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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT53D2G32D8QD-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53D2G32D8QD-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 6529 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53D2G32 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 1.6 GHz Volante 64 GBIT Dracma 2G x 32 - -
MTFC32GJDED-3M WT TR Micron Technology Inc. Mtfc32gjded-3m wt tr -
RFQ
 ECAD 8542 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Tape & Reel (TR) Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 169-vfbga Mtfc32g Flash - nand 1.65V ~ 3.6V 169-vfbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 MMC -
MT41J64M16JT-15E XIT:G Micron Technology Inc. MT41J64M16JT-15E XIT: G -
RFQ
 ECAD 1786 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J64M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (8x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 667 MHz Volante 1 gbit Dracma 64m x 16 Paralelo -
MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G08ABBFAM70A3WC1 3.5200
RFQ
 ECAD 5166 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F4G08 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
MT61M256M32KPA-14 AAT:C TR Micron Technology Inc. MT61M256M32KPA-14 AAT: C TR -
RFQ
 ECAD 8986 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA MT61M256 SGRAM - GDDR6 1.21V ~ 1.29V 180-FBGA (12x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 557-MT61M256M32KPA-14AAT: CTR Obsoleto 2,000 1.5 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 Paralelo -
MT58L256L18P1T-7.5C Micron Technology Inc. MT58L256L18P1T-7.5C 4.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Micron Technology Inc. Syncburst ™ Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP Sram - Estándar 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20.1) descascar No Aplicable 3 (168 Horas) Vendedor indefinido 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 4mbit 4 ns Sram 256k x 18 Paralelo -
EDF8164A3PF-GD-F-R TR Micron Technology Inc. EDF8164A3PF-GD-FR TR -
RFQ
 ECAD 1083 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie - Edf8164 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.14V ~ 1.95V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 800 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MT44K16M36RB-107:A Micron Technology Inc. MT44K16M36RB-107: A -
RFQ
 ECAD 2021 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 168-TBGA MT44K16M36 Dracma 1.28V ~ 1.42V 168-BGA (13.5x13.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0024 1,000 933 MHz Volante 576Mbit 10 ns Dracma 16m x 36 Paralelo -
MT25QL512ABA8E12-1SIT TR Micron Technology Inc. MT25QL512ABA8E12-1SIT TR -
RFQ
 ECAD 4465 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa MT25QL512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 2.500 133 MHz No Volátil 512Mbit Destello 64m x 8 SPI 8 ms, 2.8 ms
MT53D512M64D4HR-053 WT:D Micron Technology Inc. MT53D512M64D4HR-053 WT: D -
RFQ
 ECAD 1916 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 366-WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 366-WFBGA (12x12.7) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT46V64M8P-5B:F TR Micron Technology Inc. MT46V64M8P-5B: F TR -
RFQ
 ECAD 4288 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v64m8 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 200 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT41J128M16HA-125G:D Micron Technology Inc. MT41J128M16HA-125G: D -
RFQ
 ECAD 3398 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41J128M16 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 2 GBIT 13.75 ns Dracma 128m x 16 Paralelo -
M29W640GB70ZS6E Micron Technology Inc. M29W640GB70ZS6E -
RFQ
 ECAD 7657 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-FBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 160 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
M58BW16FB5ZA3F Micron Technology Inc. M58BW16FB5ZA3F -
RFQ
 ECAD 9452 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 80 lbGa M58BW16 Flash - Ni 2.5V ~ 3.3V 80 LBGA (10x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 1 No Volátil 16mbit 55 ns Destello 512k x 32 Paralelo 55ns
MT40A1G8SA-075:E Micron Technology Inc. MT40A1G8SA-075: E 7.9500
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G8 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (7.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.260 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 1g x 8 Paralelo -
MT28EW512ABA1LPC-1SIT Micron Technology Inc. MT28EW512ABA1LPC-1SIT -
RFQ
 ECAD 1983 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW512 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,104 No Volátil 512Mbit 95 ns Destello 64m x 8, 32m x 16 Paralelo 60ns
MT40A1G4RH-075E:B TR Micron Technology Inc. MT40A1G4RH-075E: B TR -
RFQ
 ECAD 1221 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 78-TFBGA MT40A1G4 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 78-FBGA (9x10.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.33 GHz Volante 4 gbit Dracma 1g x 4 Paralelo -
MT48LC8M32LFF5-10 IT Micron Technology Inc. MT48LC8M32LFF5-10 IT -
RFQ
 ECAD 9417 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48LC8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 3V ~ 3.6V 90-vfbga (8x13) - Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 100 MHz Volante 256Mbit 7 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT29F32G08CBADAWP:D Micron Technology Inc. MT29F32G08CBADAWP: D -
RFQ
 ECAD 5528 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F32G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 960 No Volátil 32 GBIT Destello 4g x 8 Paralelo -
MT29F8G08ABACAH4-S:C TR Micron Technology Inc. MT29F8G08ABACAH4-S: C TR -
RFQ
 ECAD 2800 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F8G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 8 gbit Destello 1g x 8 Paralelo -
MT46V32M8TG-75:G Micron Technology Inc. MT46V32M8TG-75: G -
RFQ
 ECAD 9050 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 750 ps Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
M28W640FCB70N6F TR Micron Technology Inc. M28W640FCB70N6F TR -
RFQ
 ECAD 9345 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M28W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 4m x 16 Paralelo 70ns
JR28F032M29EWBA Micron Technology Inc. JR28F032M29EWBA -
RFQ
 ECAD 4504 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JR28F032M29 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 96 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns
JS28F256P33T95A Micron Technology Inc. JS28F256P33T95A -
RFQ
 ECAD 9911 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F256P33 Flash - Ni 2.3V ~ 3.6V 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 96 40 MHz No Volátil 256Mbit 95 ns Destello 16m x 16 Paralelo 95ns
MT40A512M16JY-075E AIT:B Micron Technology Inc. MT40A512M16JY-075E AIT: B -
RFQ
 ECAD 6640 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (8x14) descascar Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.368 1.33 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT46V32M8BG-6 IT:G TR Micron Technology Inc. Mt46v32m8bg-6 it: g tr -
RFQ
 ECAD 2668 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 60-FBGA Mt46v32m8 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 60-FBGA (8x14) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 256Mbit 700 PS Dracma 32m x 8 Paralelo 15ns
MT53D8DBWF-DC TR Micron Technology Inc. MT53D8DBWF-DC TR -
RFQ
 ECAD 3092 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Montaje en superficie 376-WFBGA MT53D8 SDRAM - Mobile LPDDR4 376-WFBGA (14x14) - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 Volante Dracma
MT53E128M16D1DS-053 AIT:A TR Micron Technology Inc. MT53E128M16D1DS-053 AIT: A TR -
RFQ
 ECAD 4114 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) MT53E128 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E128M16D1DS-053AIT: ATR Obsoleto 2,000 1.866 GHz Volante 2 GBIT Dracma 128m x 16 - -
JS28F640P30B85A Micron Technology Inc. JS28F640P30B85A -
RFQ
 ECAD 3347 0.00000000 Micron Technology Inc. Strataflash ™ Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) JS28F640P30 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 56-TSOP descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 576 40 MHz No Volátil 64 Mbbit 85 ns Destello 4m x 16 Paralelo 85ns
MT29F4G08ABCHC-ET:C TR Micron Technology Inc. MT29F4G08ABCHC-ET: C TR -
RFQ
 ECAD 1973 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F4G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (10.5x13) - ROHS3 Cumplante 2 (1 Año) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 4 gbit Destello 512m x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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