SIC
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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MTFC256GAZAOTD-AAT Micron Technology Inc. Mtfc256gazaotd-aat 99.5850
RFQ
 ECAD 8615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTFC256Gazaotd-AAT 1
MT53E512M64D2HJ-046 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D2HJ-046 AUT: B TR 37.9050
RFQ
 ECAD 7461 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 556-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 557-MT53E512M64D2HJ-046AUT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT 3.5 ns Dracma 512m x 64 Paralelo 18ns
MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR Micron Technology Inc. MT25TU512HBA8ESF-0SIT TR -
RFQ
 ECAD 1346 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000
M29F160FB5AN6E2 Micron Technology Inc. M29F160FB5AN6E2 -
RFQ
 ECAD 2731 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F160 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 16mbit 55 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 55ns
MT53E768M32D4DT-053 WT:E Micron Technology Inc. MT53E768M32D4DT-053 WT: E 23.6850
RFQ
 ECAD 3661 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-vfbga MT53E768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-VFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT53E768M32D4DT-053WT: E EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT29F4G16ABADAWP-AIT:D TR Micron Technology Inc. Mt29f4g16abadawp-it: d tr -
RFQ
 ECAD 1710 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT62F1G16D1DS-023 IT ES:B Micron Technology Inc. MT62F1G16D1DS-023 IT ES: B 12.5550
RFQ
 ECAD 9283 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -40 ° C ~ 95 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G16D1DS-023ITES: B 1 4.266 GHz Volante 16 gbit Dracma 1g x 16 Paralelo -
MT48LC4M16A2P-75:G Micron Technology Inc. MT48LC4M16A2P-75: G -
RFQ
 ECAD 2332 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC4M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT48LC4M16A2P75G EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 64 Mbbit 5.4 ns Dracma 4m x 16 Paralelo 15ns
MT29C4G48MAZBAAKQ-5 WT Micron Technology Inc. Mt29c4g48mazbaakq-5 wt -
RFQ
 ECAD 2658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-WFBGA MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 168-WFBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 200 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM) Paralelo -
MT29F2G08ABAEAH4:E Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAEAH4: E -
RFQ
 ECAD 2848 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F2G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT47H128M8CF-187E:H TR Micron Technology Inc. MT47H128M8CF-187E: H TR -
RFQ
 ECAD 8740 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 533 MHz Volante 1 gbit 350 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
M29W128GH7AZA6E Micron Technology Inc. M29w128gh7aza6e -
RFQ
 ECAD 3844 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 136 No Volátil 128 Mbbit 70 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 70ns
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B Micron Technology Inc. MT29F512G08CMCBBH7-6ITR: B -
RFQ
 ECAD 6520 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT25QL512ABB8E12-0AUT Micron Technology Inc. MT25QL512ABB8E12-0AUT 13.2500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Mt25ql512abb8e12-0aut 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53D1G32D4BD-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D1G32D4BD-053 WT: D -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MTFC8GAMALHT-AIT Micron Technology Inc. Mtfc8gamalht-it 10.1550
RFQ
 ECAD 4830 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 Flash - nand - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 557-MTFC8GAMALHT-AT 8542.32.0071 980 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
MT52L256M64D2PD-107 XT ES:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2PD-107 XT ES: B TR -
RFQ
 ECAD 2518 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - Montaje en superficie 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 216-FBGA (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
PC28F512P30TFB TR Micron Technology Inc. PC28F512P30TFB TRA -
RFQ
 ECAD 1335 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F512 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 52 MHz No Volátil 512Mbit 100 ns Destello 32m x 16 Paralelo 100ns
M25PE40S-VMW6TG TR Micron Technology Inc. M25PE40S-VMW6TG TR -
RFQ
 ECAD 1971 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) M25PE40 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO W descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 1.500 75 MHz No Volátil 4mbit Destello 512k x 8 SPI 15 ms, 3 ms
MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L1G32D4PG-107 WT: B TR 53.9550
RFQ
 ECAD 4733 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 178-vfbga MT52L1G32 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 178-FBGA (12x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 - -
MT29F64G08AEAAAC5:A Micron Technology Inc. MT29F64G08AEAAAC5: A -
RFQ
 ECAD 2027 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 52-vlga MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 52-VLGA (18x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT41K512M16VRP-107 AAT:P TR Micron Technology Inc. MT41K512M16VRP-107 AAT: P TR 18.4350
RFQ
 ECAD 2026 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar 557-MT41K512M16VRP-107AAT: PTR 2,000 933 MHz Volante 8 gbit 20 ns Dracma 512m x 16 Paralelo 15ns
MT29F4G08ABCHC:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCHC: C TR -
RFQ
 ECAD 6394 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
M58WR064KT70ZB6F TR Micron Technology Inc. M58WR064KT70ZB6F TR -
RFQ
 ECAD 7922 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-vfbga M58WR064 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-vfbga (7.7x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 66 MHz No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 4m x 16 Paralelo 70ns
JS28F128J3F75A Micron Technology Inc. JS28F128J3F75A -
RFQ
 ECAD 4363 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F128J3 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 128 Mbbit 75 ns Destello 16m x 8, 8m x 16 Paralelo 75ns
EDFP164A3PB-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDFP164A3PB-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 2508 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - EDFP164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (15x15) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 800 MHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 Paralelo -
MT40A256M16GE-083E AAT:B TR Micron Technology Inc. MT40A256M16GE-083E AAT: B TR -
RFQ
 ECAD 7274 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT28EW256ABA1HPN-0SIT Micron Technology Inc. Mt28ew256aba1hpn-0sit -
RFQ
 ECAD 6034 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-vfbga MT28EW256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-vfbga (7x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.560 No Volátil 256Mbit 75 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 60ns
MT44K32M36RB-107E IT:A Micron Technology Inc. MT44K32M36RB-107E: A -
RFQ
 ECAD 6656 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K32M36 RDRAM 3 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.190 933 MHz Volante 1.125 GBIT 8 ns Dracma 32m x 36 Paralelo -
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. Mt29f1g08abafah4-ite: f tr -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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