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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G4HX-093E: A | - |  | 9682 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A1G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.066 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | ||||
| Mt53d8danw-dc | - | | 6955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | MT53D8 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | ||||||||||||||||||
 | Mt25tl256haa1esf-0aat tr | - | | 8002 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
 | N25Q256A13EF8A0F TR | - | | 9869 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q256A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| M58WR064KU70ZA6E | - | | 4890 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 88-vfbga | M58WR064 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 88-vfbga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,100 | 66 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | M29F800FT55N3E2 | - | | 3105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29F800 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8mbit | 55 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 55ns | |||
 | N25Q256A83E1240E | - | | 3273 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | N25Q256A83 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-T-PBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-1567 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.122 | 108 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 64m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | ||
 | MT40A4G8NEA-062E: F | 52.5000 | | 7506 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Twindie ™ | Banda | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A4G8NEA-062E: F | 1.260 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 4g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29VZZZCD91SKSM-046 W.17Y | 49.5750 | | 2615 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | - | ROHS3 Cumplante | 557-MT29VZZZCD91SKSM-046W.17Y | 1 | ||||||||||||||||||||
| Mt25qu128aba8esf-0aat tr | 3.4195 | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 16-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
| MT62F1G64D8EK-031 AAT: B | 62.0700 | | 1191 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F1G64D8EK-031AAT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT46V32M8FG-75 L: G | - | | 5837 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-FBGA | Mt46v32m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x14) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | Mt29f8g08adadah4-it: D | 12.0400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MTFC32GJGDQ-AT TR | - | | 7280 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | |||||
 | MT41K512M8RH-125 XIT: E | - | | 1810 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.260 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| MT29F2T08CQHBBG2-3R: B | - | | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F2T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 272-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 980 | 333 MHz | No Volátil | 2Tbit | Destello | 256g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D1G64D4NW-046 WT: A TR | - | | 3802 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 557-MT53D1G64D4NW-046WT: ATR | Obsoleto | 1,000 | ||||||||||||||||||
| MTFC64GAOAMEA-WT ES TR | - | | 6892 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | MTFC64 | - | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
 | MT53D1024M32D4DT-053 WT: D TR | - | | 7050 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | |||
 | MT48LC4M32LFF5-10: G | - | | 7065 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46V16M8P-6T: D | - | | 1170 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v16m8 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 700 PS | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT53B4DCNK-DC TR | - | | 2188 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | Montaje en superficie | 366-WFBGA | Mt53b4 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | Volante | Dracma |
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