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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 70V27S55PFI8 | - |  | 7683 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70V27S | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 512 kbit | 55 ns | Sram | 32k x 16 | Paralelo | 55ns | |||||
 | CY62168EV30LL-45BVXI | 13.3600 | | 115 | 0.00000000 | Infineon Technologies | MOBL® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-vfbga | CY62168 | Sram - Asínncrono | 2.2V ~ 3.6V | 48-vfbga (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 480 | Volante | 16mbit | 45 ns | Sram | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 45ns | ||||
 | Nm24c05uln | 0.4300 | | 5 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 8-DIP (0.300 ", 7.62 mm) | NM24C05 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8 Dipp | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 4 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 15 ms | |||
 | MT29F256G08CMCABH2-10Z: A TR | - | | 6716 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 100 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
 | R1LV0216BSB-7SI#B0 | - | | 9252 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | R1LV0216 | Sram | 2.7V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 2 mbit | 70 ns | Sram | 128k x 16 | Paralelo | 70ns | Sin verificado | |||
 | S29CD032J0MQFM013 | - | | 3896 | 0.00000000 | Extensión | CD-J | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 80-BQFP | S29CD032 | Flash - Ni | 1.65V ~ 2.75V | 80-PQFP (14x20) | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 56 MHz | No Volátil | 32Mbit | 54 ns | Destello | 1m x 32 | Paralelo | 60ns | ||||||
 | W988d6fbgx7e | - | | 3456 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | W988D6 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 1.7V ~ 1.95V | 54-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 312 | 133 MHz | Volante | 256Mbit | 5.4 ns | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | Cyd36S72V18-200BGXC | - | | 9369 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 484-FBGA | CYD36S72 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V | 484-PBGA (27x27) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 40 | 200 MHz | Volante | 36 mbit | 3.3 ns | Sram | 512k x 72 | Paralelo | - | |||
 | IS46TR16640B-15GBLA25-TR | - | | 5814 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 115 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | IS46TR16640 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-TWBGA (9x13) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS46TR16640B-15GBLA25-TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.500 | 667 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | M29W400DB70N6E | - | | 2937 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | M29W400 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 4mbit | 70 ns | Destello | 512k x 8, 256k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | CY7C1314BV18-167BZI | - | | 9516 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1314 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 119 | 167 MHz | Volante | 18mbit | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | W25Q128FVPIQ TR | - | | 4728 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5,000 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | ||||
| CG6135AT | - | | 4169 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 1 (ilimitado) | Vendedor indefinido | 1 | ||||||||||||||||||||
 | DS1225Y-150ind+ | - | | 8569 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | A Través del Aguetero | Módulo de 28 Dips (0.600 ", 15.24 mm) | DS1225Y | Nvsram (sram no volátil) | 4.5V ~ 5.5V | 28 Edip | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | No Volátil | 64 kbits | 150 ns | Nvsram | 8k x 8 | Paralelo | 150ns | ||||
 | M58LW032D90ZA6 | - | | 4136 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-TBGA | M58LW032 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-TBGA (10x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 136 | No Volátil | 32Mbit | 90 ns | Destello | 4m x 8, 2m x 16 | Paralelo | - | ||||
 | Cy62148v-waf | - | | 6976 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7143LA20JG | 34.6525 | | 4677 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 68 LCC (J-Lead) | 7143la | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 68-PLCC (24.21x24.21) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volante | 32 kbits | 20 ns | Sram | 2k x 16 | Paralelo | 20ns | ||||
 | AT93C57W-10SC-2.5 | - | | 2253 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT93C57 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 94 | 2 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | ||||
 | S34ML08G101TFB000 | - | | 1737 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-1 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 8 gbit | Destello | 1g x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | MT53D1024M32D4DT-053 AIT: D TR | 35.5500 | | 6876 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | MT53D1024 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | 200-VFBGA (10x14.5) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | - | - | ||||
| 25AA160D-I/S16K | - | | 7511 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | 25AA160 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Morir | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | W25q128fvcjf | - | | 3690 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | ||||
 | Fm24c03ulzmt8 | 0.3600 | | 1 | 0.00000000 | Semiconductor de fairchild | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | FM24C03 | Eeprom | 2.7V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 100 kHz | No Volátil | 2 kbits | 3.5 µs | Eeprom | 256 x 8 | I²C | 15 ms | |||
 | MT46V32M16BN-75: C | - | | 6463 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | MT46V32M16 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 60-FBGA (10x12.5) | - | ROHS3 Cumplante | 5 (48 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 750 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| S34MS04G200TFI000Z | 7.5300 | | 243 | 0.00000000 | Extensión | * | Una granela | Activo | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
 | S25FL512SAGMFB011 | 10.5875 | | 8672 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, FL-S | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 235 | 133 MHz | No Volátil | 512Mbit | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | - | ||||
 | LE25U40PCMC-AH | - | | 8504 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | LE25U40 | Destello | 2.3V ~ 3.6V | 8-SOIC/SOPJ | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 2,000 | 30 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | 25LC010AT-I/MC | 0.6300 | | 7130 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-vfdfn almohadilla exposición | 25LC010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-DFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | GS8128018GT-333I | 277.5900 | | 10 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 100 LQFP | GS8128018 | Sram - Síncrono, Estándar | 2.3V ~ 2.7V, 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (20x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS8128018GT-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | 333 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 8m x 18 | Paralelo | - | |||
 | M95512-RCS6TP/K | - | | 4793 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-UFBGA, WLCSP | M95512 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-WLCSP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 16 MHz | No Volátil | 512 kbit | Eeprom | 64k x 8 | SPI | 5 ms |
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