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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F128G08AJAAAWP-IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AJAAAWP-IT: A TR -
RFQ
 ECAD 6854 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABAFAH4-ITE: F -
RFQ
 ECAD 9994 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBECBL72A3WC1P TR -
RFQ
 ECAD 7999 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
MTFC64GBCAVTC-AAT ES Micron Technology Inc. MTFC64GBCAVTC-AAT ES 38.4600
RFQ
 ECAD 6452 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MTFC64GBCAVTC-AATES 1
MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR Micron Technology Inc. MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR -
RFQ
 ECAD 1303 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 137-vfbga MT29C4G48 Flash - Nand, Lpdram Móvil 1.7V ~ 1.95V 137-vfbga (13x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 208 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM) Flash, ram 512m x 8 (nand), 64m x 32 (LPDRAM) Paralelo -
MT46H8M16LFCF-10 TR Micron Technology Inc. MT46H8M16LFCF-10 TR -
RFQ
 ECAD 3713 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H8M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.9V 60-vfbga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 104 MHz Volante 128 Mbbit 7 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT53E2G32D4DE-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 WT: A TR 47.4300
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046WT: ATR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 32 Paralelo 18ns
MT41K128M16HA-187E:D Micron Technology Inc. MT41K128M16HA-187E: D -
RFQ
 ECAD 8430 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 2 GBIT 13.125 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT40A256M16LY-062E AAT:F Micron Technology Inc. MT40A256M16LY-062E AAT: F 13.0200
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Una granela Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A256M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (7.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT40A256M16LY-062AAT: F EAR99 8542.32.0036 1.080 1.6 GHz Volante 4 gbit 19 ns Dracma 256m x 16 Paralelo 15ns
MT45W4MW16BCGB-701 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BCGB-701 WT -
RFQ
 ECAD 3704 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 Volante 64 Mbbit 70 ns Psram 4m x 16 Paralelo 70ns
MT29F4T08EULEEM4-QA:E Micron Technology Inc. MT29F4T08EULEEM4-QA: E 105.9600
RFQ
 ECAD 5258 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29F4T08EULEEM4-QA: E 1
TE48F4400P0TB00A Micron Technology Inc. TE48F4400P0TB00A -
RFQ
 ECAD 9514 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) 48f4400p0 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz No Volátil 512Mbit 85 ns Destello 32m x 16 Paralelo 85ns
MT29F512G08AUEBBH8-12:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUBBH8-12: B -
RFQ
 ECAD 5260 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 83 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
N25Q128A13ESFC0G Micron Technology Inc. N25Q128A13ESFC0G -
RFQ
 ECAD 7203 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.225 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT40A2G8AG-062E AUT:F Micron Technology Inc. MT40A2G8AG-062E AUT: F 22.8450
RFQ
 ECAD 7299 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) - - SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V - - 557-MT40A2G8AG-062AUT: F 1 1.6 GHz Volante 16 gbit 19 ns Dracma 2G x 8 Paralelo 15ns
MT49H64M9FM-25:B TR Micron Technology Inc. MT49H64M9FM-25: B TR -
RFQ
 ECAD 5429 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H64M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 576Mbit 20 ns Dracma 64m x 9 Paralelo -
MT53D768M64D4SB-046 XT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SB-046 XTS: A TR -
RFQ
 ECAD 7689 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Obsoleto 2,000 2.133 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT41K128M8JP-125:G Micron Technology Inc. MT41K128M8JP-125: G -
RFQ
 ECAD 8314 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K128M8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (8x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 1 gbit 13.75 ns Dracma 128m x 8 Paralelo -
MT40A8G4CLU-062H:E TR Micron Technology Inc. MT40A8G4CLU-062H: E TR 136.1250
RFQ
 ECAD 1464 0.00000000 Micron Technology Inc. Twindie ™ Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A8G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT40A8G4CLU-062H: ETR 8542.32.0071 2,000 1.6 GHz No Volátil 32 GBIT 13.75 ns Dracma 8g x 4 Paralelo -
MT49H32M9FM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-33: B TR -
RFQ
 ECAD 3644 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
MT45W4MW16BFB-708 WT Micron Technology Inc. MT45W4MW16BFB-708 WT -
RFQ
 ECAD 7532 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Descontinuado en sic -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W4MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x9) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 Volante 64 Mbbit 70 ns Psram 4m x 16 Paralelo 70ns
M29W160FB70N3E Micron Technology Inc. M29W160FB70N3E -
RFQ
 ECAD 1208 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 16mbit 70 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 70ns
MT35XU02GCBA2G12-0AUT Micron Technology Inc. MT35XU02GCBA2G12-0AUT 49.0500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. XCCELA ™ - MT35X Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C Montaje en superficie 24-tbGa MT35XU02 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.122 200 MHz No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Autobús xcela -
PN28F256M29EWHD Micron Technology Inc. PN28F256M29EWHD -
RFQ
 ECAD 4619 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - PN28F256M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 576 No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 100ns
MT49H32M9FM-25 TR Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25 TR -
RFQ
 ECAD 8921 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFBQ-5 AAT: C TR 7.3000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
M29F400BB90N6 Micron Technology Inc. M29F400BB90N6 -
RFQ
 ECAD 9060 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 90 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 90ns
MT42L128M64D4KJ-3 IT:A Micron Technology Inc. Mt42l128m64d4kj-3 it: a -
RFQ
 ECAD 2555 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 216-vfbga MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 216-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT53E4DCDT-DC TR Micron Technology Inc. MT53E4DCDT-DC TR 22.5000
RFQ
 ECAD 6155 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT53E4 - Alcanzar sin afectado 557-MT53E4DCDT-DCTR 2,000
MT53E256M32D2DS-046 WT:B TR Micron Technology Inc. MT53E256M32D2DS-046 WT: B TR 11.6400
RFQ
 ECAD 9807 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53E256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT53E256M32D2DS-046WT: BTR 2,000 2.133 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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