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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT29F4G08ABBDAH4:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBDAH4: D 4.0428
RFQ
 ECAD 2512 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR Micron Technology Inc. MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112 TR 20.2200
RFQ
 ECAD 2110 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 149-vfbga Flash - Nand (SLC), DRAM - LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 149-vfbga (8x9.5) - 557-MT29GZ6A6BPIET-53AAT.112TR 2,000 No Volátil, Volátil 8 gbit 25 ns Flash, ram 1g x 8 Onde 30ns
MT47H64M16HR-3 L:H TR Micron Technology Inc. MT47H64M16HR-3 L: H TR -
RFQ
 ECAD 9120 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H64M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (8x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0032 1,000 333 MHz Volante 1 gbit 450 ps Dracma 64m x 16 Paralelo 15ns
M36P0R8060E0ZAQF TR Micron Technology Inc. M36P0R8060E0ZAQF TR -
RFQ
 ECAD 7984 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto M36P0R8060 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500
MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X Micron Technology Inc. MT29VZZZBD91SLSM-046 W.17X 40.8150
RFQ
 ECAD 9064 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo - 557-MT29VZZZBD91SLSM-046W.17X 1
MT40A2G8NRE-083E:B Micron Technology Inc. MT40A2G8NRE-083E: B -
RFQ
 ECAD 5313 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A2G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (8x12) - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.140 1.2 GHz Volante 16 gbit Dracma 2G x 8 Paralelo -
MT48LC32M16A2P-75 L:C Micron Technology Inc. MT48LC32M16A2P-75 L: C -
RFQ
 ECAD 3615 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC32M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 512Mbit 5.4 ns Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT29F16G08ABABAWP:B TR Micron Technology Inc. MT29F16G08ABABAWP: B TR -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
M25P80-VMN6TP TR Micron Technology Inc. M25P80-VMN6TP TR -
RFQ
 ECAD 6444 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P80 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 8mbit Destello 1m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT52L8DBQC-DC Micron Technology Inc. MT52L8DBQC-DC -
RFQ
 ECAD 8387 0.00000000 Micron Technology Inc. * Una granela Activo MT52L8 - 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 1
MT53B256M64D2TP-062 L XT:C Micron Technology Inc. MT53B256M64D2TP-062 L XT: C -
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) - - MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.120 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT41K128M16JT-125 AAT:K Micron Technology Inc. MT41K128M16JT-125 AAT: K -
RFQ
 ECAD 4302 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K128M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
MT29F1G16ABBEAMD-IT:E Micron Technology Inc. MT29F1G16ABBEAMD-IT: E -
RFQ
 ECAD 6194 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 130-vfbga MT29F1G16 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 130-vfbga (8x9) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 1 gbit Destello 64m x 16 Paralelo -
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G TR Micron Technology Inc. MT48LC8M16LFF4-75 IT: G TR -
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 54-vfbga MT48LC8M16 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 54-vfbga (8x8) descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0002 1,000 133 MHz Volante 128 Mbbit 5.4 ns Dracma 8m x 16 Paralelo 15ns
M25P10-AVMN6P Micron Technology Inc. M25P10-AVMN6P -
RFQ
 ECAD 4553 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) M25P10 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 8-SO descascar ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 50 MHz No Volátil 1 mbit Destello 128k x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT53B4DBDT-DC Micron Technology Inc. Mt53b4dbdt-dc -
RFQ
 ECAD 9040 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto Mt53b4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - Obsoleto 1.360 Volante Dracma
MT46V64M8P-5B:F Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: F -
RFQ
 ECAD 6242 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT41K256M16TW-107 XIT:P TR Micron Technology Inc. MT41K256M16TW-107 XIT: P TR 10.6400
RFQ
 ECAD 12 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K256M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 4 gbit 20 ns Dracma 256m x 16 Paralelo -
MT29F8G08FACWP:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08FACWP: C TR -
RFQ
 ECAD 2638 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
NAND04GW3C2BN6E Micron Technology Inc. Nand04gw3c2bn6e -
RFQ
 ECAD 6688 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) Nand04g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand04gw3c2bn6e 3A991B1A 8542.32.0071 576 No Volátil 4 gbit 25 ns Destello 512m x 8 Paralelo 25ns
MT46V16M16P-5B IT:M TR Micron Technology Inc. MT46V16M16P-5B IT: M TR -
RFQ
 ECAD 1570 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V16M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 16m x 16 Paralelo 15ns
EDF8164A3MC-GD-F-R Micron Technology Inc. EDF8164A3MC-GD-FR -
RFQ
 ECAD 1356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT29F4G16ABADAWP-IT:D TR Micron Technology Inc. Mt29f4g16abadawp-it: d tr -
RFQ
 ECAD 5344 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F4G16 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 256m x 16 Paralelo -
MT53B128M32D1DS-062 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53B128M32D1DS-062 AIT: A TR -
RFQ
 ECAD 2794 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 - -
PC28F512P33EF0 Micron Technology Inc. PC28F512P33EF0 -
RFQ
 ECAD 4194 0.00000000 Micron Technology Inc. Axcell ™ Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA PC28F512 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 64-Easybga (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 184 52 MHz No Volátil 512Mbit 95 ns Destello 32m x 16 Paralelo 95ns
MTFC16GAKAECN-5M AIT Micron Technology Inc. MTFC16GAKAECN-5M AIT -
RFQ
 ECAD 2516 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 153-vfbga MTFC16 Flash - nand 1.7V ~ 1.9V 153-vfbga (11.5x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 MMC -
MT46V32M16FN-5B:C Micron Technology Inc. MT46V32M16FN-5B: C -
RFQ
 ECAD 6386 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 60-TFBGA MT46V32M16 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-FBGA (10x12.5) - Rohs no conforme 5 (48 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT53D512M32D2NP-046 WT ES:D Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 WT ES: D -
RFQ
 ECAD 2275 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT53D768M64D4SQ-053 WT ES:A TR Micron Technology Inc. MT53D768M64D4SQ-053 WT ES: A TR -
RFQ
 ECAD 8332 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1.866 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT41J512M4HX-125:D Micron Technology Inc. MT41J512M4HX-125: D -
RFQ
 ECAD 4823 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41J512M4 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-FBGA (9x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 512m x 4 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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