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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SiHH186N60EF-T1GE3 | 5.0300 |  | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | SI7938DP-T1-GE3 | 1.5500 | | 12 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7938 | Mosfet (Óxido de metal) | 46W | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 60A | 5.8mohm @ 18.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 65nc @ 10V | 2300pf @ 20V | - | |||||||
 | SQS486CENW-T1_GE3 | 0.9700 | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 62.5W (TC) | ||||||
 | SI4642DY-T1-E3 | - | | 5922 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4642 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 34a (TC) | 4.5V, 10V | 3.75mohm @ 20a, 10v | 3V @ 1MA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 5540 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | ||||
| SI4490DY-T1-GE3 | 2.2000 | | 252 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4490 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 2.85a (TA) | 6V, 10V | 80mohm @ 4a, 10v | 2V @ 250 µA (min) | 42 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.56W (TA) | ||||||
 | SUP90220E-GE3 | 2.6800 | | 2337 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP90220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 200 V | 64a (TC) | 7.5V, 10V | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 20V | 1950 pf @ 100 V | - | 230W (TC) | ||||||
 | SISS5108DN-T1-GE3 | 1.8100 | | 40 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS5108 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.4a (TA), 55.9a (TC) | 7.5V, 10V | 10.5mohm @ 10a, 10v | 4V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 1150 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 65.7W (TC) | ||||||
| SI4638DY-T1-E3 | - | | 5053 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4638 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 22.4a (TC) | 4.5V, 10V | 6.5mohm @ 15a, 10v | 2.7V @ 1MA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4190 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 5.9W (TC) | |||||
 | SiHD14N60ET4-GE3 | 2.3200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 13a (TC) | 10V | 309mohm @ 7a, 10v | 4V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 30V | 1205 pf @ 100 V | - | 147W (TC) | |||||||
 | IRF9Z14L | - | | 2860 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF9 | Mosfet (Óxido de metal) | I2pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf9z14l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||
 | IRFR9110TRR | - | | 7100 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR9110 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.2ohm @ 1.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||
 | SI1563DH-T1-E3 | - | | 3040 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1563 | Mosfet (Óxido de metal) | 570MW | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Vecino del canal | 20V | 1.13a, 880 mA | 280mohm @ 1.13a, 4.5V | 1V @ 100 µA | 2NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
| SI4632DY-T1-GE3 | - | | 3399 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4632 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 2.7mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 161 NC @ 10 V | ± 16V | 11175 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
 | SIS406DN-T1-GE3 | 0.8100 | | 13 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS406 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 9a (TA) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 28 NC @ 10 V | ± 25V | 1100 pf @ 15 V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | Si6466adq-t1-e3 | - | | 8588 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6466 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 6.8a (TA) | 2.5V, 4.5V | 14mohm @ 8.1a, 4.5V | 450MV @ 250 µA (min) | 27 NC @ 5 V | ± 8V | - | 1.05W (TA) | |||||
 | SI7904BDN-T1-E3 | 1.3200 | | 8098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7904 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 6A | 30mohm @ 7.1a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 24nc @ 8V | 860pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SiHF30N60E-GE3 | 6.1200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | SiHF30 | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | N-canal | 600 V | 29a (TC) | 10V | 125mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 130 NC @ 10 V | ± 30V | 2600 pf @ 100 V | - | 37W (TC) | ||||||
 | Sud50n04-05L-E3 | - | | 7499 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 115A (TC) | 4.5V, 10V | 5.4mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 5600 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
| Si4682dy-T1-E3 | - | | 9753 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4682 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 16a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1595 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | ||||
 | SI2369BDS-T1-GE3 | 0.5300 | | 37 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2369 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2369bds-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 5.6a (TA), 7.5a (TC) | 4.5V, 10V | 27mohm @ 5a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 19.5 NC @ 10 V | +16V, -20V | 745 pf @ 15 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) | |||
 | IRFIB5N65APBF | 4.3700 | | 968 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfib5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFIB5N65APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 650 V | 5.1a (TC) | 10V | 930mohm @ 3.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1417 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | ||||
 | SQM120N02-1M3L_GE3 | 1.8981 | | 9857 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 20 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 1.3mohm @ 40a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 290 NC @ 10 V | ± 20V | 14500 pf @ 10 V | - | 375W (TC) | ||||||
 | Irf9630strlpbf | 2.9100 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 200 V | 6.5a (TC) | 10V | 800mohm @ 3.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 29 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | - | 3W (TA), 74W (TC) | |||||
 | IRFP9240 | - | | 8659 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFP9240 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRFP9240 | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | Canal P | 200 V | 12a (TC) | 10V | 500mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | |||
| Si722222dn-t1-ge3 | - | | 8318 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7222 | Mosfet (Óxido de metal) | 17.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 6A | 42mohm @ 5.7a, 10V | 1.6V @ 250 µA | 29NC @ 10V | 700pf @ 20V | - | ||||||
 | Siha24n65ef-e3 | 3.0944 | | 5102 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Siha24 | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 156mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2774 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
 | SIDR680AdP-T1-RE3 | 2.4900 | | 10 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SIDR680 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | - | 1 (ilimitado) | 742-SIDR680AdP-T1-RE3DKR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 30.7a (TA), 137a (TC) | 7.5V, 10V | 2.88mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 83 NC @ 10 V | ± 20V | 4415 pf @ 40 V | - | 6.25W (TA), 125W (TC) | |||||
| IRF9Z14STRLPBF | 1.7600 | | 800 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF9Z14 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 60 V | 6.7a (TC) | 10V | 500mohm @ 4a, 10v | 4V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 270 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 43W (TC) | |||||
 | SiJ478DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 1468 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ478 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 8mohm @ 20a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 20V | 1855 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
 | Irfd210 | - | | 3636 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd210 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfd210 | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 200 V | 600 mA (TA) | 10V | 1.5ohm @ 360ma, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 1W (TA) |
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