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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página Sic programable
MT40A512M16HA-083E:A TR Micron Technology Inc. MT40A512M16HA-083E: A TR -
RFQ
 ECAD 1989 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT40A512M16 SDRAM - DDR4 1.14V ~ 1.26V 96-FBGA (9x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 1.2 GHz Volante 8 gbit Dracma 512m x 16 Paralelo -
M29F400BT70N6E Micron Technology Inc. M29F400BT70N6E -
RFQ
 ECAD 3724 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29F400 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 48-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 96 No Volátil 4mbit 70 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 70ns
MT29TZZZ4D4BKERL-125 W.94M TR Micron Technology Inc. Mt29tzzz4d4bkerl-125 w.94m TR -
RFQ
 ECAD 4136 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000
MT46H16M32LFB5-6 IT:C Micron Technology Inc. MT46H16M32LFB5-6 IT: C -
RFQ
 ECAD 1858 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT46H16M32 SDRAM - Mobile LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0028 1,000 166 MHz Volante 512Mbit 5 ns Dracma 16m x 32 Paralelo 15ns
MT42L128M64D4LC-25 IT:A Micron Technology Inc. MT42L128M64D4LC-25 IT: A -
RFQ
 ECAD 8498 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 240-vfbga MT42L128M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 240-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
M29W320DB70N3F TR Micron Technology Inc. M29W320DB70N3F TR 1.8532
RFQ
 ECAD 5523 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) M29W320 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1.500 No Volátil 32Mbit 70 ns Destello 4m x 8, 2m x 16 Paralelo 70ns Sin verificado
MT53D512M32D2NP-046 AUT:D TR Micron Technology Inc. MT53D512M32D2NP-046 AUT: D TR -
RFQ
 ECAD 3134 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53D512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Obsoleto 0000.00.0000 2,000 2.133 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT47H64M8CB-37E IT:B Micron Technology Inc. MT47H64M8CB-37E: B -
RFQ
 ECAD 5980 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 60-FBGA MT47H64M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 267 MHz Volante 512Mbit 500 ps Dracma 64m x 8 Paralelo 15ns
MT42L64M64D2MP-25 IT:A Micron Technology Inc. Mt42l64m64d2mp-25 it: a -
RFQ
 ECAD 7307 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 220-WFBGA MT42L64M64 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.3V 220-FBGA (14x14) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 400 MHz Volante 4 gbit Dracma 64m x 64 Paralelo -
MT62F2G32D8DR-031 WT:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G32D8DR-031 WT: B TR 47.0400
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo - 557-MT62F2G32D8DR-031WT: BTR 2,000
MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR Micron Technology Inc. MT53B768M64D8WF-062 WT: D TR -
RFQ
 ECAD 7213 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B768 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 48 GBIT Dracma 768m x 64 - -
MT52L256M64D2LZ-107 XT:B TR Micron Technology Inc. MT52L256M64D2LZ-107 XT: B TR -
RFQ
 ECAD 6800 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA MT52L256 SDRAM - Mobile LPDDR3 1.2V 216-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 2,000 933 MHz Volante 16 gbit Dracma 256m x 64 - -
MT61K512M32KPA-14:C Micron Technology Inc. MT61K512M32KPA-14: C 25.3500
RFQ
 ECAD 3256 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 180-TFBGA SGRAM - GDDR6 1.3095V ~ 1.3905V 180-FBGA (12x14) - 557-MT61K512M32KPA-14: C 1 7 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 POD_135 -
MT49H32M18CFM-18:B Micron Technology Inc. MT49H32M18CFM-18: B -
RFQ
 ECAD 5500 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Descontinuado en sic 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 533 MHz Volante 576Mbit 15 ns Dracma 32m x 18 Paralelo -
MT53E512M64D4NW-053 WT:E TR Micron Technology Inc. MT53E512M64D4NW-053 WT: E TR -
RFQ
 ECAD 6303 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 432-vfbga MT53E512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 432-vfbga (15x15) - Obsoleto 0000.00.0000 1,000 1.866 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53B256M32D1NP-062 WT:C TR Micron Technology Inc. MT53B256M32D1NP-062 WT: C TR -
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B256 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 8 gbit Dracma 256m x 32 - -
N25Q256A83ESFA0F TR Micron Technology Inc. N25Q256A83ESFA0F TR -
RFQ
 ECAD 6446 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 125 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q256A83 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SO descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C Micron Technology Inc. MT53B512M32D2NP-062 AAT: C -
RFQ
 ECAD 2344 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (10x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.360 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc. MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D -
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) - - MT29RZ4C8 Flash - Nand, DRAM - LPDDR2 1.8V - - Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 980 533 MHz No Volátil, Volátil 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDDR2) Flash, ram 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDDR2) Paralelo -
N25Q256A11ESF40F TR Micron Technology Inc. N25Q256A11ESF40F TR -
RFQ
 ECAD 5377 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) N25Q256A11 Flash - Ni 1.7v ~ 2v 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 108 MHz No Volátil 256Mbit Destello 64m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT41K512M16TNA-125 IT:E Micron Technology Inc. MT41K512M16TNA-125 IT: E -
RFQ
 ECAD 3011 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 96-TFBGA MT41K512M16 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-FBGA (10x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 800 MHz Volante 8 gbit 13.5 ns Dracma 512m x 16 Paralelo -
MT53B4DATT-DC TR Micron Technology Inc. MT53B4DATT-DC TR -
RFQ
 ECAD 5733 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto Mt53b4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1,000 Volante Dracma
MT53B512M64D4PV-062 WT ES:C Micron Technology Inc. MT53B512M64D4PV-062 WT ES: C -
RFQ
 ECAD 9411 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 840 1.6 GHz Volante 32 GBIT Dracma 512m x 64 - -
MT53B384M64D4EZ-062 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT53B384M64D4EZ-062 WT ES: B TR -
RFQ
 ECAD 6636 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) - - MT53B384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 - -
MT29F128G08AMCABH2-10IT:A TR Micron Technology Inc. MT29F128G08AMCABH2-10IT: A TR -
RFQ
 ECAD 3097 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 100 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MTFC8GAMALGT-AIT Micron Technology Inc. Mtfc8gamalgt-it -
RFQ
 ECAD 2998 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) MTFC8 Flash - nand - - ROHS3 Cumplante Alcanzar sin afectado 557-mtfc8gamalgt-it Obsoleto 8542.32.0071 152 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
EDB8164B4PT-1DAT-F-R Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FR -
RFQ
 ECAD 4819 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 216-WFBGA EDB8164 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 8 gbit Dracma 128m x 64 Paralelo -
MTFC8GLZDM-1M WT Micron Technology Inc. MTFC8GLZDM-1M WT -
RFQ
 ECAD 7366 0.00000000 Micron Technology Inc. E • MMC ™ Una granela Obsoleto -25 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie - MTFC8 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 MMC -
EDB4432BBBJ-1DAIT-F-D Micron Technology Inc. Edb4432bbbj-1dait-fd -
RFQ
 ECAD 4607 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 134-WFBGA Edb4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 134-FBGA (10x11.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1.520 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
MT55L256L36FT-11 Micron Technology Inc. MT55L256L36FT-11 14.4200
RFQ
 ECAD 4432 0.00000000 Micron Technology Inc. ZBT® Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 LQFP MT55L256L Sram - Sincónnico, ZBT 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x20.1) descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 90 MHz Volante 8mbit 8.5 ns Sram 256k x 36 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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