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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página | Sic programable |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | R1LV0816ASB-7SI#B0 | - |  | 3168 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Una granela | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 44-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | R1LV0816A | Sram | 2.4V ~ 3.6V | 44-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volante | 8mbit | 70 ns | Sram | 512k x 16 | Paralelo | 70ns | ||||
 | MT29VZZZAD8HQKPR-053 W es.G8C TR | - | | 5061 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | Mt29vzzzad8 | - | 1 (ilimitado) | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1,000 | |||||||||||||||||||
| 5962-9166204MXA | - | | 5326 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Obsoleto | -55 ° C ~ 125 ° C (TA) | A Través del Aguetero | 84-BPGA | 5962-9166204 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 4.5V ~ 5.5V | 84-PGA (27.94x27.94) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 800-5962-916666204MXA | Obsoleto | 3 | Volante | 64 kbits | 55 ns | Sram | 4k x 16 | Paralelo | 55ns | ||||
| DS28E81+ | - | | 8363 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Activo | - | - | DS28E81 | - | - | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 90-28810+000 | 0000.00.0000 | 10 | ||||||||||||||
 | IS42SM32400G-75BLI-TR | - | | 1954 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS42SM32400 | Sdram - móvil | 2.7V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 133 MHz | Volante | 128 Mbbit | 6 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | |||
| IS46LQ16256Al-062TBLA2 | 15.4924 | | 7398 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-vfbga | SDRAM - Mobile LPDDR4X | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-VFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46LQ16256Al-062TBLA2 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | 3.5 ns | Dracma | 256m x 16 | Lvstl | 18ns | ||||||
| IS43LR32800H-6BLI-TR | 4.9180 | | 8552 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | SDRAM - Mobile LPDDR | 1.7V ~ 1.95V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS43LR32800H-6BLI-TR | 2.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 5.5 ns | Dracma | 8m x 32 | LVCMOS | 15ns | ||||||
 | MX29LV800CTXEC-90G | - | | 8207 | 0.00000000 | Macronix | Mx29lv | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 48-LFBGA, CSPBGA | Mx29lv800 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 48-LFBGA, CSP (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 480 | No Volátil | 8mbit | 90 ns | Destello | 1m x 8 | Paralelo | 90ns | ||||
 | AT24CS01-STUM-T | 0.3200 | | 9294 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | SOT-23-5 Delgado, TSOT-23-5 | AT24CS01 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | Sot-23-5 | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 5,000 | 1 MHz | No Volátil | 1 kbit | 550 ns | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | |||
| IS45S32400F-7BLA1-TR | 5.8800 | | 4253 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 90-TFBGA | IS45S32400 | Sdram | 3V ~ 3.6V | 90-TFBGA (8x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 143 MHz | Volante | 128 Mbbit | 5.4 ns | Dracma | 4m x 32 | Paralelo | - | |||
 | 70V3319S166BF | 244.5048 | | 5845 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 208-LFBGA | 70V3319 | Sram - Puerto Dual, Sincónnico | 3.15V ~ 3.45V | 208-Cabga (15x15) | descascar | Rohs no conforme | 4 (72 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 7 | 166 MHz | Volante | 4.5Mbit | 3.6 ns | Sram | 256k x 18 | Paralelo | - | |||
 | S25FL129P0XBHIZ03 | - | | 7726 | 0.00000000 | Infineon Technologies | FL-P | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | S25FL129 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 24-BGA (8x6) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 104 MHz | No Volátil | 128 Mbbit | Destello | 16m x 8 | SPI - Quad I/O | 5 µs, 3 ms | ||||
| M3004316045NX0ITBY | 11.4980 | | 3026 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | Mram (Ram Magnetoresistivo) | 2.7V ~ 3.6V | 54-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 800-M3004316045NX0ITBY | 96 | No Volátil | 4mbit | 45 ns | RAM | 256k x 16 | Paralelo | 45ns | ||||||||
 | SST26WF080BT-104I/NP | 1.5900 | | 37 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | SST26 SQI® | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-Ufdfn Padera Expunesta | SST26WF080 | Destello | 1.65V ~ 1.95V | 8-USON (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | No Volátil | 8mbit | Destello | 1m x 8 | SPI - Quad I/O | 1.5ms | ||||
 | CY7C1345G-00AXI | 6.0500 | | 840 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1345 | Sram - Sincónnico, SDR | 3.15V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | 50 | 100 MHz | Volante | 4.5Mbit | 8 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - | Sin verificado | |||||||
| S25HS01GTFAMHB010 | 21.3675 | | 8769 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | Cy7C1061AV33-12ZXCT | - | | 2040 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 54-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de ancho) | CY7C1061 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 54-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1,000 | Volante | 16mbit | 12 ns | Sram | 1m x 16 | Paralelo | 12ns | ||||
 | BR24T01FVM-WTR | 0.6100 | | 100 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-VSSOP, 8-MSOP (0.110 ", Ancho de 2.80 mm) | BR24T01 | Eeprom | 1.6v ~ 5.5V | 8-MSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 400 kHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | I²C | 5 ms | ||||
 | FM28V020-SGTR | 11.9900 | | 4 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | F-RAM ™ | Una granela | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 28-soico (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Fm28v020 | Fram (Carnero Ferroeléctrico) | 2V ~ 3.6V | 28-soico | descascar | 1 | No Volátil | 256 kbit | 140 ns | Fram | 32k x 8 | Paralelo | 140ns | Sin verificado | ||||||||
 | IS46R16160D-6TLA1-TR | 5.6024 | | 8574 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | No hay para Nuevos Diseños | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 66-TSOP (0.400 ", 10.16 mm de Ancho) | IS46R16160 | SDRAM - DDR | 2.3V ~ 2.7V | 66-TSOP II | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0024 | 1.500 | 166 MHz | Volante | 256Mbit | 700 PS | Dracma | 16m x 16 | Paralelo | 15ns | |||
 | S29GL064S70TFA030 | 5.1500 | | 480 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | No Volátil | 64 Mbbit | 70 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | ||||
 | AT49LH004-33JX-T | - | | 8335 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 32 LCC (J-Lead) | AT49LH004 | Destello | 3V ~ 3.6V | 32-PLCC (13.97x11.43) | descascar | ROHS3 Cumplante | 2 (1 Año) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 750 | 33 MHz | No Volátil | 4mbit | Destello | 512k x 8 | Paralelo | 50 µs | ||||
 | H26M52208FPRI | - | | 7984 | 0.00000000 | NetList Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 153-BGA | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 153-FBGA (11.5x13) | - | Cumplimiento de Rohs | 3 (168 Horas) | Alcanzar Afectados | 2655-H26M52208Fpritr | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 200 MHz | No Volátil | 128 GBIT | Destello | 16g x 8 | EMMC_5.1 | - | ||||
 | 500658-B21-C | 35.0000 | | 8941 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-500658-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
| S25FL164K0XMFA011 | - | | 1900 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Una granela | Activo | - | 2156-S25FL164K0XMFA011 | 1 | ||||||||||||||||||||||
| Mt29c4g96mazapcmj-5 it | - | | 2585 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Caja | Obsoleto | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MT29C4G96 | Flash - Nand, Lpdram Móvil | 1.7V ~ 1.95V | - | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1,000 | 200 MHz | No Volátil, Volátil | 4Gbit (NAND), 4GBIT (LPDRAM) | Flash, ram | 256m x 16 (nand), 128m x 32 (LPDRAM) | Paralelo | - | |||||
 | 71V65803S150BQG | 26.1188 | | 8294 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v65803 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||
 | S29GL01GT10DHI020 | 16.3300 | | 232 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-T | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL01 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (9x9) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | No Volátil | 1 gbit | 100 ns | Destello | 128m x 8 | Paralelo | 60ns | ||||
 | CY7C1041CV33-12BAI | 5.0400 | | 7 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Una granela | Activo | descascar | Vendedor indefinido | Alcanzar Afectados | 2156-cy7c1041cv33-12bai-428 | 1 | ||||||||||||||||||||
| MTFC128GAOAMEA-WT ES | - | | 1754 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | E • MMC ™ | Banda | Descontinuado en sic | -25 ° C ~ 85 ° C (TA) | - | - | MTFC128 | Flash - nand | - | - | - | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | No Volátil | 1Tbit | Destello | 128g x 8 | MMC | - |
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