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Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Tolerancia | Voltaje - Clasificado | Temperatura de FuncionAmiento | Aplicacionales | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Freacuencia | Tecnología | Potencia - Max | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | Configuración | Velocidad | Tipo de fet | Calificación real (amplificador) | Current - Hold (IH) (Max) | Potencia - Salida | Ganar | Drene a la Fuente de Voltaje (VDSS) | Capacitancia de Entrada (CISS) (Max) @ VDS | TUPO TRIAC | Voltaje - Estado Fuera | Current - on State (IT (RMS)) (Max) | Voltaje - Disparador de Puerta (VGT) (Máximo) | Real - No Representante Surge 50, 60Hz (ITSM) | Real - Disparador de Puerta (IGT) (Máximo) | Figura de ruido | Voltaje - DC Reverse (VR) (Max) | Voltaje - Hacia Adelante (VF) (max) @ if | Actual: Fuga Inversa @ VR | Temperatura de FuncionAmiento - Unión | Real - Promedio Rectificado (IO) | Capacitchancia @ vr, f | Voltaje - Desglose del Emisor del Colector (Máximo) | Current - Collector (IC) (Max) | Voltaje - PrueBa | Voltaje - Desglose (V (BR) GSS) | Current - Drain (IDSS) @ VDS (VGS = 0) | Voltaje - Corte (VGS OFF) @ ID | Real - Corte de Coleción (Max) | Voltaje - Zener (nom) (Vz) | Impedancia (Max) (ZZT) | Resistencia - RDS (ON) | Tipo de transistor | VCE Saturation (Max) @ IB, IC | DC Current Gane (HFE) (Min) @ IC, VCE | FRECUENCIA - Transició | Drenaje real (ID) - Max | Voltaje - Ánodo - Cátodo (Vak) (Max) | Corriente del Regulador (Max) | Voltaje - Limitante (Max) |
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2N6071B Estare/Plomo | - | ![]() | 2208 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 110 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO25AA, A-126-3 | A-126 | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-2n6071btin/Plomo | EAR99 | 8541.30.0080 | 1,000 | Soltero | 15 Ma | Lógica - Puerta sensible | 200 V | 4 A | 2 V | 30A @ 60Hz | 5 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL5233B TR | - | ![]() | 5792 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.25 V @ 200 Ma | 5 µA @ 3.5 V | 6 V | 7 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4692 BK | - | ![]() | 9042 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4692BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5996B BK PBFree | 0.0494 | ![]() | 7555 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 2.500 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 5.2 V | 6.8 V | 8 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N4340 | - | ![]() | 4153 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | 50 V | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 1 kHz | Jfet | Un 18 | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0095 | 2,000 | N-canal | - | - | - | 1dB | 15 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CR250-4 BK | - | ![]() | 7346 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | A Través del Aguetero | Do-204AC, do-15, axial | Estándar | Do-15 | descascar | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0070 | 1,000 | RECUPERACIÓN ESTÁNDAR> 500NS,> 200MA (IO) | 4000 V | 5 V @ 200 Ma | 5 µA @ 4000 V | -65 ° C ~ 150 ° C | 200 MMA | 30pf @ 4V, 1 MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Tn2219a lata/plomo | 1.5600 | ![]() | 31 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Activo | - | A Través del Aguetero | Un 237AA | TN2219 | 2 W | Un 237 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 2,000 | 40 V | 800 Ma | - | NPN - Darlington | - | - | 300MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N821A BK | - | ![]() | 8486 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | Do-204AH, do-35, axial | 500 MW | Do-35 | descascar | 1514-1N821ABK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | BC394 PBFree | 1.0725 | ![]() | 1648 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | - | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | BC394 | Un 18 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | 180 V | 50NA (ICBO) | NPN | - | 50 @ 10a, 10v | 5MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Cmdz3v0 bk pbfree | 0.0659 | ![]() | 1513 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 175 ° C | Montaje en superficie | SC-76, SOD-323 | CMDZ3 | 250 MW | Sod-323 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 900 MV @ 10 Ma | 5 µA @ 1 V | 3 V | 95 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CTLM1074-M832D TR | - | ![]() | 9044 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-tdfn | 1.65 W | TLM832D | descascar | 1514-CTLM1074-M832DTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 25 V | 1 A | 100NA (ICBO) | PNP + Diodo (Aislado) | 450mv @ 100 mm, 1a | 100 @ 500 mA, 1V | 100MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | Bc184b pbfree | 0.2625 | ![]() | 7968 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | BC184 | 300 MW | Un 92 | descascar | ROHS3 Cumplante | No Aplicable | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 2.500 | 30 V | 200 MA | 15NA (ICBO) | NPN | 600mv @ 5 Ma, 100 Ma | 250 @ 2mA, 5V | 280MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
2N5115 | - | ![]() | 2198 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO-206AA, a 18-3 Lata de metal | 500 MW | Un 18 | descascar | Vendedor indefinido | 2N5115CS | EAR99 | 8541.21.0095 | 2,000 | Canal P | 30 V | 25pf @ 15V | 30 V | 15 Ma @ 15 V | 3 V @ 1 Na | 100 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3738 | - | ![]() | 1584 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO13AA, TO-66-2 | 20 W | TO-66 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-2N3738 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | 225 V | 1 A | 250 µA | 2.5V @ 25MA, 250 Ma | 40 @ 100 mapa, 10v | 10MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4692 BK Tin/Plomo | 0.4800 | ![]() | 803 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Caja | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | EAR99 | 8541.10.0050 | 4.000 | 1.5 V @ 100 Ma | 10 µA @ 5.1 V | 6.8 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CLL4680 TR | - | ![]() | 8418 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | Montaje en superficie | DO-213AC, Mini-Molf, Sod-80 | 500 MW | Sod-80 | descascar | 1514-CLL4680TR | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 4 µA @ 1 V | 2.2 V | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N3564 | - | ![]() | 2311 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | To-106-3 abovedado | Un 106 | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | 15 V | 50NA (ICBO) | NPN | 300mv @ 2 mm, 10 ma | 20 @ 15 mapa, 10v | 400MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMJH120 TR PBFREE | 6.5000 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Efecto de Campo de Silicio | Montaje en superficie | SOD-123F | CMJH120 | 500MW | SOD-123FL | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0070 | 3.000 | 50V | 14.4MA | 3.8V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMPZ5252B TR PBFREE | 0.4800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | TO36-3, SC-59, SOT-23-3 | CMPZ5252 | 350 MW | Sot-23 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 18 V | 24 V | 33 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CMZ5929B TR13 PBFree | 0.8600 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | DO-214AC, SMA | CMZ5929 | 1.5 W | SMA | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 1.5 V @ 200 Ma | 1 µA @ 11.4 V | 15 V | 9 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MD5179 | - | ![]() | 6183 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | - | A Través del Aguetero | TO-78-6 METAL CAN | MD517 | - | Un 78-6 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.29.0075 | 1 | 12V | 50mera | - | 2 NPN (dual) | - | 25 @ 3mA, 1V | 900MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ5263B TR PBFREE | 0.0718 | ![]() | 8619 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOD-123 | CMHZ5263 | 500 MW | SOD-123 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 3.000 | 900 MV @ 10 Ma | 100 na @ 43 V | 56 V | 150 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 1N5334B BK | - | ![]() | 9157 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 5% | -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | T-18, axial | 5 W | Ax-5W | descascar | 1514-1N5334BBK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.2 v @ 1 a | 150 µA @ 1 V | 3.6 V | 2.5 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | MPQ6700 PBFree | - | ![]() | 8762 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tubo | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | 14-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | MPQ6700 | 500MW | A-116 | descascar | Solicitar Verificación de Inventario | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0075 | 25 | 40V | 200 MMA | 50NA (ICBO) | 2 NPN, 2 PNP | 250 MV @ 1 Mapa, 10 Ma | 70 @ 10mA, 1V | 200MHz | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CZ5369B TR TIN/Plomo | 0.4227 | ![]() | 6599 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Tape & Reel (TR) | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C | A Través del Aguetero | DO-201AA, DO-27, AXIAL | CZ5369 | 5 W | DO-2010 | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.10.0050 | 1.400 | 1.2 v @ 1 a | 500 na @ 38.8 V | 51 V | 27 ohmios | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMLZDA6V2 BK | - | ![]() | 3531 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | ± 6.45% | -65 ° C ~ 150 ° C | Montaje en superficie | SOT-563, SOT-666 | 250 MW | SOT-563 | descascar | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 1 par Ánodo Común | 3 µA @ 4 V | 6.2 V | 10 ohmios | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | 2N5089 PBFree | 0.4900 | ![]() | 21 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | A Través del Aguetero | TO26-3, TO-92-3 (TO-226AA) | 625 MW | Un 92-3 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8541.21.0095 | 2.500 | 25 V | 50 Ma | 50NA (ICBO) | NPN | 500mv @ 1 mapa, 10 ma | 400 @ 100 µA, 5V | 50MHz | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CMHZ4696 BK | - | ![]() | 3454 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Activo | ± 5% | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | SOD-123 | 500 MW | SOD-123 | descascar | Alcanzar sin afectado | 1514-CMHZ4696BK | EAR99 | 8541.10.0050 | 1 | 1.5 V @ 100 Ma | 1 µA @ 6.9 V | 9.1 V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CP216-2N4392-CT | - | ![]() | 3201 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Banda | Obsoleto | -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) | Montaje en superficie | Morir | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 1514-CP216-2N4392-CT | Obsoleto | 400 | N-canal | 40 V | 20pf @ 20V | 40 V | 25 Ma @ 20 V | 2 V @ 1 Na | 60 ohmios | 50 Ma | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
![]() | CJD41C BK Tin/Lead | - | ![]() | 5039 | 0.00000000 | Central de semiconductores | - | Una granela | Obsoleto | -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) | Montaje en superficie | TO-252-3, DPAK (2 cables + Pestaña), SC-63 | 1.75 W | Dpak | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1514-cjd41cbktin/plomo | EAR99 | 8541.29.0095 | 150 | 100 V | 6 A | 50 µA | NPN | 1.5V @ 600mA, 6a | 30 @ 300mA, 4V | 3MHz |
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