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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | SQ2362ES-T1_GE3 | 0.6700 | ![]() | 4518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | SQ2362 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 4.3a (TC) | 10V | 95mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 550 pf @ 30 V | - | 3W (TC) | |||||
![]() | Si4166dy-t1-ge3 | 1.4600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4166 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 30 V | 30.5A (TC) | 4.5V, 10V | 3.9mohm @ 15a, 10v | 2.4V @ 250 µA | 65 NC @ 10 V | ± 20V | 2730 pf @ 15 V | - | 3W (TA), 6.5W (TC) | |||||
![]() | Siha25n50e-ge3 | 3.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 26a (TC) | 10V | 145mohm @ 12a, 10v | 4V @ 250 µA | 86 NC @ 10 V | ± 30V | 1980 pf @ 100 V | - | 35W (TC) | |||||||
Sqj941ep-t1-ge3 | - | ![]() | 3716 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 Dual | Sqj941 | Mosfet (Óxido de metal) | 55w | Powerpak® SO-8 Dual | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 30V | 8A | 24mohm @ 9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 55nc @ 10V | 1800pf @ 10V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | SI5402DC-T1-GE3 | - | ![]() | 7014 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5402 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 4.9a (TA) | 4.5V, 10V | 35mohm @ 4.9a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 20 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.3W (TA) | |||||
![]() | SI6415DQ-T1-GE3 | 1.8600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | Si6415 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 6.4a (TA) | 4.5V, 10V | 19mohm @ 6.5a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 70 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
![]() | IRL3502L | - | ![]() | 7954 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Descontinuado en sic | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRL3502 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRL3502L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 20 V | 110A (TC) | 4.5V, 7V | 7mohm @ 64a, 7v | 700mV @ 250 µA (min) | 110 NC @ 4.5 V | ± 10V | 4700 pf @ 15 V | - | 140W (TC) | |||
SUP53P06-20-E3 | 2.9100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Sup53 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | SUP53P0620E3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | Canal P | 60 V | 9.2a (TA), 53A (TC) | 4.5V, 10V | 19.5mohm @ 30a, 10v | 3V @ 250 µA | 115 NC @ 10 V | ± 20V | 3500 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 104.2W (TC) | |||||
![]() | IRF710S | - | ![]() | 9972 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF710 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF710S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 2a (TC) | 10V | 3.6ohm @ 1.2a, 10v | 4V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 20V | 170 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||
![]() | SI3983DV-T1-GE3 | - | ![]() | 7633 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3983 | Mosfet (Óxido de metal) | 830MW | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 2 Canal P (Dual) | 20V | 2.1a | 110mohm @ 2.5a, 4.5V | 1.1V @ 250 µA | 7.5nc @ 4.5V | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
![]() | Irfd123pbf | 1.3900 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Una granela | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | IRFD123 | Mosfet (Óxido de metal) | 4-hvmdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfd123pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 100 V | 1.3a (TA) | 10V | 270MOHM @ 780MA, 10V | 4V @ 250 µA | 16 NC @ 10 V | ± 20V | 360 pf @ 25 V | - | 1.3W (TA) | ||||
![]() | SI4228DY-T1-E3 | - | ![]() | 3738 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4228 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 25V | 8A | 18mohm @ 7a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 25nc @ 10V | 790pf @ 12.5V | Puerta de Nivel Lógico | |||||||
![]() | SI7196DP-T1-E3 | - | ![]() | 7628 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | WFET® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7196 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 11mohm @ 12a, 10v | 3V @ 250 µA | 38 NC @ 10 V | ± 20V | 1577 pf @ 15 V | - | 5W (TA), 41.6W (TC) | ||||
![]() | Irfi9540g | - | ![]() | 6470 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfi9540 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irfi9540g | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | Canal P | 100 V | 11a (TC) | 10V | 200mohm @ 6.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 61 NC @ 10 V | ± 20V | 1400 pf @ 25 V | - | 48W (TC) | |||
![]() | Sish617dn-t1-ge3 | 0.9600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8SH | Sish617 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8SH | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 13.9A (TA), 35A (TC) | 4.5V, 10V | 12.3mohm @ 13.9a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 59 NC @ 10 V | ± 25V | 1800 pf @ 15 V | - | 3.7W (TA), 52W (TC) | |||||
![]() | SUP50010E-GE3 | 3.3600 | ![]() | 297 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SUP50010 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 60 V | 150A (TC) | 7.5V, 10V | 2mohm @ 30a, 10v | 4V @ 250 µA | 212 NC @ 10 V | ± 20V | 10895 pf @ 30 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SiHP6N40D-BE3 | 1.1400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 400 V | 6a (TC) | 10V | 1ohm @ 3a, 10v | 5V @ 250 µA | 18 NC @ 10 V | ± 30V | 311 pf @ 100 V | - | 104W (TC) | |||||||
![]() | SISS23DN-T1-GE3 | 0.8600 | ![]() | 9786 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8s | SISS23 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8s | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 50A (TC) | 1.8V, 4.5V | 4.5mohm @ 20a, 4.5V | 900MV @ 250 µA | 300 NC @ 10 V | ± 8V | 8840 pf @ 15 V | - | 4.8W (TA), 57W (TC) | |||||
![]() | SIRS4400DP-T1-RE3 | 4.2200 | ![]() | 5057 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 40 V | 77a (TA), 440A (TC) | 4.5V, 10V | 0.69mohm @ 20a, 10v | 2.3V @ 250 µA | 295 NC @ 10 V | ± 20V | 13730 pf @ 20 V | - | 7.4W (TA), 240W (TC) | ||||||
SIHP12N50C-E3 | 2.4696 | ![]() | 6152 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | SIHP12 | Mosfet (Óxido de metal) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 12a (TC) | 10V | 555mohm @ 4a, 10v | 5V @ 250 µA | 48 NC @ 10 V | ± 30V | 1375 pf @ 25 V | - | 208W (TC) | |||||||
![]() | SI8901EDB-T2-E1 | - | ![]() | 1912 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-Micro Foot®CSP | SI8901 | Mosfet (Óxido de metal) | 1W | 6-Micro Foot ™ (2.36x1.56) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | 2 Canal P (dual) Drenaje Común | 20V | 3.5a | - | 1V @ 350 µA | - | - | Puerta de Nivel Lógico | ||||||
IRF830A | - | ![]() | 2643 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF830 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | *IRF830A | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 500 V | 5A (TC) | 10V | 1.4ohm @ 3a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 30V | 620 pf @ 25 V | - | 74W (TC) | |||||
![]() | SQM40031EL_GE3 | 2.9200 | ![]() | 8142 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | SQM40031 | Mosfet (Óxido de metal) | TO-263 (d²pak) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | Canal P | 40 V | 120a (TC) | 4.5V, 10V | 3mohm @ 30a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 800 NC @ 10 V | ± 20V | 39000 pf @ 25 V | - | 375W (TC) | |||||
![]() | SiHD690N60E-GE3 | 1.6400 | ![]() | 7382 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sihd690 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHD690N60E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 6.4a (TC) | 10V | 700mohm @ 2a, 10v | 5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 30V | 347 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | ||||
![]() | SiHF074N65E-GE3 | 7.5700 | ![]() | 9394 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | To20-3 paqueto entero | Mosfet (Óxido de metal) | Paquete entero de 220 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SiHF074N65E-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 14a (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2904 pf @ 100 V | - | 39W (TC) | |||||
![]() | SIJ4106DP-T1-GE3 | 1.6900 | ![]() | 1999 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 100 V | 15.8a (TA), 59A (TC) | 7.5V, 10V | 8.3mohm @ 15a, 10v | 3.8V @ 250 µA | 64 NC @ 10 V | ± 20V | 3610 pf @ 50 V | - | 5W (TA), 69.4W (TC) | ||||||
![]() | SIE876DF-T1-GE3 | - | ![]() | 1238 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 10-polarpak® (l) | SIE876 | Mosfet (Óxido de metal) | 10-polarpak® (l) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 60 V | 60A (TC) | 10V | 6.1mohm @ 20a, 10v | 4.4V @ 250 µA | 77 NC @ 10 V | ± 20V | 3100 pf @ 30 V | - | 5.2W (TA), 125W (TC) | ||||
![]() | Sq4946aey-t1_be3 | - | ![]() | 7279 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Sq4946 | Mosfet (Óxido de metal) | 4W (TC) | 8-Soico | - | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 7a (TC) | 40mohm @ 4.5a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 18NC @ 10V | 750pf @ 25V | - | |||||||||
![]() | SIHP074N65E-GE3 | 7.6800 | ![]() | 9332 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 1,000 | N-canal | 650 V | 35A (TC) | 10V | 79mohm @ 15a, 10v | 5V @ 250 µA | 80 NC @ 10 V | ± 30V | 2904 pf @ 100 V | - | 250W (TC) | ||||||
![]() | IRFU420APBF | 1.5800 | ![]() | 4869 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA | IRFU420 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 251AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *IRFU420APBF | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 500 V | 3.3a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.5a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 17 NC @ 10 V | ± 30V | 340 pf @ 25 V | - | 83W (TC) |
Volumen de RFQ promedio diario
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