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | SQJ500 | - | 48W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 40V | 30A (TC) | 27mohm @ 6a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 38.1NC @ 10V | 1850pf @ 20V | - | |||||||
 | SI3585DV-T1-E3 | - | | 6956 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3585 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 2a, 1.5a | 125mohm @ 2.4a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 3.2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | Si4396dy-t1-ge3 | 0.8900 | | 378 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4396 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11.5mohm @ 10a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 45 NC @ 10 V | ± 20V | 1675 pf @ 15 V | - | 3.1W (TA), 5.4W (TC) | ||||
 | SI1051X-T1-E3 | - | | 1729 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1051 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 1.2a (TA) | 1.5V, 4.5V | 122mohm @ 1.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 9.45 NC @ 5 V | ± 5V | 560 pf @ 4 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | Siha25n60efl-e3 | 2.4990 | | 8882 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha25 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 146mohm @ 12.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 75 NC @ 10 V | ± 30V | 2274 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
| SI4628DY-T1-GE3 | - | | 8167 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4628 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 38a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 1MA | 87 NC @ 10 V | ± 20V | 3450 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SQ4435EY-T1_GE3 | 1.4400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 15A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 8a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 58 NC @ 10 V | ± 20V | 2170 pf @ 15 V | - | 6.8W (TC) | |||||
 | SIHP125N60EF-GE3 | 4.7600 | | 5247 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP125 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 25A (TC) | 10V | 125mohm @ 12a, 10v | 5V @ 250 µA | 47 NC @ 10 V | ± 30V | 1533 pf @ 100 V | - | 179W (TC) | |||||
 | SI5857DU-T1-GE3 | - | | 7076 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5857 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 6a (TC) | 2.5V, 4.5V | 58mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 12V | 480 pf @ 10 V | Diodo Schottky (Aislado) | 2.3W (TA), 10.4W (TC) | ||||
 | Sqj459ep-t1_be3 | 1.3300 | | 9590 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj459ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 52a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4586 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | ||||||
 | SI2308DS-T1-E3 | - | | 9418 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2a (TA) | 4.5V, 10V | 160mohm @ 2a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 240 pf @ 25 V | - | 1.25W (TA) | ||||
| SI7888DP-T1-GE3 | - | | 2937 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7888 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9.4a (TA) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 12.4a, 10V | 2V @ 250 µA | 10.5 NC @ 5 V | ± 12V | - | 1.8w (TA) | |||||
 | SQM200N04-1M8_GE3 | 1.8981 | | 1150 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | Sqm200 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 10V | 1.8mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 310 NC @ 10 V | ± 20V | 17350 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | Sihfl9014tr-ge3 | 0.7900 | | 3708 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Sihfl9014 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 60 V | 1.8a (TC) | 10V | 500mohm @ 1.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||
| Si4942dy-t1-e3 | - | | 3872 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4942 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.1w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 5.3a | 21mohm @ 7.4a, 10V | 3V @ 250 µA | 32NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4435DDY-T1-E3 | 0.7500 | | 6676 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 11.4a (TC) | 4.5V, 10V | 24mohm @ 9.1a, 10v | 3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 1350 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| SI3434DV-T1-GE3 | - | | 6851 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3434 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 34mohm @ 6.1a, 4.5V | 600mV @ 1MA (min) | 12 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.14W (TA) | |||||
| Sir872dp-t1-ge3 | 2.8600 | | 6287 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir872 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 53.7a (TC) | 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 2130 pf @ 75 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | Irfz34strr | - | | 7393 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | ||||
| SI7370DP-T1-E3 | 2.4500 | | 62 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7370 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 9.6a (TA) | 6V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SUD25N15-52-E3 | 2.5100 | | 93 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud25 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 150 V | 25A (TC) | 6V, 10V | 52mohm @ 5a, 10v | 4V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 20V | 1725 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 136W (TC) | |||||
| SI2303BDS-T1-GE3 | - | | 9005 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2303 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.49a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 10 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 15 V | - | 700MW (TA) | ||||
| SI7738DP-T1-E3 | 3.1700 | | 8509 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7738 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 30A (TC) | 10V | 38mohm @ 7.7a, 10V | 4V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2100 pf @ 75 V | - | 5.4W (TA), 96W (TC) | |||||
 | SI5475DC-T1-GE3 | - | | 3540 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5475 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 5.5a (TA) | 1.8V, 4.5V | 31mohm @ 5.5a, 4.5V | 450MV @ 1MA (min) | 29 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | |||||
| Sir846bdp-T1-RE3 | 1.6600 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir846 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 16.1a (TA), 65.8 (TC) | 7.5V, 10V | 8mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 20V | 2440 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 83.3W (TC) | |||||
| SI2325DS-T1-GE3 | 1.0000 | | 2399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2325 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 530 mA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 750MW (TA) | ||||
| SQ4840CEY-T1_GE3 | 1.3100 | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4840CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 20.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 20 V | - | 7.1W (TC) | ||||||
 | SIE832DF-T1-E3 | - | | 3880 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (s) | SIE832 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (s) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 14a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3800 pf @ 20 V | - | 5.2W (TA), 104W (TC) | |||||
| IRF820Strl | - | | 4930 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF820 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 500 V | 2.5A (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) |
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