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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F8G08ABABAWP-AITX: B TR | - |  | 7074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT42L128M32D1TK-25 AAT: A TR | - | | 3354 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-WFBGA | MT42L128M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT51J256M32HF-80: A TR | - | | 5860 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | 2 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | |||
| MT53B384M64D4EZ-062 WT: B TR | - | | 6517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 384m x 64 | - | - | |||
 | MT52L512M32D2PF-107 WT: B TR | 24.1050 | | 2225 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L512 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
 | MT40A512M16JY-083E AUT: B TR | - | | 9302 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | - | |||
| EDF8164A3PK-JD-FR TR | - | | 3705 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 216-WFBGA | Edf8164 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 216-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | |||
| MT4A2G8NRE-83E: B | - | | 7505 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Mt4a2 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.020 | |||||||||||||||||
| N25Q256A73ESF40G TR | - | | 5029 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | N25Q256A73 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | N25Q256A73ESF40GTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.225 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||
| MT52L256M32D1V01MWC2 | 18.3600 | | 4830 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | * | Una granela | Activo | MT52L256 | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53B128M32D1Z00NWC2 | - | | 8892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | |||||||
| MT41K512M8V90BWC1 | - | | 1635 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 100 | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z: A | - | | 5478 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.120 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT51K256M32HF-70: A | - | | 4682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51K256 | SGRAM - GDDR5 | - | 170-FBGA (12x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.75 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | M58BW16FB5ZA3F TR | - | | 1840 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80 lbGa | M58BW16 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.3V | 80 LBGA (10x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 16mbit | 55 ns | Destello | 512k x 32 | Paralelo | 55ns | |||
| M58BW16FB5ZA3F | - | | 9452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80 lbGa | M58BW16 | Flash - Ni | 2.5V ~ 3.3V | 80 LBGA (10x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 16mbit | 55 ns | Destello | 512k x 32 | Paralelo | 55ns | |||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F2G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MTFC4GMWDQ-3M AIT | - | | 1431 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Mtfc4 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | MMC | - | ||||||
 | MT28EW01GABA1HPC-0AAT | - | | 6867 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28EW01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | descascar | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 1 gbit | 105 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
 | MT25Qu512ABB8E12-0aut TR | 10.5450 | | 6418 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | MT29F128G08CBCEBJ4-37: E TR | - | | 1139 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 267 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F2G01ABAGD12-IT: G TR | - | | 5973 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F2G01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 2G x 1 | SPI | - | |||
 | MT29F4G08ABAFAH4-AITES: F TR | - | | 5380 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT44K32M36RB-083F: A TR | - | | 8787 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M36 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 6.67 ns | Dracma | 32m x 36 | Paralelo | - | ||
| MT44K64M18RB-083F: A TR | - | | 5923 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K64M18 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.2 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 6.67 ns | Dracma | 64m x 18 | Paralelo | - | ||
| Mt46h1dama-dc tr | - | | 6391 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT46H1D | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||
 | MT53B128M32D1DS-062 AAT: A TR | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | |||
| MT53B128M32D1DS-062 AUT: A TR | - | | 9486 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | - | - | |||
| MT53B384M32D2DS-062 AAT: B TR | - | | 4341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
| MT53B384M32D2DS-062 AUT: B TR | - | | 8189 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - |
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