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Productos de semiconductoros discretos (5717)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Potencia - Max	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	Configuración	Tipo de fet	Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS)	Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C	Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido)	Rds on (max) @ id, VGS	VGS (th) (max) @ id	Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS	VGS (Max)	Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS	Caracterísstica de fet	Disipacia de Potencia (Max)	Voltaje - Desglose (V (BR) GSS)	Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0)	Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID	Resistencia - RDS (ON)
SI4808DY-T1-GE3	-	RFQ	4666	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4808	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10v	800MV @ 250 µA (min)	20NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SiJH800E-T1-GE3	4.8400	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 8 x 8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 8 x 8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	80 V	29a (TA), 299A (TC)	7.5V, 10V	1.55mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	210 NC @ 10 V	± 20V	10230 pf @ 40 V	-	3.3W (TA), 333W (TC)
SIHB120N60E-T1-GE3	5.2400	RFQ	760	Vishay Siliconix	mi	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	600 V	25A (TC)	10V	120MOHM @ 12A, 10V	5V @ 250 µA	45 NC @ 10 V	± 30V	1562 pf @ 100 V	-	179W (TC)
SI7431DP-T1-GE3	4.0900	RFQ	1015	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Si7431	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	200 V	2.2a (TA)	6V, 10V	174mohm @ 3.8a, 10v	4V @ 250 µA	135 NC @ 10 V	± 20V		-	1.9W (TA)
SIA817EDJ-T1-GE3	0.5100	RFQ	6957	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SC-70-6 Dual	SIA817	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SC-70-6 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	4.5A (TC)	2.5V, 10V	65mohm @ 3a, 10v	1.3V @ 250 µA	23 NC @ 10 V	± 12V	600 pf @ 15 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.9W (TA), 6.5W (TC)
SI2306BDS-T1-BE3	0.5500	RFQ	4754	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3		Mosfet (Óxido de metal)		SOT-23-3 (TO-236)	descascar		1 (ilimitado)		742-Si2306bds-t1-be3tr	EAR99	8541.21.0095	3.000		N-canal	30 V	3.16a (TA)	4.5V, 10V	47mohm @ 3.5a, 10V	3V @ 250 µA	4.5 NC @ 5 V	± 20V	305 pf @ 15 V	-	750MW (TA)
SI5913DC-T1-E3	-	RFQ	1184	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SMD, Plomo Plano	Si5913	Mosfet (Óxido de metal)		1206-8 Chipfet ™	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	4A (TC)	2.5V, 10V	84mohm @ 3.7a, 10v	1.5V @ 250 µA	12 NC @ 10 V	± 12V	330 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	1.7W (TA), 3.1W (TC)
SIHB22N65E-T1-GE3	4.8100	RFQ	797	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab		Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar		1 (ilimitado)		742-SiHB22N65E-T1-GE3TR	EAR99	8541.29.0095	800		N-canal	650 V	22a (TC)	10V	180mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	110 NC @ 10 V	± 30V	2415 pf @ 100 V	-	227W (TC)
IRFR420ATRPBF	1.5500	RFQ	12	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	IRFR420	Mosfet (Óxido de metal)		D-Pak	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	500 V	3.3a (TC)	10V	3ohm @ 1.5a, 10v	4.5V @ 250 µA	17 NC @ 10 V	± 30V	340 pf @ 25 V	-	83W (TC)
SUD50P10-43L-GE3	2.6500	RFQ	5	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud50	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		Canal P	100 V	37.1a (TC)	4.5V, 10V	43mohm @ 9.2a, 10v	3V @ 250 µA	160 NC @ 10 V	± 20V	4600 pf @ 50 V	-	8.3W (TA), 136W (TC)
SUD70090E-GE3	1.5800	RFQ	7571	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Una granela	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63	Sud70090	Mosfet (Óxido de metal)		Un 252AA	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2,000		N-canal	100 V	50A (TC)	7.5V, 10V	8.9mohm @ 20a, 10v	4V @ 250 µA	50 NC @ 10 V	± 20V	1950 pf @ 50 V	-	125W (TC)
SI7270DP-T1-GE3	-	RFQ	2475	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8 Dual	Si7270	Mosfet (Óxido de metal)	17.8w	Powerpak® SO-8 Dual	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000	2 Canal N (Dual)		30V	8A		21mohm @ 8a, 10v	2.8V @ 250 µA	21NC @ 10V		900pf @ 15V	Puerta de Nivel Lógico
IRF9Z34StrrPBF	2.8100	RFQ	408	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	To-263-3, d²pak (2 cables + pestaña), to-263ab	IRF9Z34	Mosfet (Óxido de metal)		D²pak (A 263)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	800		Canal P	60 V	18a (TC)	10V	140mohm @ 11a, 10v	4V @ 250 µA	34 NC @ 10 V	± 20V	1100 pf @ 25 V	-	3.7W (TA), 88W (TC)
SI8407DB-T2-E1	-	RFQ	5162	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-Micro Foot®CSP	Si8407	Mosfet (Óxido de metal)		6-Micro Foot ™ (2.4x2)	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	5.8a (TA)	1.8V, 4.5V	27mohm @ 1a, 4.5V	900mv @ 350 µA	50 NC @ 4.5 V	± 8V		-	1.47W (TA)
Sqj403beep-t1_be3	1.6000	RFQ	7997	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8		Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar		1 (ilimitado)		742-sqj403beep-t1_be3tr	EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	30 V	30A (TC)	4.5V, 10V	8.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	164 NC @ 10 V	± 20V		-	68W (TC)
SIS890Adn-T1-GE3	0.9600	RFQ	1	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	SIS890	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	7.6a (TA), 24.7a (TC)		25.5mohm @ 10a, 10v	2.5V @ 250 µA	29 NC @ 10 V	± 20V	1330 pf @ 50 V	-	3.6W (TA), 39W (TC)
SI4835DDY-T1-E3	1.2300	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4835	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	30 V	13a (TC)	4.5V, 10V	18mohm @ 10a, 10v	3V @ 250 µA	65 NC @ 10 V	± 25V	1960 pf @ 15 V	-	2.5W (TA), 5.6W (TC)
Si4544dy-t1-ge3	-	RFQ	1086	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4544	Mosfet (Óxido de metal)	2.4w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	N Y Canal P, Drenaje Común		30V	-		35mohm @ 6.5a, 10V	1V @ 250 µA (min)	35nc @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI1480DH-T1-GE3	0.5100	RFQ	2193	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1480	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	100 V	2.6a (TC)	4.5V, 10V	200mohm @ 1.9a, 10v	3V @ 250 µA	5 NC @ 10 V	± 20V	130 pf @ 50 V	-	1.5W (TA), 2.8W (TC)
SI8466EDB-T2-E1	0.5100	RFQ	3	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	4-UFBGA, WLCSP	Si8466	Mosfet (Óxido de metal)		4-microfoot	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	8 V	3.6a (TA)	1.2V, 4.5V	43mohm @ 2a, 4.5V	700mv @ 250 µA	13 NC @ 4.5 V	± 5V	710 pf @ 4 V	-	780MW (TA), 1.8W (TC)
Sir188DP-T1-RE3	1.5000	RFQ	2	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® SO-8	Sir188	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® SO-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	60 V	25.5A (TA), 60A (TC)	7.5V, 10V	3.85mohm @ 10a, 10v	3.6V @ 250 µA	44 NC @ 10 V	± 20V	1920 pf @ 30 V	-	5W (TA), 65.7W (TC)
SST174-T1-E3	-	RFQ	9964	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	TO36-3, SC-59, SOT-23-3	SST174		350 MW	Sot-23	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canal P								20pf @ 0V			30 V	20 Ma @ 15 V	5 V @ 10 na	85 ohmios
Si4816dy-t1-ge3	-	RFQ	9991	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4816	Mosfet (Óxido de metal)	1W, 1.25W	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canales N (Medio Puente)		30V	5.3a, 7.7a		22mohm @ 6.3a, 10v	2V @ 250 µA	12NC @ 5V		-	Puerta de Nivel Lógico
SI4808DY-T1-E3	-	RFQ	6639	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4808	Mosfet (Óxido de metal)	1.1w	8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500	2 Canal N (Dual)		30V	5.7a		22mohm @ 7.5a, 10v	800MV @ 250 µA (min)	20NC @ 10V		-	Puerta de Nivel Lógico
SiHG018N60E-GE3	17.2100	RFQ	288	Vishay Siliconix	mi	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	TO-247-3	Sihg018	Mosfet (Óxido de metal)		To47ac	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	25		N-canal	600 V	99a (TC)	10V	23mohm @ 25A, 10V	5V @ 250 µA	228 NC @ 10 V	± 30V	7612 pf @ 100 V	-	524W (TC)
SISA24DN-T1-GE3	0.9600	RFQ	8	Vishay Siliconix	Trenchfet® Gen IV	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	Powerpak® 1212-8	Sisa24	Mosfet (Óxido de metal)		Powerpak® 1212-8	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	3.000		N-canal	25 V	60A (TC)	4.5V, 10V	1.4mohm @ 15a, 10v	2.1V @ 250 µA	26 NC @ 4.5 V	+20V, -16V	2650 pf @ 10 V	-	52W (TC)
Sup40010el-ge3	2.9700	RFQ	117	Vishay Siliconix	Thunderfet®	Tubo	Activo	-55 ° C ~ 175 ° C (TJ)	A Través del Aguetero	Un 220-3	SUP40010	Mosfet (Óxido de metal)		Un 220b	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	50		N-canal	40 V	120a (TC)	4.5V, 10V	1.8mohm @ 30a, 10v	2.5V @ 250 µA	230 NC @ 10 V	± 20V	11155 pf @ 30 V	-	375W (TC)
Si4829dy-t1-e3	-	RFQ	7105	Vishay Siliconix	Little Foot®	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4829	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		Canal P	20 V	2a (TC)	2.5V, 4.5V	215mohm @ 2.5a, 4.5V	1.5V @ 250 µA	8 NC @ 10 V	± 12V	210 pf @ 10 V	Diodo Schottky (Aislado)	2W (TA), 3.1W (TC)
Si4472dy-t1-e3	-	RFQ	1495	Vishay Siliconix	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	Si4472	Mosfet (Óxido de metal)		8-Soico	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)			EAR99	8541.29.0095	2.500		N-canal	150 V	7.7a (TC)	8V, 10V	45mohm @ 5a, 10v	4.5V @ 250 µA	43 NC @ 10 V	± 20V	1735 pf @ 50 V	-	3.1W (TA), 5.9W (TC)
SI1427EDH-T1-GE3	0.4300	RFQ	1	Vishay Siliconix	Trenchfet®	Tape & Reel (TR)	Activo	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	Montaje en superficie	6-TSOP, SC-88, SOT-363	Si1427	Mosfet (Óxido de metal)		SC-70-6	descascar	ROHS3 Cumplante	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canal P	20 V	2a (TC)	1.5V, 4.5V	64mohm @ 3a, 4.5V	1V @ 250 µA	21 NC @ 8 V	± 8V		-	1.56W (TA), 2.8W (TC)