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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT40A1G16TB-062E: F TR | 13.5900 |  | 9072 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT40A1G16 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 96-FBGA (7.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT40A1G16TB-062E: FTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.5 GHz | Volante | 16 gbit | 19 ns | Dracma | 1g x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | Mt29f1g08abadah4-ite: D | - | | 2641 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M29w800fb7an6f tr | - | | 6098 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 8mbit | 70 ns | Destello | 1m x 8, 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT46V64M8P-5B L IT: F | - | | 1307 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | Mt46v64m8 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 66-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT62F2G64D8EK-023 AAT: B TR | 126.4350 | | 9278 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 441-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 441-TFBGA (14x14) | - | 557-MT62F2G64D8EK-023AAT: BTR | 2,000 | 4.266 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | - | ||||||||
| MT52L4DBPG-DC TR | - | | 5527 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | MT52L4 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | ||||||||||||||||||
 | MT29F512G08CFCBBWP-10ES: B TR | - | | 7318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | |||
| MT41K2G4TRF-125: E | - | | 5022 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (9.5x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 8 gbit | 13.5 ns | Dracma | 2G x 4 | Paralelo | - | ||
| MT46H16M32LFBQ-5 AIT: C TR | - | | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT46V32M16CY-5B AIT: J | - | | 4796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT42L128M64D2MC-25 WT: A | - | | 2870 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 240 WFBGA | MT42L128M64 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.3V | 240-FBGA (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 128m x 64 | Paralelo | - | ||||
| MT29F4G16ABBFAH4-AATES: F | - | | 9723 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F4G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT51J256M32HF-60: A | - | | 4946 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 170-TFBGA | MT51J256 | SGRAM - GDDR5 | 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V | 170-FBGA (12x14) | descascar | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.260 | 1.5 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | EDB8132B4PM-1DAT-FR TR | - | | 3813 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 168-WFBGA | EDB8132 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 168-FBGA (12x12) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
 | MT46H4M32LFB5-6 EN: K TR | - | | 5356 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H4M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53E128M16D1DS-053 WT: A | - | | 9214 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053WT: A | Obsoleto | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | MT58L512L18PS-10 | 8.0000 | | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L512L18 | Sram - Sincónnico | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 8mbit | 5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
| MT62F1G32D4DR-031 WT: B | 23.5200 | | 7531 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | - | - | 557-MT62F1G32D4DR-031WT: B | 1 | 3.2 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
| MT41J1G4THD-15E: D | - | | 1854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J1G4 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | |||
 | MT57W512H36JF-5 | 28.0100 | | 262 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | MT57W512H | SRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volante | 18mbit | 5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
| MT53B512M32D2DS-062 AAT: C | - | | 9105 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53B512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.6 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | |||
| MT53B256M64D2NK-053 WT: C | - | | 3184 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | MT53B256 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | 1.866 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | ||||
 | M45PE20S-VMN6TP TR | - | | 3369 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M45PE20 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 2 mbit | Destello | 256k x 8 | SPI | 15 ms, 3 ms | ||||
 | MT29F128G08AMCDBJ5-6IT: D | - | | 7696 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | - | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 132-TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 167 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | |||
| M36P0R8060E0ZAQF TR | - | | 7984 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | M36P0R8060 | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | ||||||||||||||||
 | Edb2432b4ma-1daat-fd | - | | 1852 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | Edb2432 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-vfbga (10x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,100 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | - | |||
 | N25Q128A13EF8A0F TR | - | | 9470 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | N25Q128A13 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-VDFPN (MLP8) (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 108 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 32m x 4 | SPI | 8 ms, 5 ms | |||
| MT46H32M32LFB5-5 EN: B | - | | 5517 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 1 gbit | 5 ns | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT28EW01GABA1HJS-0SIT TR | 14.9250 | | 8960 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT28EW01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 1 gbit | 95 ns | Destello | 128m x 8, 64m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
| M58WR032KB70ZB6W TR | - | | 4122 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58WR032 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns |
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