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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de funciones Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 Micron Technology Inc. MT29F8G16ABBCAM71M3WC1 -
RFQ
 ECAD 9791 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F8G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 8 gbit Destello 512m x 16 Paralelo -
MT53E2G32D4DE-046 AIT:A Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 AIT: A 57.3900
RFQ
 ECAD 8020 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E2G32D4DE-046AIT: A 1 2.133 GHz Volante 64 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 32 Paralelo 18ns
MTFC4GACAANA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC4GACAANA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 6461 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA Mtfc4 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MTFC4GACAANA-4MITTR 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 Micron Technology Inc. MT29RZ1CVCZZHGTN-25 W.4M0 -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto Montaje en superficie 121-WFBGA 121-vfbga (8x7.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29F800DT70M6 Micron Technology Inc. M29F800DT70M6 -
RFQ
 ECAD 2002 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.525 ", 13.34 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 16 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
MT62F1536M32D4DS-026 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-026 AAT: B 47.8950
RFQ
 ECAD 7123 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo - Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-026AAT: B 1 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 1.5GX 32 Paralelo -
MT53E512M32D2NP-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-046 WT: E -
RFQ
 ECAD 7968 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT53E768M32D4DT-046 AIT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-046 AIT: E -
RFQ
 ECAD 7210 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E768M32D4DT-046AIT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 2.133 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
M29F800FB5AN6F2 Micron Technology Inc. M29F800FB5AN6F2 2.8000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP descascar Vendedor indefinido Vendedor indefinido 3277-M29F800FB5AN6F2TR EAR99 8542.32.0071 1.500 No Volátil 8mbit 55 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 55ns
MT41J128M16JT-125:K Micron Technology Inc. MT41J128M16JT-125: K -
RFQ
 ECAD 2288 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT40A2G8AG-062E AUT:F TR Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062E AUT: F TR 22.8450
RFQ
 ECAD 6573 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A2G8AG-062AUT: FTR 2,000 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 2G x 8 Paralelo 15ns
MT53E768M32D2FW-046 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53E768M32D2FW-046 WT: C TR 24.0600
RFQ
 ECAD 2692 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 557-MT53E768M32D2FW-046WT: CTR 2,000
MT41K256M16TW-107 AUT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT: P TR 8.4000
RFQ
 ECAD 1632 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT53B1024M32D4NQ-053 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B1024M32D4NQ-053 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 6762 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53B1024 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT28F320J3BS-11GMET Micron Technology Inc. MT28F320J3BS-11GMET 2.0000
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (10x13) - 3277-MT28F320J3BS-11GMET EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 32Mbit 110 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo Sin verificado
MT62F1G64D8EK-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 WT: B TR 46.6200
RFQ
 ECAD 6757 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031WT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MT29F1G16ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBDAH4-IT: D TR -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
N25Q032A13ESF40G Micron Technology Inc. N25Q032A13ESF40G -
RFQ
 ECAD 1552 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q032A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.225 108 MHz No Volátil 32Mbit Destello 8m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT53E512M32D2NP-053 RS WT:H Micron Technology Inc. MT53E512M32D2NP-053 RS WT: H 8.4000
RFQ
 ECAD 6065 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT53E512M32D2NP-053RSWT: H 1
MT29F512G08CKCABH7-6:A Micron Technology Inc. MT29F512G08CKCABH7-6: A -
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT29C4G48MAZAMAKC-5 IT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazamakc-5 it it it -
RFQ
 ECAD 8688 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 107-TFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 107-TFBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F2G16ABBGAH4-AAT:G Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G 2.7962
RFQ
 ECAD 5716 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G16 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F2G16ABBGAH4-AAT: G 1.260 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R Micron Technology Inc. MT29F256G08CBHBBL06B3WC1-R -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.5V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT41K128M16JT-125 M:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 M: K -
RFQ
 ECAD 3979 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT48LC4M16A2P-6A AAT:J TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-6A AAT: J TR -
RFQ
 ECAD 8169 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 12ns
MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D Micron Technology Inc. MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR: D -
RFQ
 ECAD 1939 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 166 MHz No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 1074 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MTFC16GAKAENA-4M IT TR Micron Technology Inc. MTFC16GAKAENA-4M IT TR -
RFQ
 ECAD 5576 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MTFC16 Flash - nand 1.7V ~ 1.9V 100 TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT62F1536M32D4DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1536M32D4DS-023 AAT: B 47.8950
RFQ
 ECAD 9560 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 - 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1536M32D4DS-023AAT: B 1 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MT40A1G8SA-062E AUT:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-062E AUT: E 11.6400
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT40A1G8SA-062AUT: E EAR99 8542.32.0036 1.260 1.6 GHz Volante 8 gbit 19 ns Dracma 1g x 8 Paralelo 15ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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