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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 Micron Technology Inc. MT29KZZZ4D4TGFAK-5 W.6Z4 -
RFQ
 ECAD 1071 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
EDFA332A3PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA332A3PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6875 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa232 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 Paralelo -
MT44K32M18RB-093:A TR Micron Technology Inc. MT44K32M18RB-093: A TR -
RFQ
 ECAD 8358 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M18 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 1.066 GHz Volante 576Mbit 10 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
MT62F1G32D2DS-023 AAT:C Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT: C 31.9350
RFQ
 ECAD 2429 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: C 1 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT29F2G08ABAFAH4-S:F TR Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAFAH4-S: F TR -
RFQ
 ECAD 5236 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
RC28F128J3D75D TR Micron Technology Inc. RC28F128J3D75D TR -
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 128 Mbbit 75 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 75ns
M25PE10-VMN6P Micron Technology Inc. M25PE10-VMN6P -
RFQ
 ECAD 3952 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25PE10 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 75 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MTFC64GAJAEDQ-AAT Micron Technology Inc. Mtfc64gajaedq-aat -
RFQ
 ECAD 6783 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MTFC64 Flash - nand - 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 MMC -
M28W160CB100N6T TR Micron Technology Inc. M28W160CB100N6T TR -
RFQ
 ECAD 4747 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M28W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 16mbit 100 ns Destello 1m x 16 Paralelo 100ns
EDF4432ACPE-GD-F-D Micron Technology Inc. Edf4432acpe-gd-fd -
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edf4432 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.520 800 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
EDFA164A2PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 800 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
N25Q064A13ESFD0G Micron Technology Inc. N25Q064A13ESFD0G -
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.225 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
NAND128W3A0BN6E Micron Technology Inc. Nand128w3a0bn6e -
RFQ
 ECAD 4710 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand128 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 128 Mbbit 50 ns Destello 16m x 8 Paralelo 50ns
MTFC128GAJAECE-5M AIT TR Micron Technology Inc. MTFC128GAJAECE-5M AIT TR -
RFQ
 ECAD 1158 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-LFBGA MTFC128 Flash - nand - 169-LFBGA (14x18) - 1 (ilimitado) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 MMC -
M29W800FB70N3E Micron Technology Inc. M29W800FB70N3E -
RFQ
 ECAD 4272 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W800 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT53E1G32D2FW-046 IT:A Micron Technology Inc. MT53E1G32D2FW-046 IT: A 27.1500
RFQ
 ECAD 7860 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G32D2FW-046IT: A 1 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo 18ns
EDFP112A3PF-GDTJ-F-D Micron Technology Inc. EDFP112A3PF-GDTJ-FD -
RFQ
 ECAD 6104 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - EDFP112 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 800 MHz Volante 24 gbit Dracma 192m x 128 Paralelo -
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCBBH8-6C: B -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F1T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT29F64G08AECDBJ4-6IT:D Micron Technology Inc. MT29F64G08AECDBJ4-6IT: D -
RFQ
 ECAD 4310 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 166 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
JS28F512P33BFD Micron Technology Inc. JS28F512P33BFD -
RFQ
 ECAD 2334 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F512P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 512Mbit 105 ns Destello 32m x 16 Paralelo 105ns
MT29F64G08AJABAWP-IT:B Micron Technology Inc. MT29F64G08AJABAWP-IT: B -
RFQ
 ECAD 1892 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F2T08GELCEJ4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F2T08GELCEJ4-QA: C 39.0600
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F2T08GELCEJ4-QA: C 1
MT29F64G08CBEFBWP:F Micron Technology Inc. MT29F64G08CBEFBWP: F -
RFQ
 ECAD 8075 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante Vendedor indefinido Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F8G08FACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08FACWP: C TR -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT29F128G08CBCEBRT-37B:E Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37B: E -
RFQ
 ECAD 6470 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT46V64M8BN-6 L:F Micron Technology Inc. MT46V64M8BN-6 L: F -
RFQ
 ECAD 7982 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT53D2G32D8QD-053 WT ES:E Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-053 WT ES: E -
RFQ
 ECAD 5666 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MT47H256M8THN-3:H TR Micron Technology Inc. MT47H256M8THN-3: H TR -
RFQ
 ECAD 2900 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 63-TFBGA MT47H256M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 2 GBIT 450 ps Dracma 256m x 8 Paralelo 15ns
MT29F4G01ABAFDWB-ITES:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G01ABAFDWB-its: F TR -
RFQ
 ECAD 1109 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-udfn MT29F4G01 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 8 updfn (8x6) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 4 gbit Destello 4g x 1 SPI -
MT42L128M32D1LF-25 WT:A TR Micron Technology Inc. MT42L128M32D1LF-25 WT: A TR -
RFQ
 ECAD 8471 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA MT42L128M32 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 168-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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