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Memoria (10402)

Número de Producto	Precios (USD)	Cantidad	Cantidad Disponible	MFR	Serie	Pavimento	Estado del Producto	Temperatura de FuncionAmiento	Tipo de Montaje	Paquete / Estuche	Base Número de Producto	Tecnología	Voltaje - Suministro	Paquete de dispositivos de probador	Ficha de datos	Estado de Rohs	Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL)	Estatus de Alcance	Otros nombres	ECCN	Htsus	Paquete estándar	FRECUENCIA DE RELOJ	Tipo de Memoria	Tamaña de Memoria	TIempo de Acceso	Formato de Memoria	Organización de la Memoria	Interfaz de Memoria	Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT28F640J3RG-115 GMET TR	-	RFQ	2199	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT28F640J3	Destello	2.7V ~ 3.6V	56-TSOP	descascar	Rohs no conforme	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	64 Mbbit	115 ns	Destello	8m x 8, 4m x 16	Paralelo	-
M25P20-VMN6T TR	-	RFQ	5587	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho)	M25P20	Flash - Ni	2.3V ~ 3.6V	8-SO	descascar	Rohs no conforme	No Aplicable	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	2.500	50 MHz	No Volátil	2 mbit		Destello	256k x 8	SPI	15 ms, 5 ms
MT28F400B5WG-8 BET TR	-	RFQ	2821	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	MT28F400B5	Flash - Ni	4.5V ~ 5.5V	48-TSOP I	descascar	Rohs no conforme	1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0071	1,000		No Volátil	4mbit	80 ns	Destello	512k x 8, 256k x 16	Paralelo	80NS
MT53D384M16D1NY-046 XT ES: D	-	RFQ	4671	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	-30 ° C ~ 105 ° C (TC)			MT53D384	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V		-		1 (ilimitado)			Obsoleto	0000.00.0000	1.190	2.133 GHz	Volante	6 gbit		Dracma	384m x 16	-	-
PC28F128M29EWLA	-	RFQ	1273	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	64 lbGa	PC28F128	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	64-FBGA (11x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,104		No Volátil	128 Mbbit	60 ns	Destello	16m x 8, 8m x 16	Paralelo	60ns
MT53B512M32D2NP-062 AIT: C	-	RFQ	2580	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53B512	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-			Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.360	1.6 GHz	Volante	16 gbit		Dracma	512m x 32	-	-
MT53B384M32D2NP-062 AIT: B TR	-	RFQ	8690	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53B384	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	2,000	1.6 GHz	Volante	12 gbit		Dracma	384m x 32	-	-
MT29F64G08CBCABH1-12Itz: A TR	-	RFQ	1670	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	100-VBGA	MT29F64G08	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	100-VBGA (12x18)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000	83 MHz	No Volátil	64 GBIT		Destello	8g x 8	Paralelo	-
MT40A2G8FSE-093E: A	-	RFQ	8494	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	0 ° C ~ 95 ° C (TC)	Montaje en superficie	78-TFBGA	MT40A2G8	SDRAM - DDR4	1.14V ~ 1.26V	78-FBGA (9.5x13)	-		1 (ilimitado)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0036	1.020	1.066 GHz	Volante	16 gbit		Dracma	2G x 8	Paralelo	-
MT48LC4M32LFF5-8: G TR	-	RFQ	7792	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 70 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT48LC4M32	SDRAM - LPSDR MÓVIL	3V ~ 3.6V	90-vfbga (8x13)	descascar	Rohs no conforme	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0002	1,000	125 MHz	Volante	128 Mbbit	7 ns	Dracma	4m x 32	Paralelo	15ns
MT53D8DATZ-DC	-	RFQ	8277	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto		-	-	MT53D8	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		Obsoleto	0000.00.0000	1.190		Volante			Dracma		-	-
Nand04gr3b2dn6e	-	RFQ	8043	Micron Technology Inc.	-	Banda	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	Nand04g	Flash - nand	1.7V ~ 1.95V	48-TSOP	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado	-Nand04gr3b2dn6e	3A991B1A	8542.32.0071	576		No Volátil	4 gbit	25 ns	Destello	512m x 8	Paralelo	25ns
MT53E256M32D2DS-053 WT: B TR	-	RFQ	8401	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	200 WFBGA	MT53E256	SDRAM - Mobile LPDDR4	1.1V	200-WFBGA (10x14.5)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)		MT53E256M32D2DS-053WT: BTR	EAR99	8542.32.0036	2,000	1.866 GHz	Volante	8 gbit		Dracma	256m x 32	-	-
Mt29f4g01adagdsf-it: g tr	-	RFQ	2132	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho)	MT29F4G01	Flash - nand	2.7V ~ 3.6V	16-SO	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	4 gbit		Destello	4g x 1	SPI	-
PC48F4400P0VB0EE	-	RFQ	6073	Micron Technology Inc.	Axcell ™	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	64 lbGa	PC48F4400	Flash - Ni	1.7v ~ 2v	64-Easybga (10x13)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	136	52 MHz	No Volátil	512Mbit	100 ns	Destello	32m x 16	Paralelo	100ns
MT48H16M32L2F5-8	-	RFQ	6181	Micron Technology Inc.	-	Caja	Descontinuado en sic	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	90-vfbga	MT48H16M32	SDRAM - LPSDR MÓVIL	1.7V ~ 1.9V	90-vfbga (8x13)	descascar	Rohs no conforme	2 (1 Año)	Alcanzar sin afectado		EAR99	8542.32.0024	1,000	125 MHz	Volante	512Mbit	7.5 ns	Dracma	16m x 32	Paralelo	-
MT47H128M8CF-187E: H TR	-	RFQ	8740	Micron Technology Inc.	-	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	0 ° C ~ 85 ° C (TC)	Montaje en superficie	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM - DDR2	1.7V ~ 1.9V	60-FBGA (8x10)	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			EAR99	8542.32.0032	1,000	533 MHz	Volante	1 gbit	350 ps	Dracma	128m x 8	Paralelo	15ns
Mt29c4g48mazbaaks-5 wt	-	RFQ	2828	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	137-vfbga	MT29C4G48	Flash - Nand, Lpdram Móvil	1.7V ~ 1.95V	137-vfbga (13x10.5)	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000	200 MHz	No Volátil, Volátil	4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDRAM)		Flash, ram	256m x 16 (nand), 128m x 16 (LPDRAM)	Paralelo	-
MT62F1536M32D4DS-023 AAT: B	47.8950	RFQ	9560	Micron Technology Inc.	Automotriz, AEC-Q100	Caja	Activo	-40 ° C ~ 105 ° C	Montaje en superficie	200 WFBGA		SDRAM - Mobile LPDDR5	-	200-WFBGA (10x14.5)	-				557-MT62F1536M32D4DS-023AAT: B			1	3.2 GHz	Volante	48 GBIT		Dracma	768m x 64	Paralelo	-
MTFC128GAOANEA-WT ES TR	-	RFQ	2151	Micron Technology Inc.	E • MMC ™	Tape & Reel (TR)	Obsoleto	-25 ° C ~ 85 ° C (TA)			MTFC128	Flash - nand	-		-		1 (ilimitado)			3A991B1A	8542.32.0071	1,000		No Volátil	1Tbit		Destello	128g x 8	MMC	-
M29W320DT90N6	-	RFQ	2151	Micron Technology Inc.	-	Banda	Obsoleto	-40 ° C ~ 85 ° C (TA)	Montaje en superficie	48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho)	M29W320	Flash - Ni	2.7V ~ 3.6V	48-TSOP I	descascar	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)	Alcanzar sin afectado		3A991B1A	8542.32.0071	96		No Volátil	32Mbit	90 ns	Destello	4m x 8, 2m x 16	Paralelo	90ns
DC0232A-D	-	RFQ	2349	Micron Technology Inc.	-	Una granela	Obsoleto		-	-				-	-	ROHS3 Cumplante	3 (168 Horas)			Obsoleto	0000.00.0000	1.900

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Volumen de RFQ promedio diario
30,000,000
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Memoria (10402)

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2800+

15,000 m2

15,000 m²