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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M95020-DRMN3TP/K | 0.5100 |  | 2 | 0.00000000 | Stmicroelectronics | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | M95020 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 20 MHz | No Volátil | 2 kbits | Eeprom | 256 x 8 | SPI | 4ms | ||||
 | IS64WV102416BLL-10MLA3 | 26.2419 | | 2657 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFBGA | IS64WV102416 | Sram - Asínncrono | 2.4V ~ 3.6V | 48-minibga (9x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 210 | Volante | 16mbit | 10 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 10ns | ||||
 | MT29F128G08CFAAAWP: A TR | - | | 3979 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | MT29F128G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP I | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2,000 | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | Paralelo | - | ||||||
 | EM6HD16EWBH-10IH | 9.0200 | | 2 | 0.00000000 | Etron Technology, Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | EM6HD16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.500 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | 850879-001-C | 135.0000 | | 6887 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-850879-001-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS49NLC36800-25WBL | - | | 2041 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-TFBGA | IS49NLC36800 | RDRAM 2 | 1.7V ~ 1.9V | 144-TWBGA (11x18.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 104 | 400 MHz | Volante | 288Mbit | 15 ns | Dracma | 8m x 36 | Paralelo | - | |||
 | CY14B512Q2-LHXI | 6.2400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | 2156-CY14B512Q2-LHXI-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | GVT71128G36T-5 | 1.7100 | | 1 | 0.00000000 | Galvantech | GVT71128G36 | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C | Montaje en superficie | 100-tqfp | Gvt71128g | Sram | 3.3V | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 4 ns | Sram | 128k x 36 | - | ||||||
 | 70V7319S166BC8 | 188.0754 | | 4185 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 256 lbGa | 70V7319 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 256-cabga (17x17) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.6 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
 | S27KL0641DABHB023 | - | | 8033 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotive, AEC-Q100, Hyperram ™ KL | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-VBGA | S27KL0641 | Psram (pseudo sram) | 2.7V ~ 3.6V | 24-FBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 100 MHz | Volante | 64 Mbbit | 40 ns | Psram | 8m x 8 | Paralelo | - | |||
 | MT29F32G08CBECBL73A3WC1P | - | | 3610 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Una granela | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | Morir | MT29F32G08 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | Morir | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | No Volátil | 32 GBIT | Destello | 4g x 8 | Paralelo | - | |||||
 | AT25QF641B-MHB-T | 1.4000 | | 35 | 0.00000000 | Adesto tecnologías | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 8-udfn almohadilla exposición | AT25QF641 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-udfn (5x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 6,000 | 104 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 4ms | ||||
 | 93AA76-I/ST | - | | 9171 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 93AA76 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 3 MHz | No Volátil | 8 kbits | Eeprom | 1k x 8 | Microondas | 5 ms | ||||
 | 24aa32a-i/sn | 0.5200 | | 2235 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | 24AA32 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 kHz | No Volátil | 32 kbits | 900 ns | Eeprom | 4k x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | ASA5520-MEM-2GB-C | 55.0000 | | 5707 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-ASA5520-MEM-2GB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT53D8DBWF-DC | - | | 5450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | Montaje en superficie | 376-WFBGA | MT53D8 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 376-WFBGA (14x14) | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1.190 | Volante | Dracma | |||||||||||||
| MT41J512M4HX-125: D | - | | 4823 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 78-TFBGA | MT41J512M4 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 78-FBGA (9x11.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 800 MHz | Volante | 2 GBIT | 13.75 ns | Dracma | 512m x 4 | Paralelo | - | |||
 | IDT71V3558SA100BG8 | - | | 6131 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V3558 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V3558SA100BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 100 MHz | Volante | 4.5Mbit | 5 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | ||
 | AT29BV020-15TU-T | - | | 4180 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | AT29BV020 | Destello | 2.7V ~ 3.6V | 32-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 2 mbit | 150 ns | Destello | 256k x 8 | Paralelo | 20 ms | ||||
 | S25FS128SAGBHI300 | - | | 1384 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FS-S | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FS128 | Flash - Ni | 1.7v ~ 2v | 24-BGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3,380 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | BRCD064GWZ-3E2 | 0.6500 | | 2 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-XFBGA, CSPBGA | BRCD064 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | UCSP35L1 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 64 kbits | Eeprom | 8k x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | AT24C04BY6-YH-T | - | | 8858 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | AT24C04 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | Mapa de 8-Mini (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 4 kbits | 550 ns | Eeprom | 512 x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | AT29C512-70JC | - | | 3532 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT29C512 | Destello | 4.5V ~ 5.5V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | Rohs no conforme | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 32 | No Volátil | 512 kbit | 70 ns | Destello | 64k x 8 | Paralelo | 10 ms | ||||
 | MT46H16M32LFB5-6 AT: C TR | - | | 7626 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-vfbga | MT46H16M32 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-vfbga (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0036 | 1,000 | 166 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 16m x 32 | Paralelo | 15ns | |||
 | S29AS016J70TFI040 | 6.9500 | | 8086 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | As-j | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29AS016 | Flash - Ni | 1.65V ~ 1.95V | 48-TSOP | descascar | Rohs no conforme | No Aplicable | Vendedor indefinido | 2832-S29AS016J70TFI040 | 3A991A2 | 8542.32.0070 | 36 | No Volátil | 16mbit | 70 ns | Destello | 2m x 8, 1m x 16 | Paralelo | 70ns | Sin verificado | ||
| IDT71V25761YSA166BG | - | | 5229 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | IDT71V25761 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V25761YSA166BG | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.5 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||
 | CAT25160VE-GT3C | - | | 4668 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT25160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-CAT25160VE-GT3CTR | Obsoleto | 3.000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||||
 | Cy7c09579v-100axc | 43.3400 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 144-LQFP | Cy7C09579 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3V ~ 3.6V | 144-TQFP (20x20) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 100 MHz | Volante | 1.152Mbit | 5 ns | Sram | 32k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | ||||
 | W631GG6NB-11 TR | 2.9730 | | 7385 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-vfbga | W631GG6 | SDRAM - DDR3 | 1.425V ~ 1.575V | 96-vfbga (7.5x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W631GG6NB-11TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 933 MHz | Volante | 1 gbit | 20 ns | Dracma | 64m x 16 | SSTL_15 | 15ns | ||
 | W25Q128JVBIQ | 1.7798 | | 8448 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25Q128 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 133 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI, DTR | 3 ms |
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