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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
RC28F128P33TF60A Micron Technology Inc. RC28F128P33TF60A -
RFQ
 ECAD 9910 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA RC28F128 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (10x13) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 300 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 60 ns Destello 8m x 16 Paralelo 60ns
MT52L256M32D1PU-107 WT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT: B TR -
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT41K256M8DA-125 IT:K TR Micron Technology Inc. MT41K256M8DA-125 IT: K TR 4.4332
RFQ
 ECAD 4174 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K256M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 256m x 8 Paralelo -
MT29F1T08EBLCHD4-QA:C Micron Technology Inc. MT29F1T08EBLCHD4-QA: C 20.9850
RFQ
 ECAD 4155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F1T08EBLCHD4-QA: C 1
MT25QL256ABA8ESF-MSIT Micron Technology Inc. MT25QL256ABA8ESF-MSIT -
RFQ
 ECAD 8515 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) MT25QL256 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.440 133 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
M29F800DB70M6 Micron Technology Inc. M29F800DB70M6 -
RFQ
 ECAD 8079 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.525 ", 13.34 mm de ancho) M29F800 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 16 No Volátil 8mbit 70 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 70ns
M25PX80-VMP6G Micron Technology Inc. M25PX80-VMP6G -
RFQ
 ECAD 7561 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn M25PX80 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-vfqfpn (6x5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0071 490 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C Micron Technology Inc. MT29VZZZAD8HQKWL-053 W.G8C -
RFQ
 ECAD 4428 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto Mt29vzzzad8 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.520
MT62F512M128D8TE-031 XT:B Micron Technology Inc. MT62F512M128D8TE-031 XT: B 68.0400
RFQ
 ECAD 7066 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT62F512M128D8TE-031XT: B 1
MT29F4G08ABBDAH4-IT:D TR Micron Technology Inc. Mt29f4g08abbdah4-it: d tr 5.9300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT29F4G08ABADAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4: D -
RFQ
 ECAD 5540 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT46H32M32LFCG-6 IT:A Micron Technology Inc. MT46H32M32LFCG-6 IT: A -
RFQ
 ECAD 4308 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-vfbga MT46H32M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 152-vfbga (14x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 166 MHz Volante 1 gbit 5 ns Dracma 32m x 32 Paralelo 15ns
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D512M64D4RQ-046 WT ES: E TR -
RFQ
 ECAD 2760 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 556-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 556-WFBGA (12.4x12.4) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MTFC32GAPALBH-AAT Micron Technology Inc. MTFC32GAPALBH-AAT -
RFQ
 ECAD 2868 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda La Última Vez Que Compre -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 153-TFBGA Mtfc32g Flash - nand - 153-TFBGA (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.520 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT48H16M32L2F5-8 Micron Technology Inc. MT48H16M32L2F5-8 -
RFQ
 ECAD 4924 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H16M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.9V 90-vfbga (8x13) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 125 MHz Volante 512Mbit 7.5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo -
MT41K256M16TW-107 AUT:P Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 AUT: P 8.4000
RFQ
 ECAD 8947 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT62F2G32D4DS-023 AUT:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D4DS-023 AUT: C TR 73.4400
RFQ
 ECAD 8011 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F2G32D4DS-023AUT: CTR 2,000
MT46V16M8TG-6T IT:D TR Micron Technology Inc. Mt46v16m8tg-6t it: d tr 8.7400
RFQ
 ECAD 219 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v16m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 16m x 8 Paralelo 15ns
MT53D512M32D2NP-046 AAT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AAT ES: D -
RFQ
 ECAD 6648 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT62F1G32D2DS-023 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G32D2DS-023 AAT: B 31.9350
RFQ
 ECAD 2628 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo - Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: B 1 4.266 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT25QU01GBBB8E12-0AAT Micron Technology Inc. MT25QU01GBBB8E12-0AAT 21.4400
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa Mt25qu01 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 133 MHz No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT35XU256ABA2G12-0AAT TR Micron Technology Inc. MT35XU256ABA2G12-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9426 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 24-tbGa MT35XU256 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 200 MHz No Volátil 256Mbit Destello 32m x 8 Autobús xcela -
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AAT: A 15.9600
RFQ
 ECAD 6318 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) descascar 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: A 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 18ns
M29W640GH70ZF6F TR Micron Technology Inc. M29W640GH70ZF6F TR -
RFQ
 ECAD 3350 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
MT53E256M32D1KS-046 AIT:L TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D1KS-046 AIT: L TR 11.6800
RFQ
 ECAD 8256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo Montaje en superficie 200-vfbga 200-VFBGA (10x14.5) - Alcanzar sin afectado 557-MT53E256M32D1KS-046AIT: LTR 1
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:C TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES: C TR 90.4650
RFQ
 ECAD 6658 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: CTR 2,000 4.266 GHz Volante 128 GBIT Dracma 2G x 64 Paralelo -
MT47H64M8CB-25:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-25: B -
RFQ
 ECAD 8606 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT47H64M16HR-25E AAT:H Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-25E AAT: H -
RFQ
 ECAD 3093 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
MT29F256G08AMCBBH7-6IT:B TR Micron Technology Inc. MT29F256G08AMCBBH7-6IT: B TR -
RFQ
 ECAD 1649 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152-TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-TBGA (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 167 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D Micron Technology Inc. MT29VZZZBD8HQOWL-053 W.G8D -
RFQ
 ECAD 6059 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo MT29VZZZBD8 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1.520
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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