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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT41K256M8DA-125 IT: K TR | 4.4332 |  | 4174 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41K256M8 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 78-FBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 256m x 8 | Paralelo | - | |
 | MT29F64G08CBABAWP-IT: B | - | | 2823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||
 | M25P10-AVMN3P/Y | - | | 3931 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M25P10 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 50 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | |||
 | MT53B1DBDS-DC | - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | Volante | Dracma | ||||||||||
 | MT53D768M64D4SQ-053 WT ES: A | - | | 8675 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT53D768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.360 | 1.866 GHz | Volante | 48 GBIT | Dracma | 768m x 64 | - | - | |||||||
| MT29RZ4B2DZZHTB-18W.80F | - | | 2413 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 162-vfbga | MT29RZ4B2 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | 162-vfbga (10.5x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 2GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 128m x 32 (NAND), 64m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | ||
 | MT29F256G08EBHAFJ4-3RES: A TR | - | | 5715 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (TLC) | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | 333 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT48LC16M16A2P-7E IT: G TR | - | | 2792 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC16M16A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 14ns | |
| MT29E1HT08EMHBBJ4-3: B TR | - | | 1499 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29E1HT08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 1.5tbit | Destello | 192G x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F4G16ABCWC: C TR | - | | 5341 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G16 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
| MT29TZZZ8D5JKETS-107 W.95Q | - | | 5161 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 168-vfbga | Mt29tzzz8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR3 | 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V | 168-vfbga (12x12) | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.008 | 933 MHz | No Volátil, Volátil | 64Gbit (NAND), 8GBIT (LPDDR3) | Flash, ram | 68g x 8 (nand), 256m x 32 (LPDDR3) | MMC, LPDRAM | - | |||
 | MT29F64G08CBCABH1-10Z: A TR | - | | 9053 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100-VBGA | MT29F64G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 100-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | ||
| MT41J1G4THD-15E: D | - | | 1854 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J1G4 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 667 MHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 1g x 4 | Paralelo | - | ||
 | MT28F004B3VG-8 TET | - | | 4263 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 40-TFSOP (0.724 ", Ancho de 18.40 mm) | MT28F004B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 40-tsop I | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 80NS | ||
 | MT47H128M8CF-3: H TR | - | | 9737 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x10) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 333 MHz | Volante | 1 gbit | 450 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| MT29F4G08ABADAWP-AITX: D | 7.1900 | | 256 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F4G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 960 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 512m x 8 | Paralelo | - | |||
| M58LT128KST7ZA6F TR | - | | 2698 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M58LT128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 52 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT45W4MW16PFA-70 WT TR | - | | 7008 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 48-vfbga | MT45W4MW16 | Psram (pseudo sram) | 1.7V ~ 1.95V | 48-vfbga (6x8) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | Volante | 64 Mbbit | 70 ns | Psram | 4m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
| MT46H64M32LFCX-5 AIT: B | - | | 8974 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H64M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 2 GBIT | 5 ns | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT47H64M8B6-37E IT: D TR | - | | 6607 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H64M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | |
| M45PE10S-VMN6TP TR | - | | 8294 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M45PE10 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | No Volátil | 1 mbit | Destello | 128k x 8 | SPI | 3 ms | |||
| M29F200BT70M6E | - | | 4211 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | M29F200 | Flash - Ni | 4.5V ~ 5.5V | 44-SO | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 16 | No Volátil | 2 mbit | 70 ns | Destello | 256k x 8, 128k x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | MT58L128L18PT-10 | 4.9100 | | 520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 2 mbit | 5 ns | Sram | 128k x 18 | Paralelo | - | ||
 | MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR | - | | 1238 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 376-WFBGA (14x14) | - | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 2.133 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
 | MT29F256G08CMAAAC5: A | - | | 1251 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 52-vlga | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 52-VLGA (18x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT53B1DBNP-DC TR | - | | 1651 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | Volante | Dracma | ||||||||||
 | M29W128GH70N6E | - | | 7762 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 576 | No Volátil | 128 Mbbit | 70 ns | Destello | 16m x 8, 8m x 16 | Paralelo | 70ns | ||
 | RC28F640P33B85A | - | | 2776 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Strataflash ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 64-TBGA | RC28F640 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 64-Easybga (8x10) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | 52 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 85 ns | Destello | 4m x 16 | Paralelo | 85ns | |
 | MT28F400B3SG-8 TET | - | | 7473 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) | MT28F400B3 | Flash - Ni | 3V ~ 3.6V | 44-SO | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | No Volátil | 4mbit | 80 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 80NS | ||
| M58WR032KB7AZB6E | - | | 5823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-vfbga | M58WR032 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 56-vfbga (7.7x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 336 | 66 MHz | No Volátil | 32Mbit | 70 ns | Destello | 2m x 16 | Paralelo | 70ns |
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