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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SQJQ900E-T1_GE3 | 1.2246 |  | 3428 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 dual | Sqjq900 | Mosfet (Óxido de metal) | 75W | Powerpak® 8 x 8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | 2 Canal N (Dual) | 40V | 100A (TC) | 3.9mohm @ 20a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 120NC @ 10V | 5900pf @ 20V | - | ||||||||||
 | SQ2319ADS-T1_GE3 | 0.6900 | | 3532 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2319 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 40 V | 4.6a (TC) | 4.5V, 10V | 75mohm @ 3a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 620 pf @ 20 V | - | 2.5W (TC) | ||||||||
 | Sir878Adp-T1-GE3 | - | | 1080 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir878 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 15a, 10v | 2.8V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 20V | 1275 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 44.5W (TC) | ||||||||
 | SQR97N06-6M3L_GE3 | 1.5700 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotriz, AEC-Q101 | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqr97 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 60 V | 97a (TC) | 4.5V, 10V | 6.3mohm @ 25A, 10V | 2.5V @ 250 µA | 125 NC @ 10 V | ± 20V | 6060 pf @ 25 V | - | 136W (TC) | ||||||||
 | IRFR224TRPBF-BE3 | 0.7088 | | 8112 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR224 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 742-IRFR224TRPBF-BE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 250 V | 3.8a (TC) | 10V | 1.1ohm @ 2.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 14 NC @ 10 V | ± 20V | 260 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 42W (TC) | |||||||||
 | SUP40N10-30-GE3 | - | | 6307 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP40 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 500 | N-canal | 100 V | 38.5A (TC) | 6V, 10V | 30mohm @ 15a, 10v | 4V @ 250 µA | 60 NC @ 10 V | ± 20V | 2400 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 89W (TC) | |||||||
 | SI5476DU-T1-GE3 | 1.3200 | | 664 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® chipfet ™ single | Si5476 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® chipfet ™ single | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 12a (TC) | 4.5V, 10V | 34mohm @ 4.6a, 10V | 3V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1100 pf @ 30 V | - | 3.1W (TA), 31W (TC) | ||||||||
| SIRA74DP-T1-GE3 | 1.0100 | | 340 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sira74 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SIRA74DP-T1-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 24a (TA), 81.2a (TC) | 4.5V, 10V | 4.2mohm @ 10a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 41 NC @ 10 V | +20V, -16V | 2000 pf @ 20 V | - | 4.1W (TA), 46.2W (TC) | |||||||
 | SI7905DN-T1-E3 | - | | 1156 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 dual | Si7905 | Mosfet (Óxido de metal) | 20.8w | Powerpak® 1212-8 dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 40V | 6A | 60mohm @ 5a, 10v | 3V @ 250 µA | 30NC @ 10V | 880pf @ 20V | - | ||||||||||
 | SIS488DN-T1-GE3 | 0.9700 | | 1255 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | SIS488 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 40A (TC) | 4.5V, 10V | 5.5mohm @ 20a, 10v | 2.2V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 20V | 1330 pf @ 20 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | ||||||||
 | SI7842DP-T1-GE3 | - | | 7603 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Si7842 | Mosfet (Óxido de metal) | 1.4w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 6.3a | 22mohm @ 7.5a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 20NC @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| Irc530pbf | - | | 8346 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Hexfet® | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-5 | IRC530 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irc530pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 14a (TC) | 10V | 160mohm @ 8.4a, 10v | 4V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 20V | 700 pf @ 25 V | Detección real | 88W (TC) | ||||||
| SI2324DS-T1-GE3 | 0.6400 | | 55 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Si2324 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 2.3a (TC) | 10V | 234mohm @ 1.5a, 10V | 2.9V @ 250 µA | 10.4 NC @ 10 V | ± 20V | 190 pf @ 50 V | - | 1.25W (TA), 2.5W (TC) | |||||||
 | SiHFR430ATRR-GE3 | 0.4263 | | 2810 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHFR430 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHFR430ATRR-GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.7ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 490 pf @ 25 V | - | 110W (TC) | |||||||
 | SI6966DQ-T1-E3 | - | | 2975 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6966 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 20V | 4A | 30mohm @ 4.5a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 20NC @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
 | SIA910EDJ-T1-GE3 | 0.5900 | | 24 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SC-70-6 Dual | SIA910 | Mosfet (Óxido de metal) | 7.8w | Powerpak® SC-70-6 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal N (Dual) | 12V | 4.5a | 28mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 16NC @ 8V | 455pf @ 6V | Puerta de Nivel Lógico | ||||||||||
 | IRFR014TRR | - | | 7077 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR014 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 7.7a (TC) | 10V | 200mohm @ 4.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 11 NC @ 10 V | ± 20V | 300 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | |||||||
 | Irfi630g | - | | 1939 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi630 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi630g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 200 V | 5.9a (TC) | 10V | 400mohm @ 3.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 43 NC @ 10 V | ± 20V | 800 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||||
 | SiHFS11N50A-GE3 | 1.0490 | | 2748 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SiHFS11 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 11a (TC) | 10V | 520mohm @ 6.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 52 NC @ 10 V | ± 30V | 1423 pf @ 25 V | - | 170W (TC) | |||||||||
 | Sqj422ep-t1_be3 | 1.7200 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | SQJ422 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-sqj422ep-t1_be3tr | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 75A (TC) | 3.4mohm @ 18a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 100 NC @ 10 V | ± 20V | 4660 pf @ 20 V | - | 83W (TC) | |||||||||
 | SI5445BDC-T1-GE3 | - | | 1786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5445 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 8 V | 5.2a (TA) | 1.8V, 4.5V | 33mohm @ 5.2a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 21 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.3W (TA) | ||||||||
 | SI3867DV-T1-E3 | - | | 9705 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3867 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 3.9a (TA) | 2.5V, 4.5V | 51mohm @ 5.1a, 4.5V | 1.4V @ 250 µA | 11 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 1.1W (TA) | ||||||||
 | SiHFPS40N50L-GE3 | 7.6600 | | 935 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 274AA | Mosfet (Óxido de metal) | Super-247 ™ (TO74AA) | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHFPS40N50L-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 30 | N-canal | 500 V | 46a (TC) | 10V | 100mohm @ 28a, 10v | 5V @ 250 µA | 380 NC @ 10 V | ± 30V | 8110 pf @ 25 V | - | 540W (TC) | ||||||||
| 2N5116JTX02 | - | | 3942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 2N5116 | TO-206AA (A 18) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 20 | - | - | |||||||||||||||||
 | SUM70030M-GE3 | 3.5300 | | 3959 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-7, d²pak (6 cables + Pestaña) | SUM70030 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 263-7 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 150A (TC) | 3.5mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 214 NC @ 10 V | ± 20V | 10870 pf @ 50 V | - | 375W (TC) | ||||||||||
 | SQM120N10-09_GE3 | 1.9557 | | 8404 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | Sqm120 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 100 V | 120a (TC) | 10V | 9.5mohm @ 30a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 180 NC @ 10 V | ± 20V | 8645 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||||||
| Irfz34strl | - | | 6769 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRFZ34 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | N-canal | 60 V | 30A (TC) | 10V | 50mohm @ 18a, 10v | 4V @ 250 µA | 46 NC @ 10 V | ± 20V | 1200 pf @ 25 V | - | 3.7W (TA), 88W (TC) | |||||||
 | Si4544dy-t1-e3 | - | | 1331 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4544 | Mosfet (Óxido de metal) | 2.4w | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N Y Canal P, Drenaje Común | 30V | - | 35mohm @ 6.5a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 35nc @ 10V | - | Puerta de Nivel Lógico | |||||||||
| SI4190BDY-T1-GE3 | 2.1600 | | 9018 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4190 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 12a (TA), 17a (TC) | 4.5V, 10V | 9.3mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 95 NC @ 10 V | ± 20V | 4150 pf @ 50 V | - | 3.8W (TA), 8.4W (TC) | ||||||||
 | 2N4119A | - | | 3870 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AF, TO-72-4 METAL CAN | 2N4119 | 300 MW | TO-206AF (TO-72) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 200 | N-canal | 3pf @ 10V | 40 V | 200 µA @ 10 V | 2 V @ 1 Na |
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