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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53E2G32D4DE-046 WT:A TR Micron Technology Inc. MT53E2G32D4DE-046 WT: A TR 47.4300
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E2G32D4DE-046WT: ATR 2,000 2.133 GHz Volante 64 GBIT 3.5 ns Dracma 2G x 32 Paralelo 18ns
MT53D512M32D2NP-046 AIT:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AIT: D -
RFQ
 ECAD 5411 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
N25Q256A13EF8A0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A13EF8A0F TR -
RFQ
 ECAD 9869 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q256A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
EDB8132B4PM-1DAT-F-D TR Micron Technology Inc. EDB8132B4PM-1DAT-FD TR -
RFQ
 ECAD 5849 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA EDB8132 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EDB8132B4PM-1DAT-F-DTR EAR99 8542.32.0036 2,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 Paralelo -
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AKCABH2-10ITZ: A 159.3000
RFQ
 ECAD 983 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.120 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT58L64L18DT-10 Micron Technology Inc. MT58L64L18DT-10 7.0500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2B 8542.32.0041 500 100 MHz Volante 1 mbit 5 ns Sram 64k x 18 Paralelo -
MT46V8M16P-6TIT:DTR Micron Technology Inc. MT46V8M16P-6TIT: DTR -
RFQ
 ECAD 7375 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V8M16 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 167 MHz Volante 128 Mbbit 700 PS Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
MT29F128G08AMCABK3-10ITZ:A Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABK3-10ITZ: A -
RFQ
 ECAD 5765 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
EDFA164A2PF-JD-F-D Micron Technology Inc. EDFA164A2PF-JD-FD -
RFQ
 ECAD 9506 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edfa164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 1.260 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 Paralelo -
M29F400FT55M3F2 TR Micron Technology Inc. M29F400FT55M3F2 TR -
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 55 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 55ns
MT29F64G08CBAAAL74A3WC1 Micron Technology Inc. Mt29f64g08cbaaal74a3wc1 -
RFQ
 ECAD 3547 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V Morir - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT29F2G08ABAGAWP-AATES:G Micron Technology Inc. MT29F2G08ABAGAWP-AATES: G 5.4935
RFQ
 ECAD 9732 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F2G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 960 No Volátil 2 GBIT Destello 256m x 8 Paralelo -
MT53D1G64D8NW-062 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D1G64D8NW-062 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 7728 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.190 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MT53D4DADT-DC TR Micron Technology Inc. MT53D4DADT-DC TR -
RFQ
 ECAD 2839 0.00000000 Micron Technology Inc. * Tape & Reel (TR) Activo MT53D4 - Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000
MT62F768M64D4EK-023 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F768M64D4EK-023 AAT: B TR 47.8950
RFQ
 ECAD 4293 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA MT62F768 SDRAM - Mobile LPDDR5 - 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F768M64D4EK-023AAT: BTR 1.500 3.2 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 Paralelo -
MT52L256M32D1PU-107 WT:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT: B -
RFQ
 ECAD 2397 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.008 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT53D384M32D2DS-053 AUT:E TR Micron Technology Inc. MT53D384M32D2DS-053 AUT: E TR -
RFQ
 ECAD 8827 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.866 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT41K256M16TW-17 XIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-17 XIT: P TR -
RFQ
 ECAD 1888 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 2,000 Volante 4 gbit Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT48LC32M16A2TG-75 IT:C TR Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2TG-75 IT: C TR -
RFQ
 ECAD 3217 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC32M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
N25Q128A13BF840F TR Micron Technology Inc. N25Q128A13BF840F TR -
RFQ
 ECAD 2232 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8-vdfn N25Q128A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-VDFPN (MLP8) (8x6) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 108 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 5 ms
MT62F1G64D8EK-031 AAT:B Micron Technology Inc. MT62F1G64D8EK-031 AAT: B 62.0700
RFQ
 ECAD 1191 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Caja Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 441-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: B 1 3.2 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 Paralelo -
MTFC32GAMAKAM-WT ES Micron Technology Inc. Mtfc32gamakam-wt es -
RFQ
 ECAD 2630 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - Mtfc32g Flash - nand - - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.520 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT29VZZZAD8FQFSL-046 WJ.G8K Micron Technology Inc. Mt29vzzzad8fqfsl-046 wj.g8k 47.1600
RFQ
 ECAD 8378 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-mt29vzzzad8fqfsl-046wj.g8k 1
MT29F4G16ABAEAWP:E Micron Technology Inc. MT29F4G16ABAEAWP: E -
RFQ
 ECAD 2871 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT29F1G08ABAFAH4-ITE:F TR Micron Technology Inc. Mt29f1g08abafah4-ite: f tr -
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT29F256G08CMCABH2-10Z:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-10Z: A -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F256G08CJABAWP:B Micron Technology Inc. MT29F256G08CJABAWP: B -
RFQ
 ECAD 8182 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -MT29F256G08CJABAWP: B 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT49H32M9FM-25:B Micron Technology Inc. MT49H32M9FM-25: B -
RFQ
 ECAD 1210 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
M29F002BB70K6E Micron Technology Inc. M29F002BB70K6E -
RFQ
 ECAD 6913 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M29F002 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 32 No Volátil 2 mbit 70 ns Destello 256k x 8 Paralelo 70ns
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B Micron Technology Inc. MT29F512G08AUCBBH8-6IT: B -
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F512G08 Flash - Nand (SLC) 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 166 MHz No Volátil 512 GBIT Destello 64g x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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