SIC
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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M32D2DS-062 AUT: B TR -
RFQ
 ECAD 8189 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.6 GHz Volante 12 gbit Dracma 384m x 32 - -
MT48LC16M16A2P-6A:D Micron Technology Inc. MT48LC16M16A2P-6A: D -
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) MT48LC16M16A2 Sdram 3V ~ 3.6V 54-TSOP II descascar ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 16m x 16 Paralelo 12ns
MT29F128G08AUCBBH3-12:B Micron Technology Inc. MT29F128G08AUCBBH3-12: B -
RFQ
 ECAD 8531 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 lbGa MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 lbGa (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT46H256M32L4JV-5 WT:B Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 WT: B -
RFQ
 ECAD 5551 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
MT41K1G8THE-15E:D Micron Technology Inc. Mt41k1g8the-15e: D -
RFQ
 ECAD 4182 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT41K1G8 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-FBGA (10.5x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 667 MHz Volante 8 gbit 13.5 ns Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR Micron Technology Inc. MT25QL128ABB1EW7-CSIT TR -
RFQ
 ECAD 2737 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie Almohadilla exposición de 8 wdfn MT25QL128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (6x5) (MLP8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 4.000 133 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
JS28F064M29EWLB TR Micron Technology Inc. JS28F064M29EWLB TR -
RFQ
 ECAD 8700 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F064M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1.600 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
M58LT128KSB8ZA6E Micron Technology Inc. M58LT128KSB8ZA6E -
RFQ
 ECAD 8359 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M58LT128 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 64-TBGA (10x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 52 MHz No Volátil 128 Mbbit 85 ns Destello 8m x 16 Paralelo 85ns
MT46H128M16LFDD-48 AIT:C TR Micron Technology Inc. MT46H128M16LFDD-48 AIT: C TR 14.8400
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-vfbga MT46H128M16 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-vfbga (8x9) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 208 MHz Volante 2 GBIT 5 ns Dracma 128m x 16 Paralelo 14.4ns
MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABABAWP-AITX: B TR -
RFQ
 ECAD 7074 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT47H64M8JN-25E IT:G Micron Technology Inc. Mt47h64m8jn-25e it: g -
RFQ
 ECAD 3165 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT52L256M32D1PU-107 WT ES:B Micron Technology Inc. MT52L256M32D1PU-107 WT ES: B -
RFQ
 ECAD 5864 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V - 1 (ilimitado) EAR99 8542.32.0036 1.008 933 MHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
MT28F400B3WG-8 B TR Micron Technology Inc. MT28F400B3WG-8 B TR -
RFQ
 ECAD 7339 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT28F400B3 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
PF58F0121M0Y0BEA Micron Technology Inc. PF58F0121M0Y0BEA -
RFQ
 ECAD 5483 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto PF58F0121M0 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 290
MT53E512M32D1ZW-046BAIT:B TR Micron Technology Inc. MT53E512M32D1ZW-046BAIT: B TR -
RFQ
 ECAD 1661 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E512M32D1ZW-046BAIT: BTR 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 512m x 32 Paralelo 18ns
MT53D1536M64D8EG-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53D1536M64D8EG-046 WT: A -
RFQ
 ECAD 6779 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT53D1536M64D8EG-046WT: A Obsoleto 1.360
MT29F4G08ABBFAH4-AAT:F TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAH4-AAT: F TR 3.8498
RFQ
 ECAD 3606 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado MT29F4G08ABBFAH4-AAT: FTR 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT29F384G08EBCBBJ4-37:B Micron Technology Inc. MT29F384G08EBCBBJ4-37: B -
RFQ
 ECAD 1039 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 132-VBGA MT29F384G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 132-VBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0036 1.120 267 MHz No Volátil 384 GBIT Destello 48g x 8 Paralelo -
MT46H256M32L4JV-5 IT:A Micron Technology Inc. MT46H256M32L4JV-5 IT: A -
RFQ
 ECAD 5199 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 168-vfbga MT46H256M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 168-vfbga (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 200 MHz Volante 8 gbit 5 ns Dracma 256m x 32 Paralelo 15ns
MT29F4G08ABADAH4-AATX:D Micron Technology Inc. MT29F4G08ABADAH4-AATX: D 5.4563
RFQ
 ECAD 9466 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT53B2DANL-DC Micron Technology Inc. Mt53b2danl-dc -
RFQ
 ECAD 6571 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - - SDRAM - Mobile LPDDR4 - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 960 Volante Dracma
MT45W1MW16BDGB-708 AT TR Micron Technology Inc. MT45W1MW16BDGB-708 EN TR -
RFQ
 ECAD 7934 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 54-vfbga MT45W1MW16 Psram (pseudo sram) 1.7V ~ 1.95V 54-vfbga (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 Volante 16mbit 70 ns Psram 1m x 16 Paralelo 70ns
MT29F16G08CBACBWP-12:C TR Micron Technology Inc. MT29F16G08CBACBWP-12: C TR -
RFQ
 ECAD 5421 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F16G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 16 gbit Destello 2G x 8 Paralelo -
M50FW080K5TG TR Micron Technology Inc. M50FW080K5TG TR -
RFQ
 ECAD 1056 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32 LCC (J-Lead) M50FW080 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 32-PLCC (11.35x13.89) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 750 33 MHz No Volátil 8mbit 250 ns Destello 1m x 8 Paralelo -
NAND02GW3B2DZA6E Micron Technology Inc. Nand02gw3b2dza6e -
RFQ
 ECAD 2107 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-TFBGA Nand02g Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9.5x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado -Nand02gw3b2dza6e 3A991B1A 8542.32.0071 1.260 No Volátil 2 GBIT 25 ns Destello 256m x 8 Paralelo 25ns
MT49H16M36BM-25:B Micron Technology Inc. MT49H16M36BM-25: B -
RFQ
 ECAD 1757 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M36 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0032 1,000 400 MHz Volante 576Mbit 20 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT29F256G08CJAABWP-12:A Micron Technology Inc. MT29F256G08CJAABWP-12: A -
RFQ
 ECAD 5553 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
M25PX64SOVZM6TP TR Micron Technology Inc. M25px64sovzm6tp tr -
RFQ
 ECAD 2377 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa M25PX64 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 75 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 8m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT40A512M8RH-075E IT:B TR Micron Technology Inc. MT40A512M8RH-075E IT: B TR -
RFQ
 ECAD 3452 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A512M8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 512m x 8 Paralelo -
MT40A512M16Z11BWC1 Micron Technology Inc. MT40A512M16Z11BWC1 9.0100
RFQ
 ECAD 4406 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo - Montaje en superficie Morir MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V Objeto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 1 Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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SIC
AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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