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Memoria (10402)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | Mt29f1g01abbfdwb-it: f tr | 3.4600 |  | 2 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn | MT29F1G01 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 8 updfn (8x6) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 1g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT47H128M8HQ-187E: E TR | - | | 9272 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 60-FBGA | MT47H128M8 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-FBGA (8x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 1,000 | 533 MHz | Volante | 1 gbit | 350 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT52L256M32D1PF-093 WT: B | - | | 6342 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 178-vfbga | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 178-FBGA (11.5x11) | descascar | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 1067 MHz | Volante | 8 gbit | Dracma | 256m x 32 | - | - | |||||
 | Nand32gw3f4an6e | - | | 9054 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | Nand32g | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | -Nand32gw3f4an6e | 3A991B1A | 8542.32.0051 | 96 | No Volátil | 32 GBIT | 50 ns | Destello | 4g x 8 | Paralelo | 50ns | ||
 | MT52L512M64D4PQ-107 WT: B | - | | 3933 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 253-vfbga | MT52L512 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | 253-vfbga (11x11.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.890 | 933 MHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 512m x 64 | - | - | |||
| MT53E4G32D8CY-046 WT: C TR | 90.4650 | | 6905 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C | - | - | SDRAM - Mobile LPDDR4 | - | - | - | 557-MT53E4G32D8CY-046WT: CTR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | Dracma | 4g x 32 | Paralelo | - | ||||||||
 | MT29F512G08CMCBBH7-6C: B | - | | 7856 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 152-TBGA | MT29F512G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 152-TBGA (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 166 MHz | No Volátil | 512 GBIT | Destello | 64g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT48LC64M8A2TG-75 IT: C TR | - | | 4212 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | MT48LC64M8A2 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 5.4 ns | Dracma | 64m x 8 | Paralelo | 15ns | ||
| MT52L256M64D2FT-107 WT: B TR | 24.1050 | | 5861 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | MT52L256 | SDRAM - Mobile LPDDR3 | 1.2V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1,000 | 933 MHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 256m x 64 | - | - | |||||||
 | MT41K256M16TW-107 IT: P TR | 5.7000 | | 2247 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (8x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT41K256M16TW-107IT: PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 933 MHz | Volante | 4 gbit | 20 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | 15ns | |
 | M25PX80-VMP6G | - | | 7561 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8-vdfn | M25PX80 | Flash - Ni | 2.3V ~ 3.6V | 8-vfqfpn (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 75 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | MT29F2G08ABAFAH4-S: F TR | - | | 5236 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F2G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 2 GBIT | Destello | 256m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | Mt25ql128aba1ese-msit tr | - | | 3507 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | MT25QL128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| MT46H16M32LFBQ-5 AIT: C TR | - | | 5520 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
 | MT53D512M32D2NP-046 WT: D TR | - | | 4028 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D512 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 16 gbit | Dracma | 512m x 32 | - | - | ||||
 | MT46V32M16CY-5B AIT: J | - | | 4796 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.5V ~ 2.7V | 60-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 700 PS | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
| MT29F8G08FACWP: C TR | - | | 2638 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F8G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | M29W256GH70ZS6F TR | - | | 8595 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | M29W256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (11x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.800 | No Volátil | 256Mbit | 70 ns | Destello | 32m x 8, 16m x 16 | Paralelo | 70ns | |||
 | MT53E768M32D4DT-046 AAT: E | 29.2650 | | 4217 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53E768 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | MT53E768M32D4DT-046AAT: E | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 2.133 GHz | Volante | 24 gbit | Dracma | 768m x 32 | - | - | ||
| MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D | - | | 9010 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29RZ4C8 | Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 | 1.8V | - | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 980 | 533 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) | Paralelo | - | |||||
| MTFC32GAZAQHD-WT TR | 14.3400 | | 1213 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-vfbga | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-vfbga (11.5x13) | - | 557-MTFC32GAZAQHD-WTTR | 2,000 | 200 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||||||
 | MTFC8GLWDQ-3L AITI Z | - | | 4915 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 lbGa | MTFC8 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 lbGa (14x18) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Mtfc8glwdq-3laitiz | Obsoleto | 0000.00.0000 | 980 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | MMC | - | ||||
 | MT42L32M32D2AC-25 AAT: A | - | | 7052 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-vfbga | MT42L32M32 | SDRAM - Mobile LPDDR2 | 1.14V ~ 1.95V | 134-FBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | Dracma | 32m x 32 | Paralelo | - | |||
 | MT61M256M32JE-10 AAT: A TR | - | | 4270 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C | Montaje en superficie | 180-TFBGA | MT61M256 | SGRAM - GDDR6 | 1.21V ~ 1.29V | 180-FBGA (12x14) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 1.25 GHz | Volante | 8 gbit | RAM | 256m x 32 | Paralelo | - | ||||
| MT53E2G64D8TN-046 AAT: A TR | 122.8500 | | 1909 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 556-LFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V | 556-LFBGA (12.4x12.4) | - | 557-MT53E2G64D8TN-046AAT: ATR | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 128 GBIT | 3.5 ns | Dracma | 2G x 64 | Paralelo | 18ns | |||||||
| M45PE16-VMW6G | - | | 3795 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | M45PE16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SO W | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.800 | 75 MHz | No Volátil | 16mbit | Destello | 2m x 8 | SPI | 3 ms | |||
| MT29F1G08ABBEAHC-IT: E | - | | 5555 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G08 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (10.5x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.140 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | - | ||||
 | MT53D384M32D2DS-046 AUT: C TR | - | | 4577 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | MT53D384 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 2,000 | 2.133 GHz | Volante | 12 gbit | Dracma | 384m x 32 | - | - | ||||
| MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F | 2.9984 | | 3809 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 63-vfbga | MT29F1G16 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 63-vfbga (9x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 557-MT29F1G16ABBFAH4-AAT: F | 8542.32.0071 | 210 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 64m x 16 | Paralelo | - | ||||
| MT40A512M8RH-075E IT: B TR | - | | 3452 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT40A512M8 | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | 78-FBGA (9x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.33 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 512m x 8 | Paralelo | - |
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