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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Voltaje de AcionAmiento (Máximo RDS Encendido, Min RDS Encendido) | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | VGS (Max) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | Disipacia de Potencia (Max) | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Tiempo de recuperación inverso (TRR) | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició |
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![]() | CP647-2N6287-CM | - | ![]() | 1796 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 36 | 100 V | 20 A | 1mera | PNP - Darlington | 3V @ 200Ma, 20a | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CN4209-CM200 | - | ![]() | 9116 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CP742X-CN4209-CM200 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP742X-CM4209-CT20 | - | ![]() | 6494 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CP742X-CM4209-CT20 | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4448 TR | - | ![]() | 9687 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | Estándar | Do-35 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 10,000 | Pequeña Señal = <200Ma (IO), Cualquier Velocidad | 100 V | 720 MV @ 5 Ma | 4 ns | 25 na @ 20 V | -65 ° C ~ 200 ° C | 150 Ma | 4PF @ 0V, 1MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4715 BK PBFree | 0.2190 | ![]() | 6685 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 27.3 V | 36 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-CEN1103-CT | - | ![]() | 6878 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Banda | Obsoleto | CP647 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPT4209 BK | - | ![]() | 3113 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMPT4209BK | Obsoleto | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMUDM7004 TR PBFREE | 0.6100 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOT-523 | CMUDM7004 | Mosfet (Óxido de metal) | SOT-523 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | N-canal | 30 V | 450mA (TA) | 1.8V, 4.5V | 460mohm @ 200Ma, 4.5V | 1V @ 250 µA | 0.79 NC @ 4.5 V | 8V | 45 pf @ 25 V | - | 250MW (TA) | ||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-MJ11013-CT | - | ![]() | 2334 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 36 | 90 V | 30 A | 1mera | PNP - Darlington | 4V @ 300 Ma, 30a | 200 @ 30a, 5V | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP647-PMD19K100 WN | - | ![]() | 5184 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | CP647 | Morir | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0040 | 1 | 100 V | 30 A | - | PNP - Darlington | 2.8V @ 60 mm, 15a | 800 @ 15a, 3V | 4MHz | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5223B BK | - | ![]() | 2075 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
CMR1U-04 TR13 PBFree | 0.8500 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | DO-214AA, SMB | CMR1U-04 | Estándar | SMB | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 3.000 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 400 V | 1.25 v @ 1 a | 50 ns | 5 µA @ 400 V | -65 ° C ~ 175 ° C | 1A | - | |||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4620 BK | - | ![]() | 4629 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | 1514-CLL4620BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1 V @ 200 Ma | 7.5 µA @ 1.5 V | 3.3 V | 1650 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5260B BK | - | ![]() | 8188 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 33 V | 43 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||
1N5941B TR PBFREE | - | ![]() | 8616 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 35.8 V | 47 V | 67 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4763A BK | - | ![]() | 5364 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | Asignar | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 800 | 1.2 v @ 200 ma | 5 µA @ 69.2 V | 91 V | 250 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMDZ5254B TR PBFREE | 0.0610 | ![]() | 2602 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ5254 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM3410-M832D TR | - | ![]() | 9768 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | CTLM3410 | 1.65W | TLM832D | descascar | 1514-CTLM3410-M832DTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 25V | 1A | 100NA (ICBO) | 2 NPN (dual) | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM1034-M832D TR | - | ![]() | 4385 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | 1.65 W | TLM832D | descascar | 1514-CTLM1034-M832DTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | Npn + diodo (aislado) | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLSH1-40M322 TR | - | ![]() | 2108 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 3-tdfn | Schottky | TLM322 | descascar | 1514-CTLSH1-40M322TR | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | RECUPERACIÓN RÁPIDA = <500NS,> 200MA (IO) | 40 V | 550 MV @ 1 A | 15 ns | 200 µA @ 40 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 1A | 50pf @ 4V, 1 MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPQ3904 PBFree | 3.7259 | ![]() | 6378 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 14-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | MPQ3904 | 500MW | A-116 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 25 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 4 NPN (Quad) | 200 MV @ 1 MMA, 10 Mape | 75 @ 10mA, 1V | 250MHz | ||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP307V-2N5308 WN | - | ![]() | 1801 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CP307V-2N5308 WN | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 40 V | 300 mA | 100NA (ICBO) | NPN - Darlington | 1.4V @ 200 µA, 200 mA | 7000 @ 2mA, 5V | 60MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5233B BK Tin/Plomo | 0.0431 | ![]() | 7294 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.1 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMKZ5223B TR | - | ![]() | 8677 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 6-TSOP, SC-88, SOT-363 | 200 MW | Sot-363 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 3 Independientes | 900 MV @ 10 Ma | 75 µA @ 1 V | 2.7 V | 30 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||
1N5934B TR PBFREE | - | ![]() | 7866 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204al, do-41, axial | 1.5 W | Do-41 | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 18.2 V | 24 V | 19 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4619 BK | - | ![]() | 9833 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4619BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 800 na @ 1 V | 3 V | 1600 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR6-020 | - | ![]() | 8957 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4 Cuadrado, CM | Estándar | Centímetro | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0080 | 1 | 1.1 v @ 3 a | 10 µA @ 200 V | 6 A | Fase única | 200 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N4700 bk pbfree | 0.2190 | ![]() | 4821 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 9.8 V | 13 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4734A TR | - | ![]() | 7851 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | Do-213ab, melf | 1 W | Asignar | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.500 | 1.2 v @ 200 ma | 10 µA @ 2 V | 5.6 V | 5 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5225B TR PBFREE | 0.4600 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.1 V @ 200 Ma | 50 µA @ 1 V | 3 V | 29 ohmios |
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