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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S30MS02GR25TFW110C | - |  | 3390 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S30MS02 | Flash - nand | 1.7V ~ 1.95V | 48-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 96 | No Volátil | 2 GBIT | 25 ns | Destello | 128m x 16 | Paralelo | 25ns | |||
 | MT29F4T08EULEEM4-T: E | 85.8150 | | 3009 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 132-BGA | Flash - Nand (TLC) | 2.6V ~ 3.6V | 132-lbga (12x18) | - | 557-MT29F4T08EULEEM4-T: E | 1 | No Volátil | 4tbit | Destello | 512g x 8 | Paralelo | - | |||||||||
| AT25PE40-SSHN-B | 0.8677 | | 9318 | 0.00000000 | Renesas Electronics Operations Services Limited | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | 1695-AT25PE40-SSHN-B | 98 | 85 MHz | No Volátil | 4mbit | 6 ns | Destello | 2m x 2 | SPI | 3 ms | |||||
 | 93AA56CT-I/MNY | 0.3900 | | 9201 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 93AA56 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 3 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8, 128 x 16 | Microondas | 6 ms | |||
 | IDT71V65802ZS133BG8 | - | | 5693 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V65802 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65802ZS133BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 133 MHz | Volante | 9 MBIT | 4.2 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |
 | M24256-BHRMN6TP | - | | 9326 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M24256 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 MHz | No Volátil | 256 kbit | 500 ns | Eeprom | 32k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | DS24B33G+T&R | 3.4600 | | 2353 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 2-SFN | DS24B33 | Eeprom | 2.8V ~ 5.25V | 2-SFN (6x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | No Volátil | 4 kbits | 2 µs | Eeprom | 256 x 16 | 1 Alambre® | - | |||
 | S29GL512T10DHI020 | 11.4200 | | 260 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-T | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL512 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 512Mbit | 100 ns | Destello | 64m x 8 | Paralelo | 60ns | |||
| M27C512-12C1 | - | | 2289 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | M27C512 | EPROM - OTP | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (11.43x13.97) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 8542.32.0061 | 32 | No Volátil | 512 kbit | 120 ns | EPROM | 64k x 8 | Paralelo | - | |||
| AT28C040-20BI | - | | 2966 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 32-CDIP (0.600 ", 15.24 mm) | AT28C040 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 32-CDIP | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT28C04020BI | 3A001A2C | 8542.32.0051 | 12 | No Volátil | 4mbit | 200 ns | Eeprom | 512k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||
 | AT28HC256-90TU | - | | 5601 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 28-TSOP (0.465 ", 11.80 mm de ancho) | AT28HC256 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1611-AT28HC256-90TU | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | No Volátil | 256 kbit | 90 ns | Eeprom | 32k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
 | MT28F640J3FS-115 MET TR | - | | 7885 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64-FBGA | MT28F640J3 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (10x13) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | No Volátil | 64 Mbbit | 115 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | - | |||
 | IS43LD32640B-18BLI | 11.6591 | | 3570 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 134-TFBGA | IS43LD32640 | SDRAM - Mobile LPDDR2 -S4 | 1.14V ~ 1.95V | 134-TFBGA (10x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 171 | 533 MHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 64m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | MT47H32M16CC-37E IT: B TR | - | | 9525 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (12x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 267 MHz | Volante | 512Mbit | 500 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | ||
 | R1Q2A7236ABG-50IA1 | 35.5800 | | 315 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||
 | MT29F4G01ABAFDWB-IT: F TR | 3.0165 | | 9912 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-udfn | MT29F4G01 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 8 updfn (8x6) (MLP8) | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | MT29F4G01ABAFDWB-IT: FTR | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 4 gbit | Destello | 4g x 1 | SPI | - | ||||
 | MT53E128M16D1DS-053 AIT: A TR | - | | 4114 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | MT53E128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.1V | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | MT53E128M16D1DS-053AIT: ATR | Obsoleto | 2,000 | 1.866 GHz | Volante | 2 GBIT | Dracma | 128m x 16 | - | - | |||||||
 | C-1066D3QRLPR/16G | 51.2500 | | 3321 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-1066D3QRLPR/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| A2146192-C | 37.5000 | | 5184 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-A2146192-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT25256B-MAPDGV-T | - | | 9767 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT25256 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-udfn (2x3) | descascar | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 5 MHz | No Volátil | 256 kbit | Eeprom | 32k x 8 | SPI | 5 ms | ||||
 | S25FL256SAGMFIR00 | 6.6500 | | 356 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | S25FL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | No Volátil | 256Mbit | Destello | 32m x 8 | SPI - Quad I/O | - | |||
 | MT48LC4M32LFB5-8: G TR | - | | 2312 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT48LC4M32 | SDRAM - LPSDR MÓVIL | 3V ~ 3.6V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 1,000 | 125 MHz | Volante | 128 Mbbit | 7 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | 15ns | ||
| 5962-8866202NA | 38.8776 | | 2287 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | La Última Vez Que Compre | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 28-CDIP (0.300 ", 7.62 mm) | 5962-8866202 | Sram - Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 28 CDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 800-5962-88666202NA | 13 | Volante | 256 kbit | 70 ns | Sram | 32k x 8 | Paralelo | 70ns | ||||
 | 71V016SA12BFG8 | 5.0600 | | 4 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-lfbga | 71v016 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 48-Cabga (7x7) | descascar | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 1 mbit | 12 ns | Sram | 64k x 16 | Paralelo | 12ns | ||||||
 | MT29F1T08EEHAFJ4-3TES: A | - | | 8138 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 132-VBGA | MT29F1T08 | Flash - nand | 2.5V ~ 3.6V | 132-VBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.120 | 333 MHz | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | Paralelo | - | |||
 | 47L04T-I/SN | 0.7350 | | 6934 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 47L04 | EEPROM, SRAM | 2.7V ~ 3.6V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 400 ns | Eeram | 512 x 8 | I²C | 1 m | |||
| MT29F64G8CBABAL84A3WC1 | - | | 9423 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F64G8 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 64 GBIT | Destello | 8g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | AT28C16-20SI | - | | 3066 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 24-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | AT28C16 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 24-soico | descascar | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT28C1620SI | EAR99 | 8542.32.0051 | 31 | No Volátil | 16 kbits | 200 ns | Eeprom | 2k x 8 | Paralelo | 1 m | ||
 | IS42RM16800G-6BLI | - | | 5741 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TFBGA | IS42RM16800 | Sdram - móvil | 2.3V ~ 2.7V | 54-TFBGA (8x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 348 | 166 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 16 | Paralelo | - | ||
 | Cy7c036av-25axc | - | | 7208 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C036 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volante | 288 kbit | 25 ns | Sram | 16k x 18 | Paralelo | 25ns |
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