SIC
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Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Potencia - Max Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar Configuración Tipo de fet Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) Rds on (max) @ id, VGS VGS (th) (max) @ id Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS VGS (Max) Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS Caracterísstica de fet Disipacia de Potencia (Max)
SQ2362ES-T1_GE3 Vishay Siliconix SQ2362ES-T1_GE3 0.6700
RFQ
ECAD 4518 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie TO36-3, SC-59, SOT-23-3 SQ2362 Mosfet (Óxido de metal) SOT-23-3 (TO-236) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 4.3a (TC) 10V 95mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 20V 550 pf @ 30 V - 3W (TC)
SI4166DY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4166dy-t1-ge3 1.4600
RFQ
ECAD 4 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4166 Mosfet (Óxido de metal) 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 30 V 30.5A (TC) 4.5V, 10V 3.9mohm @ 15a, 10v 2.4V @ 250 µA 65 NC @ 10 V ± 20V 2730 pf @ 15 V - 3W (TA), 6.5W (TC)
SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix Siha25n50e-ge3 3.2000
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 26a (TC) 10V 145mohm @ 12a, 10v 4V @ 250 µA 86 NC @ 10 V ± 30V 1980 pf @ 100 V - 35W (TC)
SQJ941EP-T1-GE3 Vishay Siliconix Sqj941ep-t1-ge3 -
RFQ
ECAD 3716 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Dual Sqj941 Mosfet (Óxido de metal) 55w Powerpak® SO-8 Dual descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 30V 8A 24mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 250 µA 55nc @ 10V 1800pf @ 10V Puerta de Nivel Lógico
SI5402DC-T1-GE3 Vishay Siliconix SI5402DC-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7014 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SMD, Plomo Plano Si5402 Mosfet (Óxido de metal) 1206-8 Chipfet ™ descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 4.9a (TA) 4.5V, 10V 35mohm @ 4.9a, 10V 1V @ 250 µA (min) 20 NC @ 10 V ± 20V - 1.3W (TA)
SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix SI6415DQ-T1-GE3 1.8600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) Si6415 Mosfet (Óxido de metal) 8-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 6.4a (TA) 4.5V, 10V 19mohm @ 6.5a, 10v 1V @ 250 µA (min) 70 NC @ 10 V ± 20V - 1.5W (TA)
IRL3502L Vishay Siliconix IRL3502L -
RFQ
ECAD 7954 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Descontinuado en sic -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA IRL3502 Mosfet (Óxido de metal) Un 262-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRL3502L EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 20 V 110A (TC) 4.5V, 7V 7mohm @ 64a, 7v 700mV @ 250 µA (min) 110 NC @ 4.5 V ± 10V 4700 pf @ 15 V - 140W (TC)
SUP53P06-20-E3 Vishay Siliconix SUP53P06-20-E3 2.9100
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Sup53 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) SUP53P0620E3 EAR99 8541.29.0095 50 Canal P 60 V 9.2a (TA), 53A (TC) 4.5V, 10V 19.5mohm @ 30a, 10v 3V @ 250 µA 115 NC @ 10 V ± 20V 3500 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 104.2W (TC)
IRF710S Vishay Siliconix IRF710S -
RFQ
ECAD 9972 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab IRF710 Mosfet (Óxido de metal) D²pak (A 263) - Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *IRF710S EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 2a (TC) 10V 3.6ohm @ 1.2a, 10v 4V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 20V 170 pf @ 25 V - 3.1W (TA), 36W (TC)
SI3983DV-T1-GE3 Vishay Siliconix SI3983DV-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 7633 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 Si3983 Mosfet (Óxido de metal) 830MW 6-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.21.0095 3.000 2 Canal P (Dual) 20V 2.1a 110mohm @ 2.5a, 4.5V 1.1V @ 250 µA 7.5nc @ 4.5V - Puerta de Nivel Lógico
IRFD123PBF Vishay Siliconix Irfd123pbf 1.3900
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Vishay Siliconix - Una granela Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero 4-DIP (0.300 ", 7.62 mm) IRFD123 Mosfet (Óxido de metal) 4-hvmdip descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *Irfd123pbf EAR99 8541.29.0095 2.500 N-canal 100 V 1.3a (TA) 10V 270MOHM @ 780MA, 10V 4V @ 250 µA 16 NC @ 10 V ± 20V 360 pf @ 25 V - 1.3W (TA)
SI4228DY-T1-E3 Vishay Siliconix SI4228DY-T1-E3 -
RFQ
ECAD 3738 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Si4228 Mosfet (Óxido de metal) 3.1W 8-Soico descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 25V 8A 18mohm @ 7a, 10v 1.4V @ 250 µA 25nc @ 10V 790pf @ 12.5V Puerta de Nivel Lógico
SI7196DP-T1-E3 Vishay Siliconix SI7196DP-T1-E3 -
RFQ
ECAD 7628 0.00000000 Vishay Siliconix WFET® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Si7196 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 30 V 16a (TC) 4.5V, 10V 11mohm @ 12a, 10v 3V @ 250 µA 38 NC @ 10 V ± 20V 1577 pf @ 15 V - 5W (TA), 41.6W (TC)
IRFI9540G Vishay Siliconix Irfi9540g -
RFQ
ECAD 6470 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA Irfi9540 Mosfet (Óxido de metal) Un 220-3 descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado *Irfi9540g EAR99 8541.29.0095 1,000 Canal P 100 V 11a (TC) 10V 200mohm @ 6.6a, 10v 4V @ 250 µA 61 NC @ 10 V ± 20V 1400 pf @ 25 V - 48W (TC)
SISH617DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Sish617dn-t1-ge3 0.9600
RFQ
ECAD 11 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8SH Sish617 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8SH descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 30 V 13.9A (TA), 35A (TC) 4.5V, 10V 12.3mohm @ 13.9a, 10v 2.5V @ 250 µA 59 NC @ 10 V ± 25V 1800 pf @ 15 V - 3.7W (TA), 52W (TC)
SUP50010E-GE3 Vishay Siliconix SUP50010E-GE3 3.3600
RFQ
ECAD 297 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tubo Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SUP50010 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 60 V 150A (TC) 7.5V, 10V 2mohm @ 30a, 10v 4V @ 250 µA 212 NC @ 10 V ± 20V 10895 pf @ 30 V - 375W (TC)
SIHP6N40D-BE3 Vishay Siliconix SiHP6N40D-BE3 1.1400
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 50 N-canal 400 V 6a (TC) 10V 1ohm @ 3a, 10v 5V @ 250 µA 18 NC @ 10 V ± 30V 311 pf @ 100 V - 104W (TC)
SISS23DN-T1-GE3 Vishay Siliconix SISS23DN-T1-GE3 0.8600
RFQ
ECAD 9786 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® 1212-8s SISS23 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® 1212-8s descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 Canal P 20 V 50A (TC) 1.8V, 4.5V 4.5mohm @ 20a, 4.5V 900MV @ 250 µA 300 NC @ 10 V ± 8V 8840 pf @ 15 V - 4.8W (TA), 57W (TC)
SIRS4400DP-T1-RE3 Vishay Siliconix SIRS4400DP-T1-RE3 4.2200
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 40 V 77a (TA), 440A (TC) 4.5V, 10V 0.69mohm @ 20a, 10v 2.3V @ 250 µA 295 NC @ 10 V ± 20V 13730 pf @ 20 V - 7.4W (TA), 240W (TC)
SIHP12N50C-E3 Vishay Siliconix SIHP12N50C-E3 2.4696
RFQ
ECAD 6152 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 SIHP12 Mosfet (Óxido de metal) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 12a (TC) 10V 555mohm @ 4a, 10v 5V @ 250 µA 48 NC @ 10 V ± 30V 1375 pf @ 25 V - 208W (TC)
SI8901EDB-T2-E1 Vishay Siliconix SI8901EDB-T2-E1 -
RFQ
ECAD 1912 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 6-Micro Foot®CSP SI8901 Mosfet (Óxido de metal) 1W 6-Micro Foot ™ (2.36x1.56) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 2 Canal P (dual) Drenaje Común 20V 3.5a - 1V @ 350 µA - - Puerta de Nivel Lógico
IRF830A Vishay Siliconix IRF830A -
RFQ
ECAD 2643 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 IRF830 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) *IRF830A EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 500 V 5A (TC) 10V 1.4ohm @ 3a, 10v 4.5V @ 250 µA 24 NC @ 10 V ± 30V 620 pf @ 25 V - 74W (TC)
SQM40031EL_GE3 Vishay Siliconix SQM40031EL_GE3 2.9200
RFQ
ECAD 8142 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab SQM40031 Mosfet (Óxido de metal) TO-263 (d²pak) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 800 Canal P 40 V 120a (TC) 4.5V, 10V 3mohm @ 30a, 10v 2.5V @ 250 µA 800 NC @ 10 V ± 20V 39000 pf @ 25 V - 375W (TC)
SIHD690N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHD690N60E-GE3 1.6400
RFQ
ECAD 7382 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 Sihd690 Mosfet (Óxido de metal) Un 252AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHD690N60E-GE3 EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 600 V 6.4a (TC) 10V 700mohm @ 2a, 10v 5V @ 250 µA 12 NC @ 10 V ± 30V 347 pf @ 100 V - 62.5W (TC)
SIHF074N65E-GE3 Vishay Siliconix SiHF074N65E-GE3 7.5700
RFQ
ECAD 9394 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero To20-3 paqueto entero Mosfet (Óxido de metal) Paquete entero de 220 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) 742-SiHF074N65E-GE3 EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 14a (TC) 10V 79mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 30V 2904 pf @ 100 V - 39W (TC)
SIJ4106DP-T1-GE3 Vishay Siliconix SIJ4106DP-T1-GE3 1.6900
RFQ
ECAD 1999 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie Powerpak® SO-8 Mosfet (Óxido de metal) Powerpak® SO-8 descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 100 V 15.8a (TA), 59A (TC) 7.5V, 10V 8.3mohm @ 15a, 10v 3.8V @ 250 µA 64 NC @ 10 V ± 20V 3610 pf @ 50 V - 5W (TA), 69.4W (TC)
SIE876DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE876DF-T1-GE3 -
RFQ
ECAD 1238 0.00000000 Vishay Siliconix Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) Montaje en superficie 10-polarpak® (l) SIE876 Mosfet (Óxido de metal) 10-polarpak® (l) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8541.29.0095 3.000 N-canal 60 V 60A (TC) 10V 6.1mohm @ 20a, 10v 4.4V @ 250 µA 77 NC @ 10 V ± 20V 3100 pf @ 30 V - 5.2W (TA), 125W (TC)
SQ4946AEY-T1_BE3 Vishay Siliconix Sq4946aey-t1_be3 -
RFQ
ECAD 7279 0.00000000 Vishay Siliconix Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Tape & Reel (TR) Obsoleto -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) Sq4946 Mosfet (Óxido de metal) 4W (TC) 8-Soico - EAR99 8541.29.0095 2.500 2 Canal N (Dual) 60V 7a (TC) 40mohm @ 4.5a, 10V 2.5V @ 250 µA 18NC @ 10V 750pf @ 25V -
SIHP074N65E-GE3 Vishay Siliconix SIHP074N65E-GE3 7.6800
RFQ
ECAD 9332 0.00000000 Vishay Siliconix mi Tape & Reel (TR) Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero Un 220-3 Mosfet (Óxido de metal) Un 220b - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) EAR99 8541.29.0095 1,000 N-canal 650 V 35A (TC) 10V 79mohm @ 15a, 10v 5V @ 250 µA 80 NC @ 10 V ± 30V 2904 pf @ 100 V - 250W (TC)
IRFU420APBF Vishay Siliconix IRFU420APBF 1.5800
RFQ
ECAD 4869 0.00000000 Vishay Siliconix - Tubo Activo -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) A Través del Aguetero TO-251-3 dirige Cortos, IPAK, TO-251AA IRFU420 Mosfet (Óxido de metal) Un 251AA descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) *IRFU420APBF EAR99 8541.29.0095 75 N-canal 500 V 3.3a ​​(TC) 10V 3ohm @ 1.5a, 10v 4.5V @ 250 µA 17 NC @ 10 V ± 30V 340 pf @ 25 V - 83W (TC)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock