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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41J256M8HX-15E: D TR | - |  | 8321 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
 | MT29F4G08AACHC: C | - | | 7224 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT28F640J3RP-115 ET | - | | 7971 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28F640J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 Mbbit | 115 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | - | |||
 | Nand08GAH0JZC5E | - | | 2687 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-LFBGA | Nand08g | Flash - nand | 3.135V ~ 3.465V | 153-LFBGA (11.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand08GAH0JZC5E | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | 52 MHz | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | MMC | - | ||
 | MT41K128M16JT-107 IT: K | 4.5806 | | 1667 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K128M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | - | ||
 | MT45W4MW16BCGB-701 WT TR | - | | 4987 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT29F8G08ABABAWP-IT: B | - | | 3375 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT53D1536M32D6BE-046 WT: D | - | | 5800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53D1536 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT53D1536M32D6BE-046WT: D | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 1.5GX 32 | - | - | ||||
| MT41J256M8HX-15E: D | - | | 3571 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J256M8 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | ||
| MT41J64M16JT-15E AAT: G TR | - | | 8800 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41J64M16 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | - | |||
 | MT53E256M16D1FW-046 AUT: B TR | 10.8000 | | 7411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | 557-MT53E256M16D1FW-046AUT: BTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 18ns | |||||||
 | PC28F512M29EWHG | - | | 3297 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | PC28F512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 184 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 64m x 8, 32m x 16 | Paralelo | 100ns | |||
 | MT41K256M8DA-15E: M | - | | 1744 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.5 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | |||
| PF58F0121M0Y0BEA | - | | 5483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | PF58F0121M0 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 290 | |||||||||||||||||
| Mt42l64m64d2mp-25 it: a | - | | 7307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 220-WFBGA | MT42L64M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 220-FBGA (14x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 64m x 64 | Paralelo | - | ||||
| JS28F640J3D75E | - | | 6669 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | JS28F640J3 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 64 Mbbit | 75 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 75ns | |||
 | MT29F256G08CJABAWP-IT: B TR | - | | 9831 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT29F8T08EWLEEM5-QA: E | - | | 7472 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | - | 557-mt29f8t08ewleem5-qa: e | Obsoleto | 1 | ||||||||||||||||||||
| MT53E512M64D4NK-046 WT: D | - | | 6171 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 366-WFBGA | MT53E512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 366-WFBGA (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E512M64D4NK-046WT: D | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||
 | MT25Qu128ABA8E54-0SIT TR | 3.9000 | | 8010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 15-XFBGA, WLCSP | MT25Qu128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 15-xfwlbga | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | |||
 | MT47H256M4B7-5E: A TR | - | | 2457 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 92-TFBGA | MT47H256M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 92-FBGA (11x19) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 600 PS | Dracma | 256m x 4 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT44K32M18RB-125: A TR | - | | 2596 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K32M18 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 576Mbit | 12 ns | Dracma | 32m x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT53D384M32D2DS-046 AAT: E | - | | 8977 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | |||
 | MT40A4G4DVN-062H: E | - | | 9411 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A4G4 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (7.5x11) | descascar | 557-MT40A4G4DVN-062H: E | Obsoleto | 8542.32.0071 | 210 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | 27 ns | Dracma | 4g x 4 | Paralelo | - | ||||
 | MT29F256G08EECBBJ4-6: B TR | - | | 7307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 167 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT29F2T08EMLEEJ4-M: E TR | 42.9300 | | 6788 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | - | 557-MT29F2T08EMLEEJ4-M: ETR | 2,000 | |||||||||||||||||||||
 | MT57V512H36AF-7.5 | 17.3600 | | 41 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | Sram - Sincónnico | 2.4V ~ 2.6V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 3.6 ns | Sram | 512k x 36 | Hstl | - | ||||||
 | MT58L128L32F1T-8.5 | 3.0700 | | 3090 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L128L32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 4mbit | 8.5 ns | Sram | 128k x 32 | Paralelo | - | ||
| MT29F1T08EELEJ4-QJ: E | 26.4750 | | 2373 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | - | 557-MT29F1T08EELEJ4-QJ: E | 1 | |||||||||||||||||||||
| MT47H512M4THN-25E: M | - | | 1672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | MT47H512M4 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 63-FBGA (8x10) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.518 | 400 MHz | Volante | 2 GBIT | 400 ps | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | 15ns |
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