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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M64D4EZ-062 WT ES: B TR -
RFQ
 ECAD 1328 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
M36L0R7050B4ZAQE Micron Technology Inc. M36L0R7050B4ZAQE -
RFQ
 ECAD 8877 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto M36L0R7050 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 253
MT29F4T08EULEEM4-QJ:E TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QJ: E TR 105.9600
RFQ
 ECAD 7278 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F4T08EULEEM4-QJ: ETR 2,000
MT29F1T08EEHAFJ4-3R:A TR Micron Technology Inc. MT29F1T08EEHAFJ4-3R: A TR -
RFQ
 ECAD 9248 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F1T08 Flash - nand 2.5V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT29F1T08EEHAFJ4-3R: ATR Obsoleto 8542.32.0071 1,000 333 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT29F2T08EMLGEJ4-ITF:G TR Micron Technology Inc. MT29F2T08EMLGEJ4-ITF: G TR 70.0350
RFQ
 ECAD 7558 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F2T08EMLGEJ4-ITF: GTR 2,000
M25P80-VMW6TGBA TR Micron Technology Inc. M25P80-VMW6TGBA TR -
RFQ
 ECAD 2843 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) M25P80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1.500 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 AIT: C -
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.782 208 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 128m x 16 Paralelo 14.4ns
MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 Micron Technology Inc. MT29VZZZAD9GUFSM-046 W.213 21.6407
RFQ
 ECAD 8659 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo - 557-MT29vzzzad9gufsm-046w.213 1.520
MT53E1G64D8NW-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E1G64D8NW-053 WT: E -
RFQ
 ECAD 6939 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.190 1.866 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
M29F010B70N6E Micron Technology Inc. M29F010B70N6E -
RFQ
 ECAD 3914 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F010 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 156 No Volátil 1 mbit 70 ns Destello 128k x 8 Paralelo 70ns
MTFC32GASAONS-IT Micron Technology Inc. MTFC32Gasaons-It 28.0200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 153-TFBGA Mtfc32g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 52 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT29F4T08EMLCHD4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F4T08EMLCHD4-QJ: C TR 83.9100
RFQ
 ECAD 2109 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F4T08EMLCHD4-QJ: CTR 2,000
MT40A256M16LY-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AAT: F 13.0200
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT40A256M16LY-062AAT: F EAR99 8542.32.0036 1.080 1.6 GHz Volante 4 gbit 19 ns Dracma 256m x 16 Paralelo 15ns
MT41K128M16HA-187E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-187E: D -
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT62F4G32D8DV-023 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F4G32D8DV-023 WT: B TR 90.4650
RFQ
 ECAD 1619 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C - - SDRAM - Mobile LPDDR5 - - - 557-MT62F4G32D8DV-023WT: BTR 2,000 4.266 GHz Volante 128 GBIT Dracma 4g x 32 Paralelo -
M29W256GH7AZS6F TR Micron Technology Inc. M29W256GH7AZS6F TR -
RFQ
 ECAD 1417 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 No Volátil 256Mbit 70 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 70ns
PC28F00BM29EWHA Micron Technology Inc. PC28F00BM29EWHA -
RFQ
 ECAD 4421 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa PC28F00B Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 184 No Volátil 2 GBIT 100 ns Destello 256m x 8, 128m x 16 Paralelo 100ns
M29F800FT55N3E2 Micron Technology Inc. M29F800FT55N3E2 -
RFQ
 ECAD 3105 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 8mbit 55 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 55ns
MT29F2G16ABBEAH4-AAT:E Micron Technology Inc. MT29F2G16ABBeaH4-AAT: E 3.7059
RFQ
 ECAD 5936 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT25QL128ABB8ESF-0AUT Micron Technology Inc. Mt25ql128abb8esf-0aut 5.8900
RFQ
 ECAD 122 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Descontinuado en sic -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql128abb8esf-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
RC28F256P30BFA Micron Technology Inc. RC28F256P30BFA -
RFQ
 ECAD 7175 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0051 864 52 MHz No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 16m x 16 Paralelo 100ns
MT29F2G08ABAGAH4-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAH4-AATES: G 5.4935
RFQ
 ECAD 1273 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1.260 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
RC48F4400P0VB00A Micron Technology Inc. RC48F4400P0VB00A -
RFQ
 ECAD 3367 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA RC48F4400 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (8x10) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 144 52 MHz No Volátil 512Mbit 85 ns Destello 32m x 16 Paralelo 85ns
EDFA164A2PB-JD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFA164A2PB-JD-FR TR -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
MT29F2G16ABAGAWP-AATES:G TR Micron Technology Inc. MT29F2G16ABAGAWP-AATES: G TR 5.4935
RFQ
 ECAD 3042 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G16 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT29F2G16ABAGAWP-AATES: GTR 0000.00.0000 1,000 No Volátil 2 GBIT Destello 128m x 16 Paralelo -
MT48LC4M16A2B4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2B4-75 IT: G TR -
RFQ
 ECAD 9116 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 15ns
MT29F128G08CFAAAWP-ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08CFAAAWP-ITZ: A -
RFQ
 ECAD 7063 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
M29W128GL70ZS3F TR Micron Technology Inc. M29W128GL70ZS3F TR -
RFQ
 ECAD 8546 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.800 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT29F4T08EULEEM4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QA: E 105.9600
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4T08EULEEM4-QA: E 1
M29DW127G70ZA6E Micron Technology Inc. M29DW127G70ZA6E -
RFQ
 ECAD 5717 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29DW127 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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