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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT62F3G32D8DV-023 AAT: B TR	94.8300	RFQ	1764	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	-	-		SDRAM - Mobile LPDDR5	-	-	-				557-MT62F3G32D8DV-023AAT: BTR			2,000	4.266 GHz	Volante	96 GBIT		Dracma	3G x 32	Paralelo	-
MT46H64M32LFCX-5 WT: B TR	-	RFQ	2448	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT46H64M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	90-vfbga (9x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0036	1,000	200 MHz	Volante	2 GBIT	5 ns	Dracma	64m x 32	Paralelo	15ns
MT29F512G08CUCABH3-10R: A	-	RFQ	9255	Micron Technology Inc.	-	Tubo	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100 lbGa	MT29F512G08	Flash - Nand (MLC)	2.7V ~ 3.6V	100 lbGa (12x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	100 MHz	No Volátil	512 GBIT		Destello	64g x 8	Paralelo	-
EMFM432A1PH-DV-FD	-	RFQ	2187	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Activo				EMFM432				-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado			0000.00.0000	1.680
MT48LC2M32B2P-7 IT: G	-	RFQ	9512	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC2M32B2	Sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	Volante	64 Mbbit	5.5 ns	Dracma	2m x 32	Paralelo	14ns
JS28F160B3TD70A	-	RFQ	3807	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	JS28F160B3	Flash - Bloque de Arranque	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	96		No Volátil	16mbit	70 ns	Destello	1m x 16	Paralelo	70ns
MT53D256M16D1NY-046 XT ES: B	-	RFQ	9521	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D256	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1.190	2.133 GHz	Volante	16 gbit		Dracma	256m x 64	-	-
PC48F4400P0VB0EF TR	-	RFQ	7095	Micron Technology Inc.	Strataflash ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	64 lbGa	PC48F4400	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	64-Easybga (10x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	2,000	52 MHz	No Volátil	512Mbit	85 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	85ns
1787 TR	59.8650	RFQ	8903	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Activo								-				557-1787TR			2,000
MT41K256M8DA-125 AUT: K	6.7739	RFQ	3967	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Una granela	La Última Vez Que Compre	-40 ° C ~ 125 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41K256M8	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (8x10.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.440	800 MHz	Volante	2 GBIT	13.75 ns	Dracma	256m x 8	Paralelo	-
MT53E1G32D4NQ-053 WT: E	-	RFQ	8142	Micron Technology Inc.	-	Caja	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53E1G32	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-					Obsoleto	0000.00.0000	1.360	1.866 GHz	Volante	32 GBIT		Dracma	1g x 32	-	-
N25Q512A83G12H0F TR	-	RFQ	9590	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	24-tbGa	N25Q512A83	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	24-T-PBGA (6x8)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	2.500	108 MHz	No Volátil	512Mbit		Destello	128m x 4	SPI	8 ms, 5 ms
MT40A1G8SA-075: H	-	RFQ	9533	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT40A1G8	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (7.5x11)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1	1.33 GHz	Volante	8 gbit		Dracma	1g x 8	Paralelo	-
MT41K512M8RG-093: N	-	RFQ	6764	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT41K512M8	SDRAM - DDR3L	1.283V ~ 1.45V	78-FBGA (7.5x10.6)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.260	1.066 GHz	Volante	4 gbit	20 ns	Dracma	512m x 8	Paralelo	-
MT53E384M32D2DS-046 AIT: E	-	RFQ	6483	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53E384	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	MT53E384M32D2DS-046AIT: E	EAR99	8542.32.0036	1.360	2.133 GHz	Volante	12 gbit		Dracma	384m x 32	-	-
MTFC2GMVEA-L1 WT TR	-	RFQ	4473	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	153-WFBGA	Mtfc2g	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	153-WFBGA (11.5x13)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	16 gbit		Destello	2G x 8	MMC	-
MT48LC4M32B2P-7: G	-	RFQ	5144	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho)	MT48LC4M32B2	Sdram	3V ~ 3.6V	86-TSOP II	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	143 MHz	Volante	128 Mbbit	5.5 ns	Dracma	4m x 32	Paralelo	14ns
MT46H64M32LFKQ-5 IT: C	-	RFQ	5935	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	-	MT46H64M32	SDRAM - Mobile LPDDR	1.7V ~ 1.95V	168-WFBGA (12x12)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.008	167 MHz	Volante	2 GBIT	5 ns	Dracma	64m x 32	Paralelo	15ns
MT44K32M36RB-093F: A TR	-	RFQ	3003	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	168-TBGA	MT44K32M36	RDRAM 3	1.28V ~ 1.42V	168-BGA (13.5x13.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	1.066 GHz	Volante	1.125 GBIT	7.5 ns	Dracma	32m x 36	Paralelo	-
EDBA164B2PF-1D-FR TR	-	RFQ	3694	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	-	Edba164	SDRAM - Mobile LPDDR2	1.14V ~ 1.95V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1,000	533 MHz	Volante	16 gbit		Dracma	256m x 64	Paralelo	-
Mt29c1g12maajvamd-5 it tr tr TRA	9.2800	RFQ	197	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto		Montaje en superficie	130-vfbga	MT29C1			130-vfbga (8x9)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000
MT49H8M36BM-25E: B	-	RFQ	4794	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	144-TFBGA	MT49H8M36	Dracma	1.7V ~ 1.9V	144 µBGA (18.5x11)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	400 MHz	Volante	288Mbit	15 ns	Dracma	8m x 36	Paralelo	-
MT47H128M8CF-3: H TR	-	RFQ	9737	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0032	1,000	333 MHz	Volante	1 gbit	450 ps	Dracma	128m x 8	Paralelo	15ns
MT28F320J3BS-11 GMET TR	-	RFQ	5410	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64-FBGA	MT28F320J3	Destello	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (10x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	4 (72 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	32Mbit	110 ns	Destello	4m x 8, 2m x 16	Paralelo	-
MT29F2G08ABAGAM79A3WC1	-	RFQ	2148	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	Morir	MT29F2G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	Morir	-	ROHS3 Cumplante		Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1		No Volátil	2 GBIT		Destello	256m x 8	Paralelo	-
MT53E1G16D1FW-046 AAT: A	15.9600	RFQ	6318	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Caja	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C (TC)	Montaje en superficie	200-TFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR4X	1.06V ~ 1.17V	200-TFBGA (10x14.5)	descascar				557-MT53E1G16D1FW-046AAT: A			1	2.133 GHz	Volante	16 gbit	3.5 ns	Dracma	1g x 16	Paralelo	18ns
Mt46v16m16cy-5b: m	-	RFQ	3563	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT46V16M16	SDRAM - DDR	2.5V ~ 2.7V	60-FBGA (8x12.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0028	1.368	200 MHz	Volante	256Mbit	700 PS	Dracma	16m x 16	Paralelo	15ns
MT53D1G64D8NW-062 WT: D	-	RFQ	3786	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)			MT53D1G64	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1.190	1.6 GHz	Volante	64 GBIT		Dracma	1g x 64	-	-
EDS6432AFTA-75TI-ED	-	RFQ	9194	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto								-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1.080
MT48LC8M32B2B5-7 TR	-	RFQ	9761	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT48LC8M32B2	Sdram	3V ~ 3.6V	90-vfbga (8x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	143 MHz	Volante	256Mbit	6 ns	Dracma	8m x 32	Paralelo	14ns

2000+
Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
Unidad de producto estándar
2800+
Fabricantes mundiales
15,000 m²
Almacén en stock

Memoria (10402)

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²