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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IRF830APBF-BE3 | 1.5700 |  | 973 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF830APBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||
 | SI5920DC-T1-E3 | - | | 8082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | SI5920 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.12W | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 8V | 4A | 32mohm @ 6.8a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 12NC @ 5V | 680pf @ 4V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SIA467EDJ-T1-GE3 | - | | 9770 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA467 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 Single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 31a (TC) | 1.8V, 4.5V | 13mohm @ 5a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 72 NC @ 8 V | ± 8V | 2520 pf @ 6 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
 | IRL620STRLPBF | 2.0300 | | 130 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRL620 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 200 V | 5.2a (TC) | 4V, 10V | 800mohm @ 3.1a, 10V | 2V @ 250 µA | 16 NC @ 5 V | ± 10V | 360 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SI3879DV-T1-E3 | - | | 9160 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3879 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5A (TC) | 2.5V, 4.5V | 70mohm @ 3.5a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 14.5 NC @ 10 V | ± 12V | 480 pf @ 10 V | - | 2W (TA), 3.3W (TC) | ||||
 | SI7898DP-T1-GE3 | 2.2300 | | 23 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7898 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 150 V | 3a (TA) | 6V, 10V | 85mohm @ 3.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 21 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.9W (TA) | ||||||
 | SiHFR9120-GE3 | 0.7500 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihfr9120 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 100 V | 5.6a (TC) | 10V | 600mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||
| SIHD186N60EF-GE3 | 3.0900 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD186 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 201MOHM @ 9.5A, 10V | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1118 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SI7901EDN-T1-E3 | - | | 9765 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.3w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 4.3a | 48mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 800 µA | 18NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
 | SI1413DH-T1-GE3 | - | | 3621 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1413 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 115mohm @ 2.9a, 4.5V | 800mV @ 100 µA | 8.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1W (TA) | |||||
| SIRA26DP-T1-RE3 | 0.7300 | | 1009 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira26 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 2.65mohm @ 15a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 44 NC @ 10 V | +16V, -12V | 2247 pf @ 10 V | - | 43.1W (TC) | |||||
| SI7380AdP-T1-GE3 | - | | 9647 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7380 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 6,000 | N-canal | 30 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 20a, 10v | 1.6V @ 250 µA | 185 NC @ 10 V | ± 12V | 7785 pf @ 15 V | - | 5.4W (TA), 83W (TC) | ||||
 | SIHP38N60EF-GE3 | 4.3943 | | 1379 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SiHP38 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 600 V | 40A (TC) | 10V | 70mohm @ 23.5a, 10v | 4V @ 250 µA | 189 NC @ 10 V | ± 30V | 3576 pf @ 100 V | - | 313W (TC) | |||||
| SI7884BDP-T1-E3 | 2.9200 | | 4517 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7884 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 58a (TC) | 4.5V, 10V | 7.5mohm @ 16a, 10v | 3V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3540 pf @ 20 V | - | 4.6W (TA), 46W (TC) | |||||
 | Sq4483ey-t1_be3 | 1.5100 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4483 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 30A (TC) | 4.5V, 10V | 8.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 113 NC @ 10 V | ± 20V | 4500 pf @ 15 V | - | 7W (TC) | |||||
 | Sish110dn-t1-ge3 | 0.6284 | | 6787 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen II | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish110 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 13.5a (TA) | 4.5V, 10V | 5.3mohm @ 21.1a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
| SI4090BDY-T1-GE3 | 1.4900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 12.2a (TA), 18.7a (TC) | 6V, 10V | 10mohm @ 12.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 3570 pf @ 50 V | - | 3.1W (TA), 7.4W (TC) | ||||||
| SIA430DJT-T4-GE3 | 0.1781 | | 2613 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA430 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 12a (TA), 12a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 7a, 10v | 3V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19.2W (TC) | |||||
 | Sihu5n80ae-ge3 | 1.1900 | | 5530 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | Sihu5 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-Sihu5n80ae-Ge3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 30V | 321 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||
 | SQM40P10-40L_GE3 | 2.6100 | | 6137 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm40 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 100 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 40mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 134 NC @ 10 V | ± 20V | 5295 pf @ 25 V | - | 150W (TC) | ||||||
| SIHB15N65E-GE3 | 1.8963 | | 2429 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHB15 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 15A (TC) | 10V | 280mohm @ 8a, 10v | 4V @ 250 µA | 96 NC @ 10 V | ± 30V | 1640 pf @ 100 V | - | 34W (TC) | ||||||
| SQ1470AEH-T1_GE3 | 0.6000 | | 272 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Sq1470 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 1.7a (TC) | 2.5V, 4.5V | 65mohm @ 4.2a, 4.5V | 1.6V @ 250 µA | 5.2 NC @ 4.5 V | ± 12V | 450 pf @ 15 V | - | 3.3W (TC) | |||||
| SUM45N25-58-E3 | 4.4900 | | 3191 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum45 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 250 V | 45a (TC) | 6V, 10V | 58mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 140 NC @ 10 V | ± 30V | 5000 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | |||||
 | SQJA81EP-T1_GE3 | 2.2400 | | 8879 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sqja81 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJA81EP-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 80 V | 46a (TC) | 4.5V, 10V | 17.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 20V | 5900 pf @ 25 V | - | 68W (TC) | |||||
 | IRLI530G | - | | 6840 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | IRLI530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRLI530G | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 100 V | 9.7a (TC) | 4V, 5V | 160mohm @ 5.8a, 5V | 2V @ 250 µA | 28 NC @ 5 V | ± 10V | 930 pf @ 25 V | - | 42W (TC) | |||
 | SI6435AdQ-T1-E3 | - | | 1288 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Cinta de Corte (CT) | Obsoleto | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6435 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.7a (TA) | 30mohm @ 5.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 5 V | - | |||||||||
 | SIDR626EP-T1-RE3 | 3.3300 | | 50 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8DC | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 50.8a (TA), 227a (TC) | 7.5V, 10V | 1.74mohm @ 20a, 10v | 4V @ 250 µA | 102 NC @ 10 V | ± 20V | 5130 pf @ 30 V | - | 7.5W (TA), 150W (TC) | ||||||
 | SiJ482DP-T1-GE3 | 1.8000 | | 1441 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SiJ482 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 6.2mohm @ 20a, 10v | 2.7V @ 250 µA | 71 NC @ 10 V | ± 20V | 2425 pf @ 40 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | |||||
 | SQUN702E-T1_GE3 | 3.6300 | | 1826 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Morir | Squn702 | Mosfet (Óxido de metal) | 48W (TC), 60W (TC) | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N Y Canal P, Drenaje Común | 40V, 200V | 30A (TC), 20A (TC) | 9.2mohm @ 9.8a, 10v, 60mohm @ 5a, 10v, 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA, 3.5V @ 250 µA | 23nc @ 20V, 14nc @ 20V, 30.2nc @ 100V | 1474pf @ 20V, 1450pf @ 20V, 1302pf @ 100V | - | |||||||
| SI1406DH-T1-GE3 | - | | 5870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | Si1406 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 3.1a (TA) | 1.8V, 4.5V | 65mohm @ 3.9a, 4.5V | 1.2V @ 250 µA | 7.5 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1W (TA) |
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