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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M24C64X-FCU6T/TF | - |  | 6353 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 4-xfbga, WLCSP | M24C64 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 4-WLCSP (0.71x0.73) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 497-M24C64X-FCU6T/TFTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 64 kbits | 650 ns | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | S25FL128SAGBAEA03 | 56.2856 | | 4738 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Tape & Reel (TR) | Activo | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | - | Rohs no conforme | Alcanzar sin afectado | 2.500 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | 6.5 ns | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 750 µs | |||||||
| DS2704RQ-C0A+T&R | - | | 2153 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -30 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | DS2704 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 175-DS2704RQ-C0A+T&RTR | Obsoleto | 2.500 | No Volátil | 1.25 kbit | Eeprom | 32 bytes x 5 Páginas | 1 Alambre® | 1 µs | ||||||
 | AS4C64M4SA-7TCN | 4.8100 | | 95 | 0.00000000 | Alliance Memory, Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | AS4C64 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 64m x 4 | Paralelo | - | |||
| IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 20.6150 | | 9096 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-LFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-LWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43TR16512S2DL-107MBLI-TR | 1.500 | 933 MHz | Volante | 8 gbit | 20 ns | Dracma | 512m x 16 | Paralelo | 15ns | ||||||
 | IS61LPS25672A-2550B1-TR | - | | 5458 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 209-BGA | IS61LPS25672 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 209-LFBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 250 MHz | Volante | 18mbit | 2.6 ns | Sram | 256k x 72 | Paralelo | - | |||
| 7052S20PFGI | - | | 3366 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 120-LQFP | Sram - Puerto Cuádruple, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 120-TQFP (14x14) | - | 800-7052S20PFGI | 1 | Volante | 16 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 8 | Paralelo | 20ns | |||||||||
| S25FL256SDSBHMA10 | 8.9250 | | 2930 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | Flash - Nor (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 80 MHz | No Volátil | 256Mbit | 6.5 ns | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | 750 µs | |||||||
 | IS61NLF51236-7.5B3I | - | | 3282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NLF51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 117 MHz | Volante | 18mbit | 7.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | AT49F040A-70TI-T | - | | 4462 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT49F040 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 40 µs | ||||
 | RM3313-SNI-T | - | | 5924 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | RM3313 | Eeprom | 1.17V ~ 1.23V, 1.14V ~ 1.26V | 8-Soico | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1265-RM3313-SNI-TTR | Obsoleto | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 32 kbits | Eeprom | 4k x 8 | SPI | 2.2 ms, 18 ms | |||||
 | 25lc640at-e/sn | 0.8700 | | 5117 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 25lc640 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | S25FL256LDPBHB020 | 6.3525 | | 5790 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-L | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 338 | 66 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
| 5140912y07 AB | - | | 9119 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 5140912y07ab | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CY7C2565XV18-633BZC | 493.7500 | | 125 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C2565 | Sram - Síncrono, QDR II+ | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | 1 | 633 MHz | Volante | 72Mbit | Sram | 2m x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||||||
 | IS45S32200E-7TLA1 | - | | 2119 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | IS45S32200 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 86-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 108 | 143 MHz | Volante | 64 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 2m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 7027L55PFG/2909 | - | | 8402 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 7027L55 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 512 kbit | 55 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 55ns | Sin verificado | |||
| 70V06S15J8 | - | | 9551 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 70v06s | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 250 | Volante | 128 kbit | 15 ns | Sram | 16k x 8 | Paralelo | 15ns | ||||
| MT29E3T08EUHBBM4-3es: B TR | - | | 7525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | - | - | MT29E3T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 333 MHz | No Volátil | 3Tbit | Destello | 384g x 8 | Paralelo | - | ||||
| Mx30uf1g16ac-xqi | 3.0448 | | 9639 | 0.00000000 | Macronix | Mx30uf | Banda | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | Mx30uf1 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 48-vfbga (6x8) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 1 gbit | 25 ns | Destello | 64m x 16 | Paralelo | 25ns | ||||
 | MX25L25673GMI-08G | 2.6988 | | 6985 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MX25L25673 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 120 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 30 µs, 750 µs | ||||
 | AT25040A-10PU-2.7 | - | | 7193 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | AT25040 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 pdip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 20 MHz | No Volátil | 4 kbits | Eeprom | 512 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | AT27BV040-15VC | - | | 3521 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.488 ", Ancho de 12.40 mm) | AT27BV040 | EPROM - OTP | 2.7V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V | 32-VSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | AT27BV04015VC | 3A991B1B1 | 8542.32.0061 | 208 | No Volátil | 4mbit | 150 ns | EPROM | 512k x 8 | Paralelo | - | |||
 | R1Q3A7218ABB-33IA0 | 35.5800 | | 98 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 70P3519S200BCG | - | | 5838 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70P3519 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.7V ~ 1.9V | 256-cabga (17x17) | descascar | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 6 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.4 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | CY7C1370S-167AXI | 28.9500 | | 211 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Bolsa | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1370 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | - | No Aplicable | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 11 | 167 MHz | Volante | 18mbit | 3.4 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | CAT93C46RVI-G | - | | 2948 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT93C46 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 4 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8, 64 x 16 | Microondas | - | ||||||
 | GS82583EQ18GK-500I | 753.0000 | | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 260-BGA | GS82583EQ18 | Sram - Puerto Cuádruple, Sincónnico | 1.25V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3 Cumplante | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS82583EQ18GK-500I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 500 MHz | Volante | 288Mbit | Sram | 16m x 18 | Paralelo | - | |||
 | Mt25tl256bba8esf-0aat | 12.1200 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | MT25TL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-SOP2 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.440 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI | 8 ms, 2.8 ms | ||||
| CG7947AA | - | | 8740 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 270 |
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