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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F256G08CECEBJ4-37ITRES: E | - |  | 1286 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1.120 | 267 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 19.8600 | | 8676 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT25QU01GBBB8E12E-0AUT | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M29W400DT55ZE6F TR | - | | 6866 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TFBGA (6x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | No Volátil | 4mbit | 55 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
| MTC18F1045S1PC48BA2 | 262.0200 | | 3781 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | descascar | 557-MTC18F1045S1PC48BA2 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | M25P32-VMW6TG TR | - | | 4222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M25P32 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 75 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 4m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
| MT60B1G16HT-48B AAT: A TR | 31.3050 | | 2839 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 144-TFBGA | SDRAM - DDR5 | - | 144-FBGA (11x18.5) | - | 557-MT60B1G16HT-48BAAT: ATR | 2,000 | 2.4 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | - | ||||||||
| MT49H16M36BM-25 IT: B | - | | 6084 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | MT49H16M36 | Dracma | 1.7V ~ 1.9V | 144 µBGA (18.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 576Mbit | 20 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||
| MTFC4GLWDM-4M AAT A | 11.0850 | | 5598 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | Mtfc4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Mtfc4glwdm-4maata | 0000.00.0000 | 1.520 | ||||||||||||||||
| MT41K256M16HA-125 AIT: E | - | | 1183 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | ||
| MT53E768M32D2FW-046 WT: C | 24.0600 | | 3702 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT53E768M32D2FW-046WT: C | 1 | ||||||||||||||||||||
 | MT53E256M16D1FW-046 AAT: B | 9.3900 | | 2957 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046AAT: B | 1 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | MT29F4G08ABAFAWP-IT: F TR | 3.0489 | | 4472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT29F4G08ABAFAWP-IT: FTR | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT62F2G32D4DS-023 AAT: B TR | 63.8550 | | 2714 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F2G32D4DS-023AAT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 2G x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-QA: E | 52.9800 | | 2173 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-QA: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| N25q032a13eseh0f tr | - | | 6232 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | N25Q032A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.500 | 108 MHz | No Volátil | 32Mbit | Destello | 8m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||||
 | N25W064A11EF640F TR | - | | 5548 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25W064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 8-vdfpn (6x5) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 16m x 4 | SPI | - | ||||
| MTFC64GAZAOTD-AAT TR | 36.8700 | | 9588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MTFC64GAZAOTD-AATTR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
| MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 60.5400 | | 4072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLCEJ4-QJ: C | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT29F1HT08EMHBBJ4-3R: B TR | - | | 5703 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1HT08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 1.5tbit | Destello | 192G x 8 | Paralelo | - | |||
| MT62F1536M32D4DS-023 IT: B | 37.6950 | | 8394 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1536M32D4DS-023IT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | Mt25qu512abb8e12-0sit | 9.7900 | | 11 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | MT25Qu512 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT53D512M16D1Z11MWC2 ES | - | | 9539 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | MT53D512 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT40A4G4VA-062EPS: B | - | | 1343 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (10x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT40A4G4VA-062EPS: B | Obsoleto | 1.520 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | 15ns | |||
| MT29F512G08AUBBK8-12: B TR | - | | 3317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F512G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TLGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT41K512M8RH-125 M AIT: E TR | - | | 7432 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT46V64M8CV-5B IT: J TR | - | | 9036 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
| Mt42l256m32d4kp-3 it: a | - | | 1322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-vfbga | MT42L256M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 168-FBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | Mt25qu256aba8esf-0sit | 6.4700 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25Qu256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | MT54V512H36EF-6 | 19.3000 | | 158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | QDR ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT54V512 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 167 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | MT41K128M16JT-107 AAT: K TR | 5.3633 | | 1222 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K128M16JT-107AAT: KTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns |
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