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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT46H64M32L2JG-5 IT: A TR | - |  | 2781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT29F128G08CBCABH6-6: A | - | | 4066 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-VBGA | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 152-VBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 166 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
 | M25PX80-VMN6TPZ1 TR | - | | 9841 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25PX80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT28EW512ABA1HJS-0AAT | - | | 3575 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | -Mt28ew512aba1hjs-0aat | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 512Mbit | 105 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| EDFA232A2PF-GD-FR TR | - | | 4452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | - | Edfa232 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT53E256M32D1KS-046 IT: L | 10.6300 | | 6487 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Montaje en superficie | 200-vfbga | 200-VFBGA (10x14.5) | - | Alcanzar sin afectado | 557-MT53E256M32D1KS-046IT: L | 1 | |||||||||||||||||
 | Nand512w3a2cn6e | - | | 5620 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand512 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand512w3a2cn6e | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | ||
| MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 11.8300 | | 9604 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F512G08EBLGEB27C3WC1-F | 1 | |||||||||||||||||||||
 | MT53B384M32D2NP-062 AAT: B | - | | 9672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT48LC2M32B2B5-6A IT: J TR | 5.7449 | | 6 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC2M32B2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | 12ns | ||
| MT62F2G64D8EK-023 WT: B | 90.4650 | | 6037 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023WT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F8G01ADBFD12-ITS: F | - | | 9166 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT29F8G01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 24-T-PBGA (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 8g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT46V16M8P-6T: DTR | - | | 4262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v16m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT58L128L36P1T-10 | 7.1600 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L128L36 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 4mbit | 5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | MT41K64M16TW-125: J | - | | 1548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K64M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | 800 MHz | Volante | 1 gbit | 13.75 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | ||
 | Mtfc32gazaqhd-at | 17.3550 | | 3528 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 1.520 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT41K512M8DA-107 AAT: P | 8.8700 | | 3 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT62F512M32D2DS-031 AAT: B TR | 17.4150 | | 3865 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F512M32D2DS-031AAT: BTR | 2,000 | 3.2 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT45W4MW16BFB-706 L WT TR | - | | 9416 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x9) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
| MT28FW01GABA1HPC-0AAT | - | | 4747 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | MT28FW01 | Flash - Ni | 1.7V ~ 3.6V | 64 LBGA (11x13) | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,104 | No Volátil | 1 gbit | 105 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 60ns | |||||
| MT53D1024M64D8WF-053 WT ES: D | - | | 7115 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - | |||||
| PF48F4000P0ZBQE3 | - | | 4389 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Axcell ™ | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 88-vfbga, cspbga | 48F4000P0 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-SCSP (8x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 176 | 52 MHz | No Volátil | 256Mbit | 100 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 100ns | ||
 | MT48H8M16LFB4-75 IT: K | - | | 8932 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT48H8M16 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT28F800B5WG-8 TET TR | - | | 4720 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F800B5 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8mbit | 80 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 80NS | |||
 | MT29F4G16ABBDAHC: D TR | - | | 6638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | MT46V32M16CV-5B IT: J TR | - | | 2908 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 2,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| MT62F3G32D8DV-023 AIT: B TR | 86.2050 | | 2719 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT62F3G32D8DV-023AIT: BTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 18.3750 | | 9376 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 149-vfbga | Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 149-vfbga (8x9.5) | - | 557-MT29GZ6A6BPIET-046AIT.112 | 1 | 2.133 GHz | No Volátil, Volátil | 8Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR4) | 25 ns | Flash, ram | 1G x 8 (NAND), 512M X 16 (LPDDR4) | Onde | 20ns, 30ns | |||||||
| N25Q256A13E1241F TR | - | | 2715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q256A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| MT44K32M36RB-093F: A TR | - | | 3003 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M36 | RDRAM 3 | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 1.125 GBIT | 7.5 ns | Dracma | 32m x 36 | Paralelo | - |
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