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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Sud50n06-07L-Ge3 | - |  | 2117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 96a (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 144 NC @ 10 V | ± 20V | 5800 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||
 | SiHG17N60D-E3 | 2.4665 | | 3025 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg17 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 600 V | 17a (TC) | 10V | 340mohm @ 8a, 10v | 5V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 30V | 1780 pf @ 100 V | - | 277.8W (TC) | |||||
 | SI7792DP-T1-GE3 | - | | 6050 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7792 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 40.6a (TA), 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.1mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 135 NC @ 10 V | ± 20V | 4735 pf @ 15 V | Diodo Schottky (Cuerpo) | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
| SUG90090E-GE3 | 4.3900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Thunderfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SUG90090 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 200 V | 100A (TC) | 7.5V, 10V | 9.5mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 129 NC @ 10 V | ± 20V | 5220 pf @ 100 V | - | 395W (TC) | |||||
 | SI7102DN-T1-GE3 | - | | 4332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7102 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 12 V | 35A (TC) | 2.5V, 4.5V | 3.8mohm @ 15a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 110 NC @ 8 V | ± 8V | 3720 pf @ 6 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
 | SI1070X-T1-GE3 | 0.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | SI1070 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89 (SOT-563F) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.2a (TA) | 2.5V, 4.5V | 99mohm @ 1.2a, 4.5V | 1.55V @ 250 µA | 8.3 NC @ 5 V | ± 12V | 385 pf @ 15 V | - | 236MW (TA) | ||||
 | IRL630Strlpbf | 1.5619 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL630 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 9A (TC) | 4V, 5V | 400mohm @ 5.4a, 5V | 2V @ 250 µA | 40 NC @ 10 V | ± 10V | 1100 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 74W (TC) | |||||
 | SIHP24N65E-E3 | 5.7000 | | 9372 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP24 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SiHP24N65EE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 24a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 30V | 2740 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||
 | Sum90p10-19L-E3 | 4.5100 | | 9117 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum90 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 326 NC @ 10 V | ± 20V | 11100 pf @ 50 V | - | 13.6W (TA), 375W (TC) | |||||
| Sir165DP-T1-GE3 | 1.6400 | | 764 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir165 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 4.6mohm @ 15a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 138 NC @ 10 V | ± 20V | 4930 pf @ 15 V | - | 69.4W (TC) | |||||
| Sir104ldp-T1-RE3 | 1.7200 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir104 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 18.8a (TA), 81a (TC) | 4.5V, 10V | 6.1mohm @ 15a, 10v | 3V @ 250 µA | 110 NC @ 10 V | ± 20V | 4870 pf @ 50 V | - | 5.4W (TA), 100W (TC) | |||||
 | SQJ150EP-T1_GE3 | 0.8500 | | 3015 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ150 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJ150EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 66a (TC) | 10V | 8.4mohm @ 15a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 1274 pf @ 25 V | - | 65W (TC) | ||||
| Sir800Adp-T1-GE3 | 1.5500 | | 275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50.2a (TA), 177A (TC) | 2.5V, 10V | 1.35mohm @ 10a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | +12V, -8V | 3415 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 62.5W (TC) | |||||
| SIHB33N60EF-GE3 | 6.5000 | | 734 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB33 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 33A (TC) | 10V | 98mohm @ 16.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 30V | 3454 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
 | Si4636dy-t1-e3 | - | | 9388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4636 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 17a (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 16V | 2635 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 4.4W (TC) | ||||
| IRF740APBF-BE3 | 2.7800 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF740APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 30V | 1030 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | |||||
 | SQJ461EP-T1_GE3 | 2.9100 | | 8209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqj461 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 16mohm @ 14.4a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 20V | 4710 pf @ 30 V | - | 83W (TC) | |||||
| Si4456dy-t1-ge3 | 1.2758 | | 5606 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4456 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 33A (TC) | 4.5V, 10V | 3.8mohm @ 20a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 122 NC @ 10 V | ± 20V | 5670 pf @ 20 V | - | 3.5W (TA), 7.8W (TC) | |||||
| Sq4153ey-t1_be3 | 1.6500 | | 485 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4153 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 12 V | 25A (TC) | 1.8V, 4.5V | 8.32mohm @ 14a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 151 NC @ 4.5 V | ± 8V | 11000 pf @ 6 V | - | 7.1W (TC) | ||||||
 | SQJ488EP-T2_GE3 | 1.3300 | | 6170 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJ488EP-T2_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 42a (TC) | 4.5V, 10V | 21mohm @ 7.1a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 27 NC @ 10 V | ± 20V | 978 pf @ 50 V | - | 83W (TC) | ||||||
| SIHB15N65E-GE3 | 1.8963 | | 2429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB15 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
 | SQ1470AEH-T1_GE3 | 0.6000 | | 272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Sq1470 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.7a (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 450 pf @ 15 V | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SQJA81EP-T1_GE3 | 2.2400 | | 8879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja81 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA81EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 17.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
| Siss78ldn-t1-ge3 | 1.3300 | | 8064 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Siss78 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SISS78LDN-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 70 V | 19.4a (TA), 66.7a (TC) | 4.5V, 10V | 5.8mohm @ 10a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 50 NC @ 10 V | ± 20V | 2280 pf @ 35 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | ||||
| Si4866dy-t1-ge3 | 2.2000 | | 7703 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 11a (TA) | 2.5V, 4.5V | 5.5mohm @ 17a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 30 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.6w (TA) | ||||||
 | SiJH440E-T1-GE3 | 1.2191 | | 6305 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | SiJH440 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 200a (TC) | 4.5V, 10V | 0.96mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 195 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 20330 pf @ 20 V | - | 158W (TC) | |||||
 | SIS903DN-T1-GE3 | 0.9800 | | 2476 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | SIS903 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.6W (TA), 23W (TC) | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 6a (TC) | 20.1mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 42NC @ 10V | 2565pf @ 10V | - | |||||||
 | SQ2308CES-T1_BE3 | 0.6700 | | 103 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2308 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | - | 1 (ilimitado) | 742-sq2308ces-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 2.3a (TC) | 4.5V, 10V | 150mohm @ 2.3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.3 NC @ 10 V | ± 20V | 205 pf @ 30 V | - | 2W (TC) | |||||
| Si4866bdy-t1-ge3 | - | | 7295 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4866 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 12 V | 21.5a (TC) | 1.8V, 4.5V | 5.3mohm @ 12a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 80 NC @ 4.5 V | ± 8V | 5020 pf @ 6 V | - | 2.5W (TA), 4.45W (TC) | |||||
| Si444447dy-t1-e3 | 0.8300 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4447 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 3.3a (TA) | 15V, 10V | 72mohm @ 4.5a, 15V | 2.2V @ 250 µA | 14 NC @ 4.5 V | ± 16V | 805 pf @ 20 V | - | 1.1W (TA) |
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