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Memoria (70500)
| Imaginación | Número de Producto | Precios (USD) | Cantidad | Ecada | Cantidad Disponible | Peso (kg) | MFR | Serie | Pavimento | Estado del Producto | Temperatura de FuncionAmiento | Tipo de Montaje | Paquete / Estuche | Base Número de Producto | Tecnología | Voltaje - Suministro | Paquete de dispositivos de probador | Ficha de datos | Estado de Rohs | Nivel de Sensibilidad de Humedad (MSL) | Estatus de Alcance | Otros nombres | ECCN | Htsus | Paquete estándar | FRECUENCIA DE RELOJ | Tipo de Memoria | Tamaña de Memoria | TIempo de Acceso | Formato de Memoria | Organización de la Memoria | Interfaz de Memoria | Ercribir el Tiempo del Ciclo - Palabra, Página |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25N01JWSFIG | 3.3924 |  | 1434 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | W25N01 | Flash - Nand (SLC) | 1.7V ~ 1.95V | 16-soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N01JWSFIG | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 44 | 166 MHz | No Volátil | 1 gbit | 6 ns | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, DTR | 700 µs | |
 | MT58L256L36FS-10TR | 13.7700 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Syncburst ™ | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | Sram - Estándar | 3.135V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20.1) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 500 | 66 MHz | Volante | 8mbit | 10 ns | Sram | 256k x 36 | Paralelo | - | |||
 | IS46TR16128DL-107MBLA2-TR | 6.4148 | | 4841 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Automotriz, AEC-Q100 | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 105 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-TWBGA (9x13) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | 706-IS46TR16128DL-107MBLA2-TR | 1.500 | 933 MHz | Volante | 2 GBIT | 20 ns | Dracma | 128m x 16 | Paralelo | 15ns | |||||
| T0H90AA-C | 72.0000 | | 8610 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-T0H90AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IS43LQ32128A-062TBLI | 18.4400 | | 136 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | Montaje en superficie | 200-TFBGA | IS43LQ32128 | SDRAM - Mobile LPDDR4 | 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V | 200-TFBGA (10x14.5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 706-IS43LQ32128A-062TBLI | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 1.6 GHz | Volante | 4 gbit | Dracma | 128m x 32 | Lvstl | - | ||
| HYB25L512160AC-7.5 CARRETE | - | | 4032 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TC) | Montaje en superficie | 54-lfbga | SDRAM - Mobile LPDDR | 2.3V ~ 3.6V | 54-FBGA (8x12) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0028 | 291 | 133 MHz | Volante | 512Mbit | 6 ns | Dracma | 32m x 16 | Paralelo | 14ns | |||
 | W25N512GVBIR | - | | 8834 | 0.00000000 | Winbond Electronics | Spiflash® | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 24-tbGa | W25N512 | Flash - Nand (SLC) | 2.7V ~ 3.6V | 24-TFBGA (6x8) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W25N512GVBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 166 MHz | No Volátil | 512Mbit | 6 ns | Destello | 64m x 8 | SPI - Quad I/O | 700 µs | |
| S25HS01GTDPMHA013 | 18.7250 | | 8842 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Semper ™ | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 16-SOICO (0.295 ", 7.50 mm de ancho) | Flash - Nor (SLC) | 1.7v ~ 2v | 16-soico | descascar | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | No Volátil | 1 gbit | Destello | 128m x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||||
 | W956d8mbkx5i tr | - | | 3232 | 0.00000000 | Winbond Electronics | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TC) | - | - | W956D8 | Hiperram | 1.7v ~ 2v | - | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 256-W956D8MBKX5ITR | EAR99 | 8542.32.0002 | 2.500 | 200 MHz | Volante | 64 Mbbit | Dracma | 8m x 8 | Hiperbus | - | ||
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 | S29GL064N90TFA020 | - | | 8025 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-N | Banda | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 mm de ancho) | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 56-TSOP | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 91 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 90ns | |||
| 27S191AJC | 21.4800 | | 1 | 0.00000000 | Rochester Electronics, LLC | - | Una granela | Activo | - | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||
| MT41K256M16HA-125 V: E TR | - | | 6318 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | Montaje en superficie | 96-TFBGA | MT41K256M16 | SDRAM - DDR3L | 1.283V ~ 1.45V | 96-FBGA (9x14) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | EAR99 | 8542.32.0036 | 2,000 | 800 MHz | Volante | 4 gbit | 13.75 ns | Dracma | 256m x 16 | Paralelo | - | |||
 | S29GL064S90FHA023 | - | | 8932 | 0.00000000 | Infineon Technologies | Automotriz, AEC-Q100, GL-S | Tape & Reel (TR) | Descontinuado en sic | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL064 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.600 | No Volátil | 64 Mbbit | 90 ns | Destello | 8m x 8, 4m x 16 | Paralelo | 60ns | |||
 | Cy7C1615KV18-333BZXC | - | | 6496 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Banda | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165 lbGa | CY7C1615 | Sram - Sincónnico, QDR II | 1.7V ~ 1.9V | 165-FBGA (15x17) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 525 | 333 MHz | Volante | 144mbit | Sram | 4m x 36 | Paralelo | - | |||
| S29GL256P90FFSS93 | - | | 8469 | 0.00000000 | Infineon Technologies | GL-P | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 64 lbGa | S29GL256 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 64-FBGA (13x11) | - | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.500 | No Volátil | 256Mbit | 90 ns | Destello | 32m x 8 | Paralelo | 90ns | |||
 | ASA5505-MEM-512-C | 62.5000 | | 6225 | 0.00000000 | Prolabs | * | Paquete minorista | Activo | - | Cumplimiento de Rohs | 4932-ASA5505-MEM-512-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 71V65803S150BQG | - | | 9699 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | 71v65803 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 165-Cabga (13x15) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 150 MHz | Volante | 9 MBIT | 3.8 ns | Sram | 512k x 18 | Paralelo | - | |||||
 | BR93C86-WMN6TP | - | | 3450 | 0.00000000 | Semiconductor rohm | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | BR93C86 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 2 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | Microondas | 5 ms | |||
| Gd25q16etigrig | 0.7500 | | 26 | 0.00000000 | Gigadevice Semiconductor (HK) Limited | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | GD25Q16 | Flash - Ni | 2.7V ~ 3.6V | 8-SOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 133 MHz | No Volátil | 16mbit | 7 ns | Destello | 2m x 8 | SPI - Quad I/O | 70 µs, 2 ms | ||
 | Mx25l6433fzni-08g | 1.4900 | | 67 | 0.00000000 | Macronix | Mxsmio ™ | Banda | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | Almohadilla exposición de 8 wdfn | Mx25l6433 | Flash - Ni | 2.65V ~ 3.6V | 8-wson (6x5) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 570 | 133 MHz | No Volátil | 64 Mbbit | Destello | 8m x 8 | SPI - Quad I/O | 50 µs, 1.2 ms | |||
 | 25lc010a-e/st | 0.6450 | | 6511 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-TSOP (0.173 ", 4,40 mm de ancho) | 25LC010 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-TSOP | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | No Volátil | 1 kbit | Eeprom | 128 x 8 | SPI | 5 ms | |||
| A2C00063405 A | - | | 9628 | 0.00000000 | Infineon Technologies | - | Una granela | Obsoleto | - | - | Vendedor indefinido | Alcanzar sin afectado | A2C00063405A | Obsoleto | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||
 | 24aa16t-e/mny | 0.5400 | | 5736 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tape & Reel (TR) | Activo | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-WFDFN PADERA EXPUESTA | 24AA16 | Eeprom | 1.7V ~ 5.5V | 8-TDFN (2x3) | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3,300 | 400 kHz | No Volátil | 16 kbits | 900 ns | Eeprom | 2k x 8 | I²C | 5 ms | ||
 | Cy7C1024AV33-10Act | 6.7500 | | 750 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 100 LQFP | CY7C1024 | Sram - Asínncrono | 3V ~ 3.6V | 100-TQFP (14x20) | descascar | No Aplicable | 3 (168 Horas) | Vendedor indefinido | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 750 | Volante | 3Mbit | 10 ns | Sram | 128k x 24 | Paralelo | 10ns | |||
 | CAT25160VE-GT3 | - | | 8142 | 0.00000000 | onde | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | -40 ° C ~ 125 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.154 ", 3.90 mm de ancho) | CAT25160 | Eeprom | 2.5V ~ 5.5V | 8-Soico | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 10 MHz | No Volátil | 16 kbits | Eeprom | 2k x 8 | SPI | 5 ms | |||
 | 25AA512-I/SM | 2.6400 | | 86 | 0.00000000 | Tecnología de Microchip | - | Tubo | Activo | -40 ° C ~ 85 ° C (TA) | Montaje en superficie | 8-SOIC (0.209 ", 5.30 mm de ancho) | 25AA512 | Eeprom | 1.8v ~ 5.5V | 8-Soij | descascar | ROHS3 Cumplante | 1 (ilimitado) | Alcanzar sin afectado | 25AA512MO | EAR99 | 8542.32.0051 | 90 | 20 MHz | No Volátil | 512 kbit | Eeprom | 64k x 8 | SPI | 5 ms | ||
 | IS61NVF51236-6.5B3-TR | - | | 9019 | 0.00000000 | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 165-TBGA | IS61NVF51236 | Sram - Sincónnico, SDR | 2.375V ~ 2.625V | 165-TFBGA (13x15) | descascar | ROHS3 Cumplante | 3 (168 Horas) | Alcanzar sin afectado | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2,000 | 133 MHz | Volante | 18mbit | 6.5 ns | Sram | 512k x 36 | Paralelo | - | ||
| NDQ46PFP-7NET TR | - | | 6568 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Tape & Reel (TR) | Obsoleto | 0 ° C ~ 95 ° C (TC) | - | - | SDRAM - DDR4 | 1.14V ~ 1.26V | - | - | 1982-NDQ46PFP-7NETTR | Obsoleto | 2.500 | 1.333 GHz | Volante | 4 gbit | 18 ns | Dracma | 256m x 16 | Vana | 15ns | ||||||
 | 71V3556SA133BG | 10.1900 | | 527 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Una granela | Activo | 0 ° C ~ 70 ° C (TA) | Montaje en superficie | 119-BGA | 71V3556 | Sram - Sincónnico, SDR (ZBT) | 3.135V ~ 3.465V | 119-PBGA (14x22) | descascar | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volante | 4.5Mbit | 4.2 ns | Sram | 128k x 36 | Paralelo | - |
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