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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT47H32M16HR-3:G Micron Technology Inc. MT47H32M16HR-3: G -
RFQ
 ECAD 1294 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 333 MHz Volante 512Mbit 450 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F512G08EMCBBJ5-6:B Micron Technology Inc. MT29F512G08EMCBBJ5-6: B -
RFQ
 ECAD 9114 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie - MT29F512G08 Flash - Nand (TLC) 2.7V ~ 3.6V 132-TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1 167 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT58L256V36PS-6 Micron Technology Inc. MT58L256V36PS-6 5.9800
RFQ
 ECAD 266 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 500 166 MHz Volante 8mbit 3.5 ns Sram 256k x 36 Paralelo -
MT48LC8M16A2B4-75:G Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2B4-75: G -
RFQ
 ECAD 1992 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT46H16M32LFCX-5:B Micron Technology Inc. MT46H16M32LFCX-5: B -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (9x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT53D768M32D4CB-053 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53D768M32D4CB-053 WT ES: C -
RFQ
 ECAD 3776 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 1.866 GHz Volante 24 gbit Dracma 768m x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A L:G Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A L: G -
RFQ
 ECAD 3368 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
MT29F8T08GULCEM4-QJ:C TR Micron Technology Inc. MT29F8T08GULCEM4-QJ: C TR 156.3000
RFQ
 ECAD 7737 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT29F8T08GULCEM4-QJ: CTR 2,000
ECF00453ZCN-Y3 Micron Technology Inc. ECF00453ZCN-Y3 -
RFQ
 ECAD 9079 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo ECF00453 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
MT29F128G08CBCEBJ4-37ES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBJ4-37ES: E TR -
RFQ
 ECAD 5976 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT41J512M8RA-15E IT:D Micron Technology Inc. MT41J512M8RA-15E IT: D -
RFQ
 ECAD 4304 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J512M8 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (10.5x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 4 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 8 Paralelo -
N25Q128A13ESEA0F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13SEA0F TR -
RFQ
 ECAD 1289 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SOP2 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT29F512G08CFCBBWP-10:B TR Micron Technology Inc. MT29F512G08CFCBBWP-10: B TR -
RFQ
 ECAD 6334 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F512G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
MT49H32M18CSJ-25E:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M18CSJ-25E: B TR -
RFQ
 ECAD 6021 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
MT41K64M16TW-107 AAT:J TR Micron Technology Inc. MT41K64M16TW-107 AAT: J TR 5.9700
RFQ
 ECAD 724 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K64M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 2,000 933 MHz Volante 1 gbit 20 ns Dracma 64m x 16 Paralelo -
MT47H32M16BN-25:D TR Micron Technology Inc. MT47H32M16BN-25: D TR -
RFQ
 ECAD 6228 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
M29W160ET70ZA6E Micron Technology Inc. M29W160ET70ZA6E -
RFQ
 ECAD 1772 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFBGA M29W160 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 187 No Volátil 16mbit 70 ns Destello 2m x 8, 1m x 16 Paralelo 70ns
MTFC4GLDDQ-4M IT TR Micron Technology Inc. Mtfc4glddq-4m it tr -
RFQ
 ECAD 5413 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa Mtfc4 Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 100 lbGa (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 MMC -
NP8P128A13B1760E Micron Technology Inc. NP8P128A13B1760E -
RFQ
 ECAD 1610 0.00000000 Micron Technology Inc. Omneo ™ Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TC) Montaje en superficie 64-TBGA Np8p128a PCM (PRAM) 2.7V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B 8542.32.0051 1.800 No Volátil 128 Mbbit 115 ns PCM (PRAM) 16m x 8 Paralelo, SPI 115ns
MT53D4DBSB-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DBSB-DC TR -
RFQ
 ECAD 9447 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
MT53D384M32D2DS-046 WT ES:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-046 WT ES: E TR -
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 2.133 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT53B384M16D1Z0APWC1 Micron Technology Inc. MT53B384M16D1Z0APWC1 -
RFQ
 ECAD 4477 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 Volante 6 gbit Dracma 384m x 16 - -
N25Q128A11ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q128A11ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 1550 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q128A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 32m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT40A512M8RH-083E AUT:B Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-083E AUT: B -
RFQ
 ECAD 1079 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.2 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
PN28F256M29EWHD TR Micron Technology Inc. PN28F256M29EWHD TR -
RFQ
 ECAD 4178 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - PN28F256M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Pn28f256m29ewhdtr 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256Mbit 100 ns Destello 32m x 8, 16m x 16 Paralelo 100ns
MT4A1G16KNR-75:E TR Micron Technology Inc. MT4A1G16KNR-75: E TR -
RFQ
 ECAD 1640 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo MT4A1 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
MT58V1MV18FT-7 Micron Technology Inc. MT58V1MV18FT-7 23.5000
RFQ
 ECAD 53 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 2.375V ~ 2.625V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 Volante 18mbit Sram 1m x 18 Paralelo -
MT46H16M32LFB5-5 IT:C TR Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-5 IT: C TR 6.1500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT28F800B3WG-9 T TR Micron Technology Inc. MT28F800B3WG-9 T TR -
RFQ
 ECAD 5517 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F800B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8mbit 90 ns Destello 1m x 8, 512k x 16 Paralelo 90ns
MT41K256M16HA-107 IT:E TR Micron Technology Inc. MT41K256M16HA-107 IT: E TR -
RFQ
 ECAD 8200 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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