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Productos de semiconductoros discretos (5717)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | SIHD180N60E-GE3 | 2.8700 |  | 8016 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | SiHD180 | Mosfet (Óxido de metal) | D-Pak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 195mohm @ 9.5a, 10V | 5V @ 250 µA | 32 NC @ 10 V | ± 30V | 1080 pf @ 100 V | - | 156W (TC) | |||||
 | SI7423DN-T1-GE3 | 1.5900 | | 3 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7423 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 7.4a (TA) | 4.5V, 10V | 18mohm @ 11.7a, 10v | 3V @ 250 µA | 56 NC @ 10 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | ||||||
 | Irfibe30gpbf | 2.8200 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO20-3 PACK SOTURO, PESTARA AISLADA | Irfibe30 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irfibe30gpbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 800 V | 2.1a (TC) | 10V | 3ohm @ 1.3a, 10v | 4V @ 250 µA | 78 NC @ 10 V | ± 20V | 1300 pf @ 25 V | - | 35W (TC) | ||||
 | SI7186DP-T1-GE3 | - | | 2518 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Si7186 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 32A (TC) | 10V | 12.5mohm @ 10a, 10v | 4.5V @ 250 µA | 70 NC @ 10 V | ± 20V | 2840 pf @ 40 V | - | 5.2W (TA), 64W (TC) | ||||
 | Irf510l | - | | 1280 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | A 262-3 Pistas Largas, I²Pak, TO-262AA | IRF510 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 262-3 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *Irf510l | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 100 V | 5.6a (TC) | 540mohm @ 3.4a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | 180 pf @ 25 V | - | - | |||||
 | SiHH180N60E-T1-GE3 | 5.0200 | | 1631 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-Powertdfn | Sihh180 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 600 V | 19a (TC) | 10V | 180mohm @ 9.5a, 10v | 5V @ 250 µA | 33 NC @ 10 V | ± 30V | 1085 pf @ 100 V | - | 114W (TC) | |||||
 | SiHD5N80AE-GE3 | 1.0900 | | 1 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | mi | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | 742-SiHD5N80AE-GE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 800 V | 4.4a (TC) | 10V | 1.35ohm @ 1.5a, 10V | 4V @ 250 µA | 16.5 NC @ 10 V | ± 30V | 321 pf @ 100 V | - | 62.5W (TC) | |||||
 | SQJ186EP-T1_GE3 | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 60A (TC) | 10V | 15mohm @ 20a, 10v | 3.5V @ 250 µA | 36 NC @ 10 V | ± 20V | 1942 pf @ 25 V | - | 135W (TC) | |||||||
| Si7716adn-t1-ge3 | 1.2300 | | 16 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7716 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 13.5mohm @ 10a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 23 NC @ 10 V | ± 20V | 846 pf @ 15 V | - | 3.5W (TA), 27.7W (TC) | |||||
| Sir808dp-t1-ge3 | - | | 6098 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir808 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 25 V | 20A (TC) | 4.5V, 10V | 8.9mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 22.8 NC @ 10 V | ± 20V | 815 pf @ 12.5 V | - | 29.8W (TC) | |||||
 | IRFR110PBF-BE3 | 1.0000 | | 2 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | IRFR110 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | 1 (ilimitado) | 742-IRFR110PBF-BE3 | EAR99 | 8541.29.0095 | 75 | N-canal | 100 V | 4.3a (TC) | 540mohm @ 2.6a, 10V | 4V @ 250 µA | 8.3 NC @ 10 V | ± 20V | 180 pf @ 25 V | - | 2.5W (TA), 25W (TC) | ||||||
 | Irf610pbf | 0.9300 | | 28 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | IRF610 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 220b | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | *Irf610pbf | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 200 V | 3.3a (TC) | 10V | 1.5ohm @ 2a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 36W (TC) | ||||
 | SI3493DV-T1-GE3 | - | | 1209 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3493 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 5.3a (TA) | 1.8V, 4.5V | 27mohm @ 7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 32 NC @ 4.5 V | ± 8V | - | 1.1W (TA) | |||||
 | IRF614S | - | | 1824 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tubo | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab | IRF614 | Mosfet (Óxido de metal) | D²pak (A 263) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | *IRF614S | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | N-canal | 250 V | 2.7a (TC) | 10V | 2ohm @ 1.6a, 10v | 4V @ 250 µA | 8.2 NC @ 10 V | ± 20V | 140 pf @ 25 V | - | 3.1W (TA), 36W (TC) | |||
 | SI1079X-T1-GE3 | 0.4700 | | 6010 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | Si1079 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-89-6 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.44a (TA) | 2.5V, 4.5V | 100mohm @ 1.4a, 4.5V | 1.5V @ 250 µA | 26 NC @ 10 V | ± 12V | 750 pf @ 15 V | - | 330MW (TA) | |||||
 | SI6410DQ-T1-E3 | - | | 5357 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | SI6410 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 7.8a (TA) | 4.5V, 10V | 14mohm @ 7.8a, 10v | 1V @ 250 µA (min) | 33 NC @ 5 V | ± 20V | - | 1.5W (TA) | |||||
 | SI1400DL-T1-GE3 | - | | 9434 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | Si1400 | Mosfet (Óxido de metal) | SC-70-6 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 1.6a (TA) | 2.5V, 4.5V | 150mohm @ 1.7a, 4.5V | 600mV @ 250 µA (min) | 4 NC @ 4.5 V | ± 12V | - | 568MW (TA) | |||||
| SI7812DN-T1-GE3 | 2.0800 | | 58 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 1212-8 | Si7812 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 1212-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 75 V | 16a (TC) | 4.5V, 10V | 37mohm @ 7.2a, 10V | 3V @ 250 µA | 24 NC @ 10 V | ± 20V | 840 pf @ 35 V | - | 3.8W (TA), 52W (TC) | |||||
| Sir800DP-T1-GE3 | 1.6300 | | 71 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir800 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 2.5V, 10V | 2.3mohm @ 15a, 10v | 1.5V @ 250 µA | 133 NC @ 10 V | ± 12V | 5125 pf @ 10 V | - | 5.2W (TA), 69W (TC) | |||||
 | SQJQ130el-T1_GE3 | 3.3300 | | 8034 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® 8 x 8 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® 8 x 8 | descascar | 1 (ilimitado) | 742-SQJQ130el-T1_GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 30 V | 445a (TC) | 4.5V, 10V | 0.52mohm @ 20a, 10V | 2.5V @ 250 µA | 455 NC @ 10 V | ± 20V | 23345 pf @ 25 V | - | 600W (TC) | ||||||
 | SI4668DY-T1-GE3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4668 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | N-canal | 25 V | 16.2a (TC) | 4.5V, 10V | 10.5mohm @ 15a, 10v | 2.6V @ 250 µA | 42 NC @ 10 V | ± 16V | 1654 pf @ 15 V | - | 2.5W (TA), 5W (TC) | |||||
| Si4622dy-T1-E3 | - | | 2414 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Skyfet®, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4622 | Mosfet (Óxido de metal) | 3.3W, 3.1W | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | 2 Canal N (Dual) | 30V | 8A | 16mohm @ 9.6a, 10V | 2.5V @ 1MA | 60nc @ 10V | 2458pf @ 15V | - | ||||||
| SI3851DV-T1-E3 | - | | 5942 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3851 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 30 V | 1.6a (TA) | 4.5V, 10V | 200mohm @ 1.8a, 10V | 1V @ 250 µA (min) | 3.6 NC @ 5 V | ± 20V | Diodo Schottky (Aislado) | 830MW (TA) | ||||||
| SUD50N02-06P-E3 | - | | 4639 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sud50 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | 20 V | 50A (TC) | 4.5V, 10V | 6mohm @ 20a, 10v | 3V @ 250 µA | 30 NC @ 4.5 V | ± 20V | 2550 pf @ 10 V | - | 6.8W (TA), 65W (TC) | |||||
 | SI2325DS-T1-BE3 | 1.0000 | | 6815 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-23-3 (TO-236) | descascar | 1 (ilimitado) | 742-Si2325ds-t1-be3tr | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canal P | 150 V | 530 mA (TA) | 6V, 10V | 1.2ohm @ 500 mA, 10V | 4.5V @ 250 µA | 12 NC @ 10 V | ± 20V | 510 pf @ 25 V | - | 750MW (TA) | ||||||
| SQD90P04_9M4LT4GE3 | 0.6985 | | 4113 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Automotive, AEC-Q101, Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | Sqd90 | Mosfet (Óxido de metal) | Un 252AA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 742-SQD90P04_9M4LT4GE3TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 40 V | 90A (TC) | 4.5V, 10V | 9.4mohm @ 17a, 10v | 2.5V @ 250 µA | 155 NC @ 10 V | ± 20V | 6675 pf @ 20 V | - | 136W (TC) | ||||
| SI4463CDY-T1-GE3 | 0.9400 | | 97 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Si4463 | Mosfet (Óxido de metal) | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canal P | 20 V | 13.6a (TA), 49A (TC) | 2.5V, 10V | 8mohm @ 13a, 10v | 1.4V @ 250 µA | 162 NC @ 10 V | ± 12V | 4250 pf @ 15 V | - | 2.7W (TA), 5W (TC) | |||||
 | SI5853DC-T1-E3 | - | | 2132 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Little Foot® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 8-SMD, Plomo Plano | Si5853 | Mosfet (Óxido de metal) | 1206-8 Chipfet ™ | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 20 V | 2.7a (TA) | 1.8V, 4.5V | 110mohm @ 2.7a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 7.7 NC @ 4.5 V | ± 8V | Diodo Schottky (Aislado) | 1.1W (TA) | |||||
 | SIR680DP-T1-RE3 | 2.3000 | | 9029 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® Gen IV | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Powerpak® SO-8 | Sir680 | Mosfet (Óxido de metal) | Powerpak® SO-8 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | N-canal | 80 V | 100A (TC) | 7.5V, 10V | 2.9mohm @ 20a, 10v | 3.4V @ 250 µA | 81 NC @ 7.5 V | ± 20V | 5150 pf @ 40 V | - | 104W (TC) | |||||
| SI3447CDV-T1-E3 | - | | 8275 | 0.00000000 | Vishay Siliconix | Trenchfet® | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-23-6 Delgado, TSOT-23-6 | Si3447 | Mosfet (Óxido de metal) | 6-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canal P | 12 V | 7.8a (TC) | 4.5V | 36mohm @ 6.3a, 4.5V | 1V @ 250 µA | 30 NC @ 8 V | ± 8V | 910 pf @ 6 V | - | 2W (TA), 3W (TC) |
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