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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AT93C86A-10SU-1.8-T | 0.4100 |  | 7 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | AT93C86A | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 2 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8, 1k x 16 | Serie de 3 Hilos | 10 ms | ||||
 | IDT71V65802S100BQ | - | | 4792 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IDT71V65802 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V65802S100BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 100 MHz | Volante | 9 MBIT | 5 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | ||
 | IDT71V67703S85PFI8 | - | | 3952 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67703 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67703S85PFI8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | 87 MHz | Volante | 9 MBIT | 8.5 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
 | SM668PEA-AC | - | | 6451 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | - | Banda | Obsoleto | SM668 | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8523.51.0000 | 1 | |||||||||||||||||
 | CY7C0852V-133AC | 92.5300 | | 8 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 176-LQFP | Cy7C0852 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.135V ~ 3.465V | 176-TQFP (24x24) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | ||||
 | Mx25u6432fzci02 | 1.2096 | | 1125 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-xdfn almohadilla exposición | Flash - Nor (SLC) | 1.65V ~ 2V | 8-Xson (4x4) | - | 3 (168 Horas) | 1092-MX25U6432FZCI02TR | 9,000 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | 6 ns | Destello | 16m x 4, 32m x 2, 64m x 1 | SPI - Quad I/O, QPI | 40 µs, 3 ms | |||||||
| 70V34L15PF | - | | 3143 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | 70v34 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 3 | Volante | 72 kbits | 15 ns | Sram | 4k x 18 | Paralelo | 15ns | ||||
 | GS81314LQ37GK-933I | 622.5000 | | 5 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 100 ° C (TJ) | Montaje en superficie | 260-BGA | GS81314LQ37 | Sram - Puerto Cuárruple, Synchronous, QDR Ive | 1.25V ~ 1.35V | 260-BGA (22x14) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 2364-GS81314LQ37GK-933I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 933 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Paralelo | - | |||
 | 7025L35J | - | | 9776 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 84-LCC (J-LEAD) | 7025L35 | Sram - Puerto Dual, Asínncrono | 4.5V ~ 5.5V | 84-PLCC (29.31x29.31) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volante | 128 kbit | 35 ns | Sram | 8k x 16 | Paralelo | 35ns | ||||
 | Cy7C1354A200BC | 8.0800 | | 53 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | CY7C1354 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.2 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
| CG7793AA | - | | 9804 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT29F256G08CMCABH2-12Z: A TR | - | | 9450 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 TBGA | MT29F256G08 | Flash - Nand (MLC) | 2.7V ~ 3.6V | 100 TBGA (12x18) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | 83 MHz | No Volátil | 256 GBIT | Destello | 32g x 8 | Paralelo | - | ||||
| MT62F1G32D2DS-023 AAT: B | 31.9350 | | 2628 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automotriz, AEC-Q100 | Caja | Activo | - | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR5 | 1.05V | 200-WFBGA (10x14.5) | - | 557-MT62F1G32D2DS-023AAT: B | 1 | 4.266 GHz | Volante | 32 GBIT | Dracma | 1g x 32 | Paralelo | - | |||||||||
 | MT47H32M16HR-25E: G | - | | 6255 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 84-FBGA (8x12.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1,000 | 400 MHz | Volante | 512Mbit | 400 ps | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| NLQ83PFS-8NET | 17.8885 | | 5861 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200 WFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-FBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 1982-nlq83pfs-8net | 136 | 1.2 GHz | Volante | 8 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 32 | Lvstl | 18ns | ||||||
 | IS46DR81280C-25DBLA1 | - | | 5282 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-TFBGA | IS46DR81280 | SDRAM - DDR2 | 1.7V ~ 1.9V | 60-TWBGA (8x10.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 400 MHz | Volante | 1 gbit | 400 ps | Dracma | 128m x 8 | Paralelo | 15ns | |||
 | AT28C64B-15PU | 5.7600 | | 5 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | A Través del Aguetero | 28-dip (0.600 ", 15.24 mm) | AT28C64 | Eeprom | 4.5V ~ 5.5V | 28 PDIP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | AT28C64B15PU | EAR99 | 8542.32.0051 | 14 | No Volátil | 64 kbits | 150 ns | Eeprom | 8k x 8 | Paralelo | 10 ms | |||
| S99GL128P0050 | - | | 9771 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Banda | Obsoleto | - | S99GL128 | Flash - Ni | - | - | Rohs no conforme | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 8m x 16 | Paralelo | - | ||||||||
| S29gl256n90fair10 | - | | 3423 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Obsoleto | - | 2156-S29GL256N90Fair10 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 71T75602S166BGG | 43.6204 | | 7742 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | La Última Vez Que Compre | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71T75602 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 2.375V ~ 2.625V | 119-PBGA (14x22) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volante | 18mbit | 3.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | |||
 | CAT25010VI-GD | - | | 2763 | 0.00000000 | onde | - | Tubo | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT25010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | - | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 488-CAT25010VI-GD | Obsoleto | 100 | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | ||||||
 | MT46H32M16LFBF-5 IT: C | 5.6600 | | 16 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 60-vfbga | MT46H32M16 | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 60-vfbga (8x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.782 | 200 MHz | Volante | 512Mbit | 5 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
| DS28E02P+ | - | | 4026 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | -20 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 6-SMD, J-Lead | Eeprom | 1.75V ~ 3.65V | 6-TSOC | - | EAR99 | 8542.32.0051 | 120 | No Volátil | 1 kbit | 2 µs | Eeprom | 256 x 4 | 1 Alambre® | 25 ms | ||||||||
| IDT71V67602S150PF | - | | 5687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | IDT71V67602 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.135V ~ 3.465V | 100-TQFP (14x14) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 71V67602S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | ||
| C-1600D3QR4LRN/32G-TAA | 273.5000 | | 1611 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-1600D3QR4LRN/32G-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT58L32L32PT-10 | 6.5300 | | 28 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | MT58L32L32 | Sram | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | Rohs no conforme | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volante | 1 mbit | 5 ns | Sram | 32k x 32 | Paralelo | - | |||
 | S34ML01G200TFA000 | - | | 2450 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Ml-2 | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S34ml01 | Flash - nand | 2.7V ~ 3.6V | 48-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 25ns | |||||
 | C-2133D4DR4RLP/16G | 132.5000 | | 8843 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-C-2133D4DR4RLP/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | S29gl064n90ffis20 | 12.9100 | | 718 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | GL-N | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | 39 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 90ns | Sin verificado | ||||||||
 | MR0A08BCSO35 | - | | 9529 | 0.00000000 | Everspin Technologies Inc. | - | Banda | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 32-SOIC (0.295 ", 7.50 mm de Ancho) | MR0A08 | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 3V ~ 3.6V | 32-SOICO | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 108 | No Volátil | 1 mbit | 35 ns | RAM | 128k x 8 | Paralelo | 35ns |
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