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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MTFC8GACAENS-IT TR | - |  | 5150 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 153-TFBGA | MTFC8 | 153-TFBGA (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MTFC8GACAENS-ITTR | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||
 | PC28F256G18AF TR | - | | 8944 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | PC28F256 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-Easybga (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | 96 ns | Destello | 16m x 16 | Paralelo | 96ns | ||||
 | MT29F512G08CUCABJ3-10RZ: A | - | | 4619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132 lbGa | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT41K512M8DA-107 V: P | 7.6884 | | 8926 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | No hay para Nuevos Diseños | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K512M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.440 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
 | EDB8132B4PB-8D-FD | - | | 2010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | EDB8132 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.680 | 400 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | Mt29f8g08adafawp-aat: F | 12.8500 | | 241 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT41K1G4RH-107: E TR | - | | 1743 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K1G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | ||||
| M29W800FT70N3E | - | | 6588 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | |||||
| MT53B256M32D1NK-062 XTS: C TR | - | | 7854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 1.6 GHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||
| M50FW040NB5G | - | | 7239 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | M50FW040 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 32-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | 33 MHz | No Volátil | 4mbit | 250 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29C4G96MAZBBCJG-48 IT TR | - | | 4943 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | 168-WFBGA (12x12) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 208 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | ||||
| MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR | - | | 6113 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | MT29RZ4 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT29F256G08AUCABH3-10IT: A TR | - | | 6484 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | Mtfc32gjved-it | - | | 3163 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 169-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 169-vfbga (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
 | M29W320DB70N3F TR | 1.8532 | | 5523 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W320 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | 70ns | Sin verificado | |||
 | Mt29f1g08abadah4-e: D | - | | 5619 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||||
| MT62F768M32D2DS-023 FAAT: B TR | 25.6500 | | 3828 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | - | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F768M32D2DS-023FAAT: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT52L512M32D2PF-093 WT: B | - | | 9388 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L512 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
| Nand512r3a2sza6f | - | | 8813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-TFBGA | Nand512 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 512Mbit | 50 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 50ns | |||||
| MT52L256M64D2QA-125 XT: B | - | | 5805 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | - | - | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.190 | 800 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
 | MT29F256G08AUAAAC5-ITZ: A | - | | 9906 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F256G08 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||||
| MT48LC16M8A2BB-6A AAT: L TR | - | | 5062 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT48LC16M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 60-FBGA (8x16) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2,000 | 167 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 8 | Paralelo | 12ns | |||
| MT53B512M64D4NW-062 WT ES: C | - | | 6258 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.6 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | ||||
| Mtfc32gamakam-wt | - | | 8226 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | Mtfc32g | Flash - nand | - | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.520 | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | MMC | - | ||||||
| MT53D768M64D8SQ-046 WT ES: E TR | - | | 9311 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-vfbga | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 556-vfbga (12.4x12.4) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | ||||||
 | MT53E512M16D1FW-046 AIT: D TR | 9.3750 | | 3734 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M16D1FW-046AIT: DTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 18ns | ||||||||
 | MT44K16M36RB-107: A | - | | 2021 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-TBGA | MT44K16M36 | Dracma | 1.28V ~ 1.42V | 168-BGA (13.5x13.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 576Mbit | 10 ns | Dracma | 16m x 36 | Paralelo | - | ||||
| MT53E512M32D2FW-046 AUT: D TR | - | | 2642 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 200-TFBGA (10x14.5) | - | 557-MT53E512M32D2FW-046AUT: DTR | 1 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | 3.5 ns | Dracma | 512m x 32 | Paralelo | 18ns | ||||||||
 | MTFC32GASAQHD-AAT TR | 19.1400 | | 1955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Mtfc32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MTFC32GASAQHD-AATTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC | - | |||||
 | MT53D1024M64D8NW-053 WT: D | - | | 2417 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 432-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 432-vfbga (15x15) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 64 GBIT | Dracma | 1g x 64 | - | - |
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