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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Tipo de fet | Current - Hold (IH) (Max) | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Corriente - Dreneze Continuo (ID) @ 25 ° C | Rds on (max) @ id, VGS | VGS (th) (max) @ id | Carga de Gate (QG) (Max) @ VGS | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | Caracterísstica de fet | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Real - Promedio Rectificado (IO) | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Tipo de diodo | Voltaje - Reverso Máximo (Max) | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max |
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2n6075a lata/plomo | - | ![]() | 5721 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2N6075ATIN/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 600 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 10 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRDFSH2-100 TR13 | 0.6600 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-LDFN | CBRDFSH2 | Schottky | 4-Br DFN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 850 MV @ 2 A | 200 µA @ 100 V | 2 A | Fase única | 100 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBRDFSH2-40 TR13 | 0.6400 | ![]() | 8 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 4-LDFN | CBRDFSH2 | Schottky | 4-Br DFN | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 5,000 | 520 MV @ 2 A | 200 µA @ 40 V | 2 A | Fase única | 40 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5264B TR Tin/Plomo | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 10,000 | 1.2 v @ 200 ma | 100 na @ 46 V | 60 V | 170 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4709 TR TIN/Plomo | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | CLL4709 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 18.2 V | 24 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | TIP49 SL LATA/Plomo | 0.6200 | ![]() | 62 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 220-3 | TIP49 | 40 W | Un 220-3 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | 350 V | 1 A | 1mera | NPN | 1V @ 200MA, 1A | 30 @ 300mA, 10V | 10MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2n6714 lata/plomo | 1.2000 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | 2N6714 | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Un 237AA | 1 W | Un 237 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 30 V | 2 A | 100NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 100 mm, 1a | 60 @ 100mA, 1V | 500MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4705 TR TIN/Plomo | 0.4900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | CLL4705 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 13.6 V | 18 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5346B TR Tin/Plomo | - | ![]() | 8630 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | -1583-1n5346btrtin/plomo | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.2 v @ 1 a | 7.5 µA @ 6.9 V | 9.1 V | 2 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CBR1A-080 ESTARO/PLOMO | 2.2000 | ![]() | 250 | 0.00000000 | Central de semiconductores | CBR1A | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 4-Circular, Un Estuche | Estándar | Un Caso | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0080 | 250 | 1 V @ 1 A | 10 µA @ 800 V | 1.5 A | Fase única | 800 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4392-CT | - | ![]() | 7823 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 1.8 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP226V-2N4392-CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 60 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4392-CT20 | - | ![]() | 3881 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 1.8 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP226V-2N4392-CT20 | EAR99 | 8541.29.0095 | 20 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 60 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP226V-2N4393-CT | - | ![]() | 5273 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Activo | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 1.8 W | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP226V-2N4393-CT | EAR99 | 8541.29.0095 | 400 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 5 Ma @ 3 V | 500 MV @ 1 Na | 100 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXT2907A BK PBFree | - | ![]() | 3790 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | CMXT2907 | 350MW | Sot-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CMXT2907ABKPBFree | EAR99 | 8541.21.0075 | 3,500 | 60V | 600mA | 10NA | 2 PNP (dual) | 1.6v @ 50 mA, 500 mA | 100 @ 150mA, 10V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMXDM7002A BK PBFree | - | ![]() | 5002 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Sot-23-6 | CMXDM7002 | Mosfet (Óxido de metal) | 350MW (TA) | Sot-26 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CMXDM7002ABKPBFree | EAR99 | 8541.21.0095 | 3,500 | 2 Canal N (Dual) | 60V | 280MA (TA) | 2ohm @ 500 mA, 10V | 2.5V @ 250 µA | 0.592NC @ 4.5V | 50pf @ 25V | - | ||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ28X-CMPZ5229B WN | - | ![]() | 5519 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 350 MW | Morir | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CPZ28X-CMPZ5229B WN | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 4.3 V | 22 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ19-1N5255B-CM200 | - | ![]() | 8764 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CPZ19-1N5255B-CM200 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 1.25 V @ 200 Ma | 100 na @ 21 V | 28 V | 44 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ28X-C5255B-CM200 | - | ![]() | 1805 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 500 MW | Morir | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CPZ28X-C5255B-CM200 | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 1 V @ 100 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CPZ19-CMPZ5254B-CT | - | ![]() | 5626 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | 350 MW | Morir | - | Alcanzar sin afectado | 1514-CPZ19-CMPZ5254B-CT | EAR99 | 8541.10.0040 | 1 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 21 V | 27 V | 41 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5230B BK Tin/Plomo | 0.3800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.25 V @ 200 Ma | 5 µA @ 2 V | 4.7 V | 19 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CEN1151 TR13 | - | ![]() | 4106 | 0.00000000 | Central de semiconductores | * | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-CEN1151TR13TR | Obsoleto | 1,000 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4694 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 3200 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-cmhz4694bktin/plomo | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 6.2 V | 8.2 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4711 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 5118 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-cmhz4711bktin/plomo | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 20.4 V | 27 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4625 BK | - | ![]() | 2725 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4625BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 3 V | 5.1 V | 1500 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4116 BK | - | ![]() | 2389 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4116BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 18.3 V | 24 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4707 BK | - | ![]() | 4189 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4707BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 15.2 V | 20 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4713 BK | - | ![]() | 4165 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4713BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 na @ 22.8 V | 30 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4688 BK | - | ![]() | 5433 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4688BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 3 V | 4.7 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4627 BK Tin/Plomo | - | ![]() | 7778 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-cmhz4627bktin/plomo | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 5 V | 6.2 V | 1200 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4700 BK | - | ![]() | 5403 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4700BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 50 na @ 9.8 V | 13 V |
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