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Memoria (10402)

Imaginación Número de Producto Precios (USD) Cantidad Ecada Cantidad Disponible Peso (kg) MFR Serie Pavimento Estado del Producto Temperatura de FuncionAmiento Tipo de Montaje Paquete / Estuche Base Número de Producto Tecnología Voltaje - Suministro Paquete de dispositivos de probador Ficha de datos Estado de Rohs Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) Estatus de Alcance Otros nombres ECCN Htsus Paquete estándar FRECUENCIA DE RELOJ Tipo de Memoria Tamaña de Memoria TIempo de Acceso Formato de Memoria Organización de la Memoria Interfaz de Memoria Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página
MT47H32M16BN-25E IT:D TR Micron Technology Inc. Mt47h32m16bn-25e it: d tr -
RFQ
 ECAD 1907 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 84-TFBGA MT47H32M16 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-FBGA (10x12.5) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 400 MHz Volante 512Mbit 400 ps Dracma 32m x 16 Paralelo 15ns
MT48H8M32LFB5-75:H Micron Technology Inc. MT48H8M32LFB5-75: H -
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 90-vfbga MT48H8M32 SDRAM - LPSDR MÓVIL 1.7V ~ 1.95V 90-vfbga (8x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 133 MHz Volante 256Mbit 5.4 ns Dracma 8m x 32 Paralelo 15ns
MT57W512H36JF-7.5 Micron Technology Inc. MT57W512H36JF-7.5 26.4100
RFQ
 ECAD 153 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA Sram - Síncrono, DDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 133 MHz Volante 18mbit 500 ps Sram 512k x 36 Hstl -
MT62F1G32D4DS-031 AAT:B TR Micron Technology Inc. MT62F1G32D4DS-031 AAT: B TR 32.5650
RFQ
 ECAD 3030 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Activo -40 ° C ~ 105 ° C Montaje en superficie 200 WFBGA SDRAM - Mobile LPDDR5 1.05V 200-WFBGA (10x14.5) - 557-MT62F1G32D4DS-031AAT: BTR 2,000 3.2 GHz Volante 32 GBIT Dracma 1g x 32 Paralelo -
MT53E1G16D1FW-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 WT: A 11.9850
RFQ
 ECAD 4309 0.00000000 Micron Technology Inc. - Caja Activo -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 200-TFBGA SDRAM - Mobile LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) - 557-MT53E1G16D1FW-046WT: A 1 2.133 GHz Volante 16 gbit 3.5 ns Dracma 1g x 16 Paralelo 18ns
MT53B512M32D2GZ-062 AIT:B TR Micron Technology Inc. MT53B512M32D2GZ-062 AIT: B TR -
RFQ
 ECAD 8792 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 200 WFBGA MT53B512 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V 200-WFBGA (11x14.5) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) EAR99 8542.32.0036 1,000 1.6 GHz Volante 16 gbit Dracma 512m x 32 - -
M25P128-VMF6TPB TR Micron Technology Inc. M25P128-VMF6TPB TR -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) M25P128 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 16-SOP2 descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 54 MHz No Volátil 128 Mbbit Destello 16m x 8 SPI 15 ms, 5 ms
MT28F400B5SG-8 BET TR Micron Technology Inc. MT28F400B5SG-8 BET TR -
RFQ
 ECAD 3868 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 44-SOICO (0.496 ", 12.60 mm de ancho) MT28F400B5 Flash - Ni 4.5V ~ 5.5V 44-SO descascar Rohs no conforme 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 500 No Volátil 4mbit 80 ns Destello 512k x 8, 256k x 16 Paralelo 80NS
MT46V128M4TG-6T:D TR Micron Technology Inc. MT46V128M4TG-6T: D TR 15.9900
RFQ
 ECAD 13 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) MT46V128M4 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP descascar Rohs no conforme 4 (72 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 167 MHz Volante 512Mbit 700 PS Dracma 128m x 4 Paralelo 15ns
M29W640GSH70ZF6E Micron Technology Inc. M29W640GSH70ZF6E -
RFQ
 ECAD 5974 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 64-TBGA M29W640 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64-TBGA (10x13) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 136 No Volátil 64 Mbbit 70 ns Destello 8m x 8, 4m x 16 Paralelo 70ns
N25Q064A13E12D1E Micron Technology Inc. N25Q064A13E12D1E -
RFQ
 ECAD 2973 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 24-tbGa N25Q064A13 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 24-T-PBGA (6x8) - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 1.122 108 MHz No Volátil 64 Mbbit Destello 16m x 4 SPI 8 ms, 5 ms
MT57W2MH8CF-6 Micron Technology Inc. MT57W2MH8CF-6 28.3700
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 165-TBGA MT57W2MH Sram - Sincónnico 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (13x15) descascar Rohs no conforme 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0041 1 167 MHz Volante 18mbit Sram 2m x 8 Paralelo -
EDB4432BBPA-1D-F-R TR Micron Technology Inc. EDB4432BBPA-1D-FR TR -
RFQ
 ECAD 1185 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) Montaje en superficie 168-WFBGA Edb4432 SDRAM - Mobile LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 168-FBGA (12x12) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0036 1,000 533 MHz Volante 4 gbit Dracma 128m x 32 Paralelo -
MT49H16M18SJ-25 IT:B TR Micron Technology Inc. MT49H16M18SJ-25 IT: B TR -
RFQ
 ECAD 7500 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H16M18 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144-FBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B2A 8542.32.0028 1,000 400 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 16m x 18 Paralelo -
MT51J256M32HF-60:A TR Micron Technology Inc. MT51J256M32HF-60: A TR -
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 170-TFBGA MT51J256 SGRAM - GDDR5 1.31V ~ 1.39V, 1.46V ~ 1.55V 170-FBGA (12x14) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 2,000 1.5 GHz Volante 8 gbit RAM 256m x 32 Paralelo -
MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR Micron Technology Inc. MT29F64G08CBCGBSX-37BES: G TR -
RFQ
 ECAD 4067 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 267 MHz No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
MT49H32M9BM-33:B TR Micron Technology Inc. MT49H32M9BM-33: B TR -
RFQ
 ECAD 7474 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 95 ° C (TC) Montaje en superficie 144-TFBGA MT49H32M9 Dracma 1.7V ~ 1.9V 144 µBGA (18.5x11) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0024 1,000 300 MHz Volante 288Mbit 20 ns Dracma 32m x 9 Paralelo -
MT53B4DANW-DC Micron Technology Inc. Mt53b4danw-dc -
RFQ
 ECAD 3964 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto - - Mt53b4 SDRAM - Mobile LPDDR4 - - 1 (ilimitado) Obsoleto 0000.00.0000 960 Volante Dracma
MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBDAM68A3WC1 -
RFQ
 ECAD 3687 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie Morir MT29F1G08 Flash - nand 1.7V ~ 1.95V Morir - ROHS3 Cumplante 1 (ilimitado) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1 No Volátil 1 gbit Destello 128m x 8 Paralelo -
MT47H128M8SH-25E AAT:M Micron Technology Inc. MT47H128M8SH-25E AAT: M -
RFQ
 ECAD 6566 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TC) Montaje en superficie 60-TFBGA MT47H128M8 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-FBGA (8x10) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0032 1.518 400 MHz Volante 1 gbit 400 ps Dracma 128m x 8 Paralelo 15ns
MT29F1G08ABBFAH4-AAT:F Micron Technology Inc. MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F 2.9984
RFQ
 ECAD 3752 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Banda Activo -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 63-vfbga MT29F1G08 Flash - Nand (SLC) 1.7V ~ 1.95V 63-vfbga (9x11) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 557-MT29F1G08ABBFAH4-AAT: F 8542.32.0071 210 No Volátil 1 gbit 25 ns Destello 128m x 8 Paralelo 25ns
MT29F128G08CBCEBRT-37BES:E TR Micron Technology Inc. MT29F128G08CBCEBRT-37BES: E TR -
RFQ
 ECAD 3220 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Activo 0 ° C ~ 70 ° C (TA) - - MT29F128G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V - - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 8542.32.0071 1,000 267 MHz No Volátil 128 GBIT Destello 16g x 8 Paralelo -
MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR Micron Technology Inc. MT28EW01GABA1LPC-0AAT TR -
RFQ
 ECAD 9636 0.00000000 Micron Technology Inc. Automotriz, AEC-Q100 Tape & Reel (TR) Obsoleto -40 ° C ~ 105 ° C (TA) Montaje en superficie 64 lbGa MT28EW01 Flash - Ni 2.7V ~ 3.6V 64 LBGA (11x13) descascar ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 No Volátil 1 gbit 105 ns Destello 128m x 8, 64m x 16 Paralelo 60ns
MT29F1T08CPCBBH8-6C:B Micron Technology Inc. MT29F1T08CPCBBH8-6C: B -
RFQ
 ECAD 4914 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 152 lbGa MT29F1T08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 152-lbga (14x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 980 167 MHz No Volátil 1Tbit Destello 128g x 8 Paralelo -
MT53E384M64D4NK-046 WT:E Micron Technology Inc. MT53E384M64D4NK-046 WT: E -
RFQ
 ECAD 3665 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E384 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - Alcanzar sin afectado 557-MT53E384M64D4NK-046WT: E Obsoleto 119 2.133 GHz Volante 24 gbit Dracma 384m x 64 - -
M50FW040NB5G Micron Technology Inc. M50FW040NB5G -
RFQ
 ECAD 7239 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -20 ° C ~ 85 ° C (TA) Montaje en superficie 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) M50FW040 Flash - Ni 3V ~ 3.6V 32-TSOP - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado EAR99 8542.32.0071 208 33 MHz No Volátil 4mbit 250 ns Destello 512k x 8 Paralelo -
MT53E1G64D4SQ-046 WT:A Micron Technology Inc. MT53E1G64D4SQ-046 WT: A -
RFQ
 ECAD 8793 0.00000000 Micron Technology Inc. - Banda Obsoleto -30 ° C ~ 85 ° C (TC) MT53E1G64 SDRAM - Mobile LPDDR4 1.1V - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) MT53E1G64D4SQ-046WT: A Obsoleto 0000.00.0000 1.360 2.133 GHz Volante 64 GBIT Dracma 1g x 64 - -
MTEDFAE8SCA-1P2 Micron Technology Inc. Mdefae8sca-1p2 -
RFQ
 ECAD 7758 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tubo Activo Mtedfae8 - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado 0000.00.0000 150
MT29F256G08CMCABH2-12Z:A TR Micron Technology Inc. MT29F256G08CMCABH2-12Z: A TR -
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 Micron Technology Inc. - Tape & Reel (TR) Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 100 TBGA MT29F256G08 Flash - Nand (MLC) 2.7V ~ 3.6V 100 TBGA (12x18) - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) Alcanzar sin afectado Obsoleto 0000.00.0000 1,000 83 MHz No Volátil 256 GBIT Destello 32g x 8 Paralelo -
MT29F64G08CFACAWP:C Micron Technology Inc. MT29F64G08CFACAWP: C -
RFQ
 ECAD 1215 0.00000000 Micron Technology Inc. - Una granela Obsoleto 0 ° C ~ 70 ° C (TA) Montaje en superficie 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) MT29F64G08 Flash - nand 2.7V ~ 3.6V 48-TSOP I - ROHS3 Cumplante 3 (168 Horas) 3A991B1A 8542.32.0071 1,000 No Volátil 64 GBIT Destello 8g x 8 Paralelo -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volumen de RFQ promedio diario

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    Unidad de producto estándar

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Fabricantes mundiales

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    Almacén en stock

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AD9208BBPZ-3000

Almohadilla expuesta de 196-LFBGA

Cantidad: 1

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