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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQM85N15-19_GE3 | 3.6400 |  | 2289 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM85 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 150 V | 85A (TC) | 10V | 19mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 120 NC @ 10 V | ± 20V | 6285 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
 | Irfd113pbf | 2.1700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | Irfd113 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 100 | N-canal | 60 V | 800 mA (TC) | 10V | 800mohm @ 800 mA, 10V | 4V @ 250 µA | 7 NC @ 10 V | ± 20V | 200 pf @ 25 V | - | 1W (TC) | |||||
 | Irf9530pbf-be3 | 1.8100 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRF9530PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 100 V | 12a (TC) | 300mohm @ 7.2a, 10V | 4V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 860 pf @ 25 V | - | 88W (TC) | ||||||
 | SI7155DP-T1-GE3 | 2.0900 | | 5042 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen III | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7155 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 31a (TA), 100a (TC) | 4.5V, 10V | 3.6mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 330 NC @ 10 V | ± 20V | 12900 pf @ 20 V | - | 6.25W (TA), 104W (TC) | |||||
 | IRFR320TR | - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR320 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 400 V | 3.1a (TC) | 10V | 1.8ohm @ 1.9a, 10v | 4V @ 250 µA | 20 NC @ 10 V | ± 20V | 350 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | ||||
 | Si4904dy-t1-ge3 | 2.2300 | | 8 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4904 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.25W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 8A | 16mohm @ 5a, 10v | 2V @ 250 µA | 85nc @ 10V | 2390pf @ 20V | - | |||||||
 | SQS164ELNW-T1_GE3 | 0.9000 | | 2628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Monte de superficie, Flanco Humectable | Powerpak® 1212-8SLW | Sqs164 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SLW | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 82a (TC) | 4.5V, 10V | 7.4mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | ± 20V | 2159 pf @ 25 V | - | 104W (TC) | |||||
| Si4276dy-t1-e3 | - | | 9791 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4276 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.6w, 2.8w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 15.3mohm @ 9.5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 26nc @ 10V | 1000pf @ 15V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
 | SQJQ150E-T1_GE3 | 2.2200 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ150E-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 40 V | 233A (TC) | 10V | 1.9mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 92 NC @ 10 V | ± 20V | 4643 pf @ 25 V | - | 187W (TC) | |||||
 | SQJQ906EL-T1_GE3 | 2.6600 | | 9691 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | SQJQ906 | Mosfet (Óxido de metal) | 187W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 160A (TC) | 4.3mohm @ 5a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 45nc @ 10V | 3238pf @ 20V | - | |||||||
 | SI2323DS-T1-BE3 | 0.7400 | | 1377 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 39mohm @ 4.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 19 NC @ 4.5 V | ± 8V | 1020 pf @ 10 V | - | 750MW (TA) | |||||||
 | SQ1421EDH-T1_GE3 | 0.5300 | | 6 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | SQ1421 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 60 V | 1.6a (TC) | 4.5V, 10V | 290mohm @ 2a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 5.4 NC @ 4.5 V | ± 20V | 355 pf @ 25 V | - | 3.3W (TC) | |||||
 | SIRA24DP-T1-GE3 | 0.8700 | | 219 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira24 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 60A (TC) | 4.5V, 10V | 1.4mohm @ 15a, 10v | 2.1V @ 250 µA | 26 NC @ 4.5 V | +20V, -16V | 2650 pf @ 10 V | - | 62.5W (TC) | |||||
| SQ4840CEY-T1_GE3 | 1.3100 | | 2986 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQ4840CEY-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 40 V | 20.7a (TC) | 4.5V, 10V | 9mohm @ 14a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 68 NC @ 10 V | ± 20V | 2550 pf @ 20 V | - | 7.1W (TC) | ||||||
 | IRFPC50APBF | 4.2200 | | 5 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | IRFPC50 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFPC50APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 11a (TC) | 10V | 580mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 30V | 2100 pf @ 25 V | - | 180W (TC) | ||||
| SiHG25N40D-GE3 | 3.7000 | | 220 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | Sihg25 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 400 V | 25A (TC) | 10V | 170mohm @ 13a, 10v | 5V @ 250 µA | 88 NC @ 10 V | ± 30V | 1707 pf @ 100 V | - | 278W (TC) | |||||
| SI2315BDS-T1-BE3 | 0.5400 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 50mohm @ 3.85a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 15 NC @ 4.5 V | ± 8V | 715 pf @ 6 V | - | 750MW (TA) | |||||||
| SiHG22N60AEL-GE3 | 4.2400 | | 49 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | El | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-247-3 | SiHG22 | Mosfet (Óxido de metal) | To47ac | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 25 | N-canal | 600 V | 21a (TC) | 10V | 180mohm @ 11a, 10v | 4V @ 250 µA | 82 NC @ 10 V | ± 30V | 1757 pf @ 100 V | - | 208W (TC) | |||||
| Sir844dp-t1-ge3 | - | | 6675 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir844 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 2.8mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 90 NC @ 10 V | ± 20V | 3215 pf @ 10 V | - | 5W (TA), 50W (TC) | |||||
 | SQS486CENW-T1_GE3 | 0.9700 | | 2980 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8W | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8W | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 18a (TC) | 4.5V, 10V | 5.1mohm @ 10a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 53 NC @ 10 V | ± 20V | 2950 pf @ 25 V | - | 62.5W (TC) | ||||||
 | SiHH186N60EF-T1GE3 | 5.0300 | | 17 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | EF | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 16a (TC) | 10V | 193mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1081 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
| SQJQ904E-T1_GE3 | 3.0300 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq904 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 100A (TC) | 3.4mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 75nc @ 10V | 5900pf @ 20V | - | |||||||
| SUM110N04-2M3L-E3 | - | | 2246 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sum110 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 40 V | 110A (TC) | 4.5V, 10V | 2.3mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 360 NC @ 10 V | ± 20V | 13600 pf @ 25 V | - | 3.75W (TA), 375W (TC) | ||||
| SQ4431EY-T1_BE3 | 1.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | SQ4431 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 30 V | 10.8a (TC) | 4.5V, 10V | 30mohm @ 6a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 25 NC @ 10 V | ± 20V | 1265 pf @ 15 V | - | 6W (TC) | ||||||
 | IRF740LCPBF | 3.0300 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF740 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRF740LCPBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 10a (TC) | 10V | 550mohm @ 6a, 10v | 4V @ 250 µA | 39 NC @ 10 V | ± 30V | 1100 pf @ 25 V | - | 125W (TC) | ||||
 | SI8487DB-T1-E1 | 0.6900 | | 3066 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-UFBGA | Si8487 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-microfoot | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 4.9a (TA) | 2.5V, 10V | 31mohm @ 2a, 10v | 1.2V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 12V | 2240 pf @ 15 V | - | 1.1W (TA), 2.7W (TC) | ||||
 | SQD45N05-20L-GE3 | - | | 7082 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd45 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 50 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 1800 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 75W (TC) | |||||
 | SIA431DJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 22 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 | SIA431 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 12a (TC) | 1.5V, 4.5V | 25mohm @ 6.5a, 4.5V | 850MV @ 250 µA | 60 NC @ 8 V | ± 8V | 1700 pf @ 10 V | - | 3.5W (TA), 19W (TC) | |||||
| IRF9520 | - | | 6808 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF9520 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF9520 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 6.8a (TC) | 10V | 600mohm @ 4.1a, 10V | 4V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 20V | 390 pf @ 25 V | - | 60W (TC) | |||
 | Si2302Ads-t1 | - | | 7388 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SI2302 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 2.1a (TA) | 2.5V, 4.5V | 60mohm @ 3.6a, 4.5V | 1.2V @ 50 µA | 10 NC @ 4.5 V | ± 8V | 300 pf @ 10 V | - | 700MW (TA) |
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