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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT35XL512ABA1G12-0AAT TR | - |  | 9876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | M58BW16FB5ZA3F | - | | 9452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80 lbGa | M58BW16 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.3V | 80 LBGA (10x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 16mbit | 55 ns | Destello | 512k x 32 | Paralelo | 55ns | |||
 | MT29F768G08EECBBJ4-37: B TR | - | | 7421 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F768G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 267 MHz | No Volátil | 768gbit | Destello | 96g x 8 | Paralelo | - | |||
 | M58LT128KST8ZA6F TR | - | | 9711 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M58LT128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 85 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 85ns | |||
 | MT51K256M32HF-70: A | - | | 4682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51K256 | SGRAM - GDDR5 | - | 170-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT41J64M16JT-15E XIT: G TR | - | | 1425 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT40A512M8SA-062E IT: F TR | 9.1650 | | 8721 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT40A512M8SA-062EIT: FTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |
 | MT49H8M36SJ-TI: B TR | - | | 6719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H8M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144-FBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0028 | 1,000 | Volante | 288Mbit | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | ||||
 | MT40A512M16JY-062E: B | - | | 5536 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT53D512M32D2DS-046 AIT: D | 20.4400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT45W4MW16BCGB-701 IT TR | - | | 3622 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT29F32G08CBADAWP: D | - | | 5528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT25QL256ABA1EW9-0SIT | 5.9500 | | 50 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | MT25QL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-WPDFN (8x6) (MLP8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.920 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT47H64M16NF-187E: M | - | | 9635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H64M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.368 | 533 MHz | Volante | 1 gbit | 350 ps | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT35XL01GBBA2G12-0AAT TR | - | | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | XCCELA ™ - MT35X | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT35XL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Autobús xcela | - | |||
 | M29W400DT55N6F TR | - | | 8566 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | MT48LC16M16A2P-75 IT: D | - | | 5544 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | JS28F640P30BF75A | - | | 2729 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F640P30 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | 40 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 75 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 75ns | ||
| N25Q00AA13G1241E | - | | 6210 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24 lbGa | N25Q00AA13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-LPBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 187 | 108 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 256m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | PC28F256P30B85F | - | | 8229 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 144 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 85 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 85ns | ||
 | MT29F2G16ABBEAHC: E TR | - | | 9183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 128m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT53D512M32D2DS-053 AIT: D | 23.6700 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| Mt53d8danz-dc | - | | 4227 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | MT53D8 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.190 | |||||||||||||||||||
| MT29F1HT08EMCBBJ4-37: B | - | | 9498 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 1.5tbit | Destello | 192G x 8 | Paralelo | - | ||||
| JS28F256P33B95A | - | | 7808 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F256P33 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | 40 MHz | No Volátil | 256Mbit | 95 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 95ns | ||
 | MT58L256L36FS-7.5 | 5.2800 | | 15 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 113 MHz | Volante | 8mbit | 7.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| MT29VZZZBD9GQFPR-046 W.9Q9 | - | | 2488 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | 1 | ||||||||||||||||||||||
| N25Q256A11E1240F TR | - | | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q256A11 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
 | MT53B256M32D1NP-062 AAT: C | - | | 9689 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||
| MT29C4G96MAYBACKD-5 WT | - | | 8443 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 137-TFBGA | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 137-TFBGA (10.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 512m x 8 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - |
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