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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53B256M32D1NP-062 WT:C Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT: C -
RFQ
 ECAD 4184 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT29F1G08ABADAH4:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABADAH4: D TR -
RFQ
 ECAD 4140 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
M58BW16FB5ZA3F TR Micron Technology Inc. M58BW16FB5ZA3F TR -
RFQ
 ECAD 1840 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 80 lbGa M58BW16 Flash - Ni 2.5V ~ 3.3V 80 LBGA (10x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 16mbit 55 ns Destello 512k x 32 Paralelo 55ns
MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT Micron Technology Inc. MT29C1G12MAAJAFAMD-6 IT -
RFQ
 ECAD 6090 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29C1G12 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 166 MHz No Volátil, Volátil 1Gbit (NAND), 512Mbit (LPDRAM) Flash, ram 128m x 8 (nand), 16m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F1G08ABBEAH4-ITX:E TR Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBEAH4-ITX: E TR -
RFQ
 ECAD 4943 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT58L256L36PF-7.5 IT Micron Technology Inc. MT58L256L36PF-7.5 IT 17.3600
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (13x15) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 8mbit 4 ns Sram 256k x 36 Paralelo -
MT46V64M8FN-75 L:D Micron Technology Inc. MT46V64M8FN-75 L: D -
RFQ
 ECAD 9758 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 750 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT46V32M16FN-6 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-6 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 8786 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR Micron Technology Inc. MT29VZZZ7C7DQKWL-062 W ES.97Y TR -
RFQ
 ECAD 6006 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Mt29vzzz7 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000
EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc. EDB5432BEPA-1DIT-FR TR -
RFQ
 ECAD 7586 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA EDB5432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 533 MHz Volante 512Mbit Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT29F64G08CBABBWP-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBABBWP-12IT: B TR -
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
M36L0R7050T4ZSPE Micron Technology Inc. M36L0R7050T4ZSPE -
RFQ
 ECAD 3900 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto M36L0R7050 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.560
MT40A1G4RH-075E:B Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E: B -
RFQ
 ECAD 1551 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 1g x 4 Paralelo -
EDB2432BCPA-8D-F-D Micron Technology Inc. EDB2432BCPA-8D-FD -
RFQ
 ECAD 4547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA Edb2432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1.260 400 MHz Volante 2 GBIT Dracma 64m x 32 Paralelo -
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT ES: A -
RFQ
 ECAD 8675 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT28F400B3WG-8 T Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 T -
RFQ
 ECAD 9883 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F400B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
MTFC32GJDED-3M WT Micron Technology Inc. Mtfc32gjded-3m wt -
RFQ
 ECAD 3571 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-vfbga Mtfc32g Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 169-vfbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8523.51.0000 980 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
M29W160ET90ZA6T TR Micron Technology Inc. M29W160ET90ZA6T TR -
RFQ
 ECAD 3156 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 No Volátil 16mbit 90 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 90ns
MT46V16M16TG-75 IT:F Micron Technology Inc. MT46V16M16TG-75 IT: F -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 750 ps Dracma 16m x 16 Paralelo 15ns
MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR Micron Technology Inc. Mt42l32m16d1fe-25 it: un tr -
RFQ
 ECAD 9849 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 121-WFBGA MT42L32M16 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 121-FBGA (6.5x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 400 MHz Volante 512Mbit Dracma 32m x 16 Paralelo -
ECF440AACCN-V6-Y3 Micron Technology Inc. ECF440AACCN-V6-Y3 -
RFQ
 ECAD 3688 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo ECF440 - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
MT44K32M36RB-093E:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-093E: A TR 80.5650
RFQ
 ECAD 3189 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M36 RDRAM 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.066 GHz Volante 1.125 GBIT 8 ns Dracma 32m x 36 Paralelo -
MT29F32G08AECBBH1-12IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F32G08AECBBH1-12IT: B TR -
RFQ
 ECAD 7767 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100-VBGA MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT29F1T08CUCBBH8-6R:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CUCBBH8-6R: B -
RFQ
 ECAD 9836 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F1T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT29F512G08EEHAFJ4-3R:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3R: A -
RFQ
 ECAD 1516 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 333 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT46V32M16CY-5B AIT:J TR Micron Technology Inc. MT46V32M16CY-5B AIT: J TR -
RFQ
 ECAD 4567 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
JS28F00AP30EFA Micron Technology Inc. JS28F00AP30EFA -
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F00AP30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 1 gbit 110 ns Destello 64m x 16 Paralelo 110ns
JS28F128P30B85A Micron Technology Inc. JS28F128P30B85A -
RFQ
 ECAD 8906 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F128P30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
MT46V64M8TG-5B IT:J Micron Technology Inc. MT46V64M8TG-5B IT: J -
RFQ
 ECAD 1835 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0028 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53E768M64D4SQ-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E768M64D4SQ-046 AAT: A -
RFQ
 ECAD 7367 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E768M64D4SQ-046AAT: A Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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