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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 2N5115-E3 | - |  | 4217 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5115 | TO-206AA (A 18) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | - | - | |||||||||||||||||
| 2N5547JTX01 | - | | 8640 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | Un 71-6 | 2N5547 | TO-71 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 40 | - | - | |||||||||||||||||
 | SIB417AEDK-T1-GE3 | - | | 2624 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-75-6 | SIB417 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-75-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 9A (TC) | 1.2V, 4.5V | 32mohm @ 3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18.5 NC @ 5 V | ± 5V | 878 pf @ 4 V | - | 2.4W (TA), 13W (TC) | ||||||||
 | SISS80DN-T1-GE3 | 1.6700 | | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS80 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 58.3a (TA), 210A (TC) | 2.5V, 10V | 0.92mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | +12V, -8V | 6450 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 65W (TC) | |||||||||
 | SI3458BDV-T1-BE3 | 0.9100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3458 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 3.2a (TA), 4.1A (TC) | 4.5V, 10V | 100mohm @ 3.2a, 10v | 3V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 30 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | |||||||||
 | Irll110trpbf-be3 | 0.9300 | | 30 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-261-4, TO-261AA | Irll110 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-223 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.5a (TC) | 4V, 5V | 540mohm @ 900 mA, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 2W (TA), 3.1W (TC) | |||||||||
| Sq3426ev-t1_be3 | 0.7700 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | SQ3426 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sq3426ev-t1_be3dkr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 4.5 V | ± 20V | 720 pf @ 30 V | - | 5W (TC) | ||||||||
| SQJ146EP-T1_GE3 | 0.8800 | | 7121 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj146 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ146EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 10V | 7mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 1500 pf @ 25 V | - | 75W (TC) | |||||||
 | SI2387DS-T1-GE3 | 0.5000 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si2387ds-t1-ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 2.1a (TA), 3A (TC) | 4.5V, 10V | 164mohm @ 2.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 10.2 NC @ 10 V | ± 20V | 395 pf @ 40 V | - | 1.3W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
 | Sqj164elp-t1_ge3 | 1.1600 | | 5279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sqj164elp-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 75A (TC) | 4.5V, 10V | 12mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 57 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | ||||||||
| Sqj128elp-t1_ge3 | 1.6300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-sqj128elp-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 437a (TC) | 4.5V, 10V | 1.15mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 7315 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | ||||||||
 | Sq7415cenw-t1_ge3 | 0.9700 | | 9258 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 65mohm @ 5.7a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1385 pf @ 25 V | - | 53W (TC) | |||||||||
 | SIHP15N80AEF-GE3 | 2.6000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHP15N80AEF-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 13a (TC) | 10V | 350mohm @ 6.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 54 NC @ 10 V | ± 30V | 1128 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | ||||||||
 | SQJQ186E-T1_GE3 | 3.0100 | | 7284 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SQJQ186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 80 V | 245a (TC) | 10V | 2.3mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 20V | 10552 pf @ 25 V | - | 357W (TC) | ||||||||
 | SI2318CDS-T1-BE3 | 0.5000 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SI2318CDS-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 4.3a (TA), 5.6a (TC) | 4.5V, 10V | 42mohm @ 4.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 9 NC @ 10 V | ± 20V | 340 pf @ 20 V | - | 1.25W (TA), 2.1W (TC) | |||||||||
 | SQJ459EP-T2_BE3 | 1.2800 | | 4182 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj459ep-t2_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 52a (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 3.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 108 NC @ 10 V | ± 20V | 4586 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||||||
| Sqj486ep-t1_be3 | 1.2200 | | 2523 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 26mohm @ 5.9a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 34 NC @ 10 V | ± 20V | 1386 pf @ 37 V | - | 56W (TC) | ||||||||||
 | IRFR220PBF-BE3 | 0.6674 | | 6996 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR220 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 742-IRFR220PBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 200 V | 4.8a (TC) | 10V | 800mohm @ 2.9a, 10V | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
 | SIHB080N60E-GE3 | 5.4800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SIHB080N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 35A (TC) | 10V | 80mohm @ 17a, 10v | 5V @ 250 µA | 63 NC @ 10 V | ± 30V | 2557 pf @ 100 V | - | 227W (TC) | |||||||||
 | SI8405DB-T1-E3 | - | | 3189 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-XFBGA, CSPBGA | Si8405 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3.6a (TA) | 1.8V, 4.5V | 55mohm @ 1a, 4.5V | 950MV @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.47W (TA) | ||||||||
 | IRLZ24SPBF | 0.9455 | | 2634 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRLZ24 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 60 V | 17a (TC) | 4V, 5V | 100mohm @ 10a, 5V | 2V @ 250 µA | 18 NC @ 5 V | ± 10V | 870 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 60W (TC) | ||||||||
 | SQ1431EH-T1_GE3 | 0.6000 | | 35 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1431 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 3A (TC) | 4.5V, 10V | 175mohm @ 2a, 10v | 2V @ 250 µA | 6.5 NC @ 4.5 V | ± 20V | 205 pf @ 25 V | - | 3W (TC) | ||||||||
 | SIHB35N60E-GE3 | 6.4000 | | 229 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB35 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 32A (TC) | 10V | 94mohm @ 17a, 10v | 4V @ 250 µA | 132 NC @ 10 V | ± 30V | 2760 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||||
 | IRF630PBF-BE3 | 1.5300 | | 5671 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF630PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 400mohm @ 5.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||
| IRL630PBF-BE3 | 2.3500 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-girl630pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||||||
 | Siz340bdt-t1-ge3 | 0.7400 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-PowerWDFN | Siz340 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.7W (TA), 16.7W (TC), 4.2W (TA), 31W (TC) | 8-Power33 (3x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 16.9a (TA), 36a (TC), 25.3a (TA), 69.3a (TC) | 8.56mohm @ 10a, 10v, 4.31mohm @ 20a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 12.6nc @ 10V, 23.5nc @ 10V | 550pf @ 15V, 1065pf @ 15V | - | |||||||||
| IRL510PBF-BE3 | 1.3500 | | 388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRL510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-girl510pbf-be3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 6.1 NC @ 5 V | ± 10V | 250 pf @ 25 V | - | 43W (TC) | |||||||||
 | SQJ136ELP-T1_GE3 | 1.6800 | | 8946 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ136 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj136elp-t1_ge3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 350a (TC) | 1.12mohm @ 15a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 150 NC @ 10 V | ± 20V | 8015 pf @ 25 V | - | 500W (TC) | |||||||||
 | 2N4416A-2 | - | | 4254 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4416 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | N-canal | 4PF @ 15V | 35 V | 5 Ma @ 15 V | 2.5 v @ 1 na | |||||||||||||
| SI1424EDH-T1-BE3 | 0.4300 | | 2356 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1424 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 742-Si1424EDH-T1-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 4A (TA), 4A (TC) | 33mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 18 NC @ 8 V | ± 8V | - | 1.56W (TA), 2.8W (TC) |
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